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公开(公告)号：CN116324021A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202180064959.X
申请日：2021-07-16
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/34
Abstract: 示例处理方法可包括形成含硅和氮前驱物的第一沉积等离子体。方法可包括利用第一沉积等离子体在半导体基板上沉积氮化硅材料的第一部分。可形成含氦和氮前驱物的第一处理等离子体以利用第一处理等离子体来处理氮化硅材料的第一部分。第二沉积等离子体可沉积氮化硅材料的第二部分，且第二处理等离子体可处理氮化硅材料的第二部分。第一处理等离子体中的氦气对氮气的流率比可低于第二处理等离子体中的He/N2流率比。来自形成第一处理等离子体的等离子体功率源的第一功率水平可低于形成第二处理等离子体的第二功率水平。
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公开(公告)号：CN112204706B
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN201980036655.5
申请日：2019-05-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/67 , C23C16/455 , H01J37/32 , H05H1/46 , H01L21/311
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113169022B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN201980077353.2
申请日：2019-11-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： V·V·瓦茨 , H·俞 , P·A·克劳斯 , S·G·卡马斯 , W·J·杜兰德 , L·C·卡鲁塔拉格 , A·B·玛里克 , 李昌陵 , D·帕德希 , M·J·萨利 , T·C·楚 , M·A·巴尔西努
IPC: H01J37/32 , C23C16/458
Abstract: 本文所公开的实施例包括形成高质量的氮化硅膜的方法。在实施例中，一种在基板上沉积膜的方法可包括：通过沉积工艺在第一处理空间中在基板的表面之上形成氮化硅膜；以及在第二处理空间中处理氮化硅膜，其中处理氮化硅膜包括：将膜暴露于由模块化的高频等离子体源引起的等离子体。在实施例中，等离子体的壳层电势小于100V，并且高频等离子体源的功率密度为约5W/cm2或更高、约10W/cm2或更高，或约20W/cm2或更高。
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公开(公告)号：CN113196190A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201980084157.8
申请日：2019-12-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: G05B19/418 , H01L21/67 , G06F16/248
Abstract: 工艺开发可视化工具生成与制造工艺相关联的参数的第一可视化内容，并且提供与制造工艺的工艺变量相关联的GUI控制元素，其中GUI控制元素具有与工艺变量第一值相关联的第一设置。工艺开发工具接收用户输入，以将GUI控制元素从第一设置调整为第二设置，基于第二设置确定工艺变量的第二值，并且确定与工艺变量的第二值相关联的参数的第二组值。然后，工艺开发工具生成参数的第二可视化内容，其中第二可视化内容表示与工艺变量的第二值相关联的参数的第二组值。
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公开(公告)号：CN113196190B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN201980084157.8
申请日：2019-12-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: G06F16/904 , G06F119/18
Abstract: 工艺开发可视化工具生成与制造工艺相关联的参数的第一可视化内容，并且提供与制造工艺的工艺变量相关联的GUI控制元素，其中GUI控制元素具有与工艺变量第一值相关联的第一设置。工艺开发工具接收用户输入，以将GUI控制元素从第一设置调整为第二设置，基于第二设置确定工艺变量的第二值，并且确定与工艺变量的第二值相关联的参数的第二组值。然后，工艺开发工具生成参数的第二可视化内容，其中第二可视化内容表示与工艺变量的第二值相关联的参数的第二组值。
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公开(公告)号：CN113169022A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980077353.2
申请日：2019-11-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： V·V·瓦茨 , H·俞 , P·A·克劳斯 , S·G·卡马斯 , W·J·杜兰德 , L·C·卡鲁塔拉格 , A·B·玛里克 , 李昌陵 , D·帕德希 , M·J·萨利 , T·C·楚 , M·A·巴尔西努
IPC: H01J37/32 , C23C16/458
Abstract: 本文所公开的实施例包括形成高质量的氮化硅膜的方法。在实施例中，一种在基板上沉积膜的方法可包括：通过沉积工艺在第一处理空间中在基板的表面之上形成氮化硅膜；以及在第二处理空间中处理氮化硅膜，其中处理氮化硅膜包括：将膜暴露于由模块化的高频等离子体源引起的等离子体。在实施例中，等离子体的壳层电势小于100V，并且高频等离子体源的功率密度为约5W/cm2或更高、约10W/cm2或更高，或约20W/cm2或更高。
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公开(公告)号：CN112204706A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201980036655.5
申请日：2019-05-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/67 , C23C16/455 , H01J37/32 , H05H1/46 , H01L21/311
Abstract: 本公开的实施例涉及薄膜的原位沉积和处理以改善阶梯覆盖率的方法。一个实施例中，提供用于处理基板的方法。该方法包括：通过将基板暴露至第一前驱物与第二前驱物的气体混合物、同时等离子体存在于工艺腔室中，而在基板的多个图案化特征上形成介电层，其中该等离子体由第一脉冲RF功率形成；在工艺腔室中将介电层暴露于使用氮与氦的气体混合物的第一等离子体处理；以及通过将介电层暴露于由含氟前驱物与载气的气体混合物所形成的等离子体而执行等离子体蚀刻工艺，其中等离子体是在工艺腔室中由第二脉冲RF功率形成。
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