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公开(公告)号:CN103215570A
公开(公告)日:2013-07-24
申请号:CN201310103526.8
申请日:2007-05-02
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/509 , H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32009 , C23C16/0209 , C23C16/0245 , C23C16/045 , C23C16/34 , C23C16/403 , C23C16/405 , C23C16/4405 , C23C16/45504 , C23C16/45508 , C23C16/45574 , C23C16/45591 , C23C16/4583 , C23C16/46 , C23C16/482 , C23C16/509
Abstract: 本发明涉及一种用于介电薄膜的原子层沉积的化学品的光激发的方法和装置。本发明大体来说提供一种沉积材料的方法,并且更明确地说,本发明的实施例有关于使用光激发技术来沉积阻障层、种层、导电材料以及介电材料的化学气相沉积制程以及原子层沉积制程。本发明的实施例大体来说提供辅助制程方法及设备,其中可执行该辅助制程以提供均匀沉积的材料。
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公开(公告)号:CN101438391B
公开(公告)日:2013-04-10
申请号:CN200780016253.6
申请日:2007-05-02
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01J37/32009 , C23C16/0209 , C23C16/0245 , C23C16/045 , C23C16/34 , C23C16/403 , C23C16/405 , C23C16/4405 , C23C16/45504 , C23C16/45508 , C23C16/45574 , C23C16/45591 , C23C16/4583 , C23C16/46 , C23C16/482 , C23C16/509
Abstract: 本发明大体来说提供一种沉积材料的方法,并且更明确地说,本发明的实施例有关于使用光激发技术来沉积阻障层、种层、导电材料以及介电材料的化学气相沉积制程以及原子层沉积制程。本发明的实施例大体来说提供辅助制程方法及设备,其中可执行该辅助制程以提供均匀沉积的材料。
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公开(公告)号:CN202839630U
公开(公告)日:2013-03-27
申请号:CN201090000947.8
申请日:2010-06-09
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/022425 , B82Y10/00 , H01L31/0322 , H01L31/03529 , H01L31/0384 , H01L31/0749 , H01L51/0048 , H01L51/4213 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本实用新型涉及基于碳纳米管的太阳能电池及形成其的设备。太阳能电池中设有碳纳米管(CNT),这些碳纳米管用于:界定太阳能电池的微米/次微米几何尺寸;及/或做为电荷传输体,以有效地从吸收层移除电荷载流子以减少吸收层中的电子空穴复合速率。太阳能电池可包含:基材;多个在该基材的该表面上的金属催化剂的区域;多个碳纳米管束状物,形成于该多个金属催化剂的区域上,每一束状物包括大略垂直于该基材的该表面而呈对准的碳纳米管;以及光活性太阳能电池层,形成于这些碳纳米管束状物及该基材的暴露表面上,其中该光活性太阳能电池层在这些碳纳米管束状物上及该基材的该暴露表面上为连续的。光活性太阳能电池层可包含非晶硅p/i/n薄膜;然而,本实用新型的概念亦可应用至具有微晶硅、SiGe、碳掺杂微晶硅、CIS、CIGS、CISSe以及各种p型二六族二元化合物以及三元与四元化合物的吸收层的太阳能电池。
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