公开(公告)号：CN105593972B

公开(公告)日：2018-08-07

申请号：CN201480054614.6

申请日：2014-09-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·奈纳尼 ,  B·N·佐普 ,  L·多弗 ,  S·劳弗 ,  A·布兰德 ,  M·亚伯拉罕 ,  S·德稀穆克

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/302 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01J37/3233 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02661 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/8258 ,  H01L29/66795

Abstract: 在对半导体表面的软性等离子体表面处理中使用电子束等离子体源,所述半导体表面包含Ge或III‑V族化合物半导体材料。

公开(公告)号：CN105593972A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201480054614.6

申请日：2014-09-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·奈纳尼 ,  B·N·佐普 ,  L·多弗 ,  S·劳弗 ,  A·布兰德 ,  M·亚伯拉罕 ,  S·德稀穆克

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/302 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01J37/3233 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02661 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/8258 ,  H01L29/66795

Abstract: 在对半导体表面的软性等离子体表面处理中使用电子束等离子体源，所述半导体表面包含Ge或III-V族化合物半导体材料。

公开(公告)号：CN104704614A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201380052718.9

申请日：2013-10-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J·约翰逊 ,  J·M·瑞尼西 ,  J·格林 ,  M·亚伯拉罕 ,  A·M·亨特 ,  A·奈纳尼

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109

Abstract: 本文提供用于提供热能至处理腔室的设备。该设备可包括：该处理腔室的处理腔室主体；固态源阵列，该固态源阵列具有数个固态源，该固态源阵列设置于第一基板上，以提供热能至该处理腔室来加热靶材元件，该靶材元件设置于该处理腔室主体中；以及至少一反射体，该至少一反射体设置于该第一基板上并且邻近于该等数个固态源的一或多个固态源，以将该等数个固态源的该一或多个固态源所提供的热能导引朝向该靶材元件。