公开(公告)号：CN103295896B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201310180448.1

申请日：2007-02-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·马耀 ,  M·杨 ,  A·巴拉克里希纳 ,  P·凯里 ,  D·詹宁斯 ,  S·莫法特 ,  W·谢弗 ,  A·N·雷纳 ,  T·N·托马斯 ,  A·M·亨特

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/823418 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66659

Abstract: 本发明一般描述用来在衬底的预期区域上执行退火处理的一种或多种设备及多种方法。在一实施例中，传送一定量的能量至衬底表面以优先熔化衬底的某些预期区域，以去除先前处理步骤造成的不需要的损害，而使掺杂剂更均匀地分布在衬底的各个区域内，和／或活化衬底的各个区域。因为掺杂剂原子在衬底的熔化区内的扩散速率以及溶解度增加，所以该优先熔化处理使这些掺杂剂可更均匀地分布在熔化区内。因而熔化区的创建容许：1)这些掺杂剂原子更均匀地重新分布，2)去除先前处理步骤中所造成的缺陷，以及3)形成具有超陡峭（hyper-abrupt）掺杂剂浓度的区域。

公开(公告)号：CN103295896A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310180448.1

申请日：2007-02-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·马耀 ,  M·杨 ,  A·巴拉克里希纳 ,  P·凯里 ,  D·詹宁斯 ,  S·莫法特 ,  W·谢弗 ,  A·N·雷纳 ,  T·N·托马斯 ,  A·M·亨特

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/823418 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66659

Abstract: 本发明一般描述用来在衬底的预期区域上执行退火处理的一种或多种设备及多种方法。在一实施例中，传送一定量的能量至衬底表面以优先熔化衬底的某些预期区域，以去除先前处理步骤造成的不需要的损害，而使掺杂剂更均匀地分布在衬底的各个区域内，和／或活化衬底的各个区域。因为掺杂剂原子在衬底的熔化区内的扩散速率以及溶解度增加，所以该优先熔化处理使这些掺杂剂可更均匀地分布在熔化区内。因而熔化区的创建容许：1)这些掺杂剂原子更均匀地重新分布，2)去除先前处理步骤中所造成的缺陷，以及3)形成具有超陡峭（hyper-abrupt）掺杂剂浓度的区域。

公开(公告)号：CN104704614A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201380052718.9

申请日：2013-10-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J·约翰逊 ,  J·M·瑞尼西 ,  J·格林 ,  M·亚伯拉罕 ,  A·M·亨特 ,  A·奈纳尼

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109

Abstract: 本文提供用于提供热能至处理腔室的设备。该设备可包括：该处理腔室的处理腔室主体；固态源阵列，该固态源阵列具有数个固态源，该固态源阵列设置于第一基板上，以提供热能至该处理腔室来加热靶材元件，该靶材元件设置于该处理腔室主体中；以及至少一反射体，该至少一反射体设置于该第一基板上并且邻近于该等数个固态源的一或多个固态源，以将该等数个固态源的该一或多个固态源所提供的热能导引朝向该靶材元件。

公开(公告)号：CN102217048B

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN200980134141.X

申请日：2009-08-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·M·亨特 ,  J·李 ,  R·S·拉马努加姆 ,  托玛斯·霍

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L21/67248 ,  H01L21/67115

Abstract: 本发明的具体实施例是有关于在扩大温度范围(包含低温)下快速热处理基板的方法和设备。在此也揭露了使用扩大温度的高温测定系统的系统和方法，所述高温测定系统采用穿透式辐射侦测器系统。同时也叙述了结合穿透式辐射侦测器系统和发射式辐射侦测器系统的系统。

公开(公告)号：CN101395712B

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN200780008142.0

申请日：2007-02-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·马耀 ,  M·杨 ,  A·巴拉克里希纳 ,  P·凯里 ,  D·詹宁斯 ,  S·莫法特 ,  W·谢弗 ,  A·N·雷纳 ,  T·N·托马斯 ,  A·M·亨特

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/823418 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66659

Abstract: 本发明一般描述用来在衬底的预期区域上执行退火处理的一种或多种设备及多种方法。在一个实施例中，传送一定量的能量至衬底表面以优先熔化衬底的某些预期区域，以去除先前处理步骤造成的不需要的损害，而使掺杂剂更均匀地分布在衬底的各个区域内，和/或活化衬底的各个区域。因为掺杂剂原子在衬底的熔化区内的扩散速率以及溶解度增加，所以该优先熔化处理使这些掺杂剂可更均匀地分布在熔化区内。因而熔化区的创建容许：1)这些掺杂剂原子更均匀地重新分布，2)去除先前处理步骤中所造成的缺陷，以及3)形成具有超陡峭(hyper-abrupt)掺杂剂浓度的区域。