一种声波谐振器封装组件、制备方法及滤波器

    公开(公告)号:CN118041271A

    公开(公告)日:2024-05-14

    申请号:CN202211391692.8

    申请日:2022-11-08

    Abstract: 本发明公开了一种声波谐振器封装组件、制备方法及滤波器,应用于声波谐振器技术领域,声波谐振器本体包括衬底和位于衬底朝向封盖晶圆一侧表面的声波谐振膜层,声波谐振膜层形成有声波谐振单元;封盖晶圆与声波谐振器本体之间通过密封圈固定连接,密封圈包围声波谐振单元;衬底背向封盖晶圆一侧表面,对应密封圈的区域设置有延伸至声波谐振膜层的TSV孔;TSV孔中实心填充有导热材料,形成导热孔。通过在TSV孔中填充导热材料,所形成的导热孔具有较高的热传导效率;通过衬底相对密封圈的位置设置导热孔,可以进一步将热量向封盖晶圆以及衬底传导,从而有效增加散热面积,使得声波谐振器封装组件具有较高的散热效率。

    一种体声波谐振器及滤波器
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119727658A

    公开(公告)日:2025-03-28

    申请号:CN202411884509.7

    申请日:2024-12-19

    Abstract: 本发明公开了一种体声波谐振器及滤波器,应用于通信领域,其中顶部电极与压电层之间均设置有第一凸起结构和第二凸起结构;第一凸起结构围绕形成内侧的第一凸多边形区域,第二凸起结构围绕形成内侧的第二凸多边形区域,且第二凸起结构的内侧边界均位于第一凸起结构上,第二凸多边形区域的每条边内侧均包括预设宽度的第一凸起结构;对应第一凸起结构的内侧边界处的顶部电极的顶面,均高于对应第一凸多边形区域的顶部电极的顶面;对应第二凸起结构的内侧边界处的顶部电极的顶面,均高于对应第二凸多边形区域的外侧边界处的顶部电极的顶面。本发明利用设置的第二凸起结构,降低了第一凸起结构对体声波谐振器谐振频率以下的Q值的影响。

    一种薄膜体声波滤波器芯片的封装方法及封装结构

    公开(公告)号:CN117411453A

    公开(公告)日:2024-01-16

    申请号:CN202311355833.5

    申请日:2023-10-19

    Abstract: 本申请公开了一种薄膜体声波滤波器芯片的封装方法及封装结构,属于薄膜体声波滤波器领域,该方法包括:将晶圆切割成多个薄膜体声波滤波器芯片;薄膜体声波滤波器芯片的表面设置有薄膜结构;将薄膜体声波滤波器芯片倒装在载板上;对载板上的薄膜体声波滤波器芯片进行第一次封装,以包裹薄膜体声波滤波器芯片,得到薄膜体声波滤波器芯片的封装结构;将封装结构背离载板的表面减薄至目标厚度;对减薄后的封装结构背离载板的表面进行第二次封装,得到目标封装结构。本申请无需作业晶圆级封装,降低了前道工艺的难度和流程,降低了成本。先封装后减薄,降低了晶圆级减薄对性能的影响。作业料条级减薄,保证了整体厚度和表面平整的均一性。

    薄膜体声波滤波器制备方法及薄膜体声波滤波器

    公开(公告)号:CN117375548A

    公开(公告)日:2024-01-09

    申请号:CN202311178160.0

    申请日:2023-09-13

    Abstract: 本公开提供了一种薄膜体声波滤波器制备方法及薄膜体声波滤波器,可以应用于半导体技术领域。该方法包括:提供一衬底,衬底包括空腔结构,空腔结构中填充有牺牲层材料,空腔结构通过释放结构连接衬底的表面;采用蒸镀法或溅射法,自牺牲层材料的表面向上依次形成下电极层、压电层、上电极层、钝化层和钝化层临时保护层;利用含有氢氟酸的溶液作为牺牲层去除液,通过释放结构对牺牲层材料进行化学腐蚀,以去除牺牲层材料;以及去除钝化层临时保护层,得到薄膜体声波滤波器。

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