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公开(公告)号：CN111384907B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN201811653727.4
申请日：2018-12-29
Applicant: 开元通信技术(厦门)有限公司
Abstract: 本公开提出了一种体声波谐振器及其制作方法、滤波器、双工器；其中，所述体声波谐振器，包括：衬底；在所述衬底上的声反射单元；在所述声反射单元上的压电堆叠结构；以及；在所述压电堆叠结构上的焊盘；其中，所述体声波谐振器还包括在所述压电堆叠结构上、和/或在所述压电堆叠结构内的三维质量负载结构。本公开体声波谐振器及其制作方法、滤波器、双工器，工艺简单，成本较低，有利于性能优化。
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公开(公告)号：CN113644890A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202010346809.5
申请日：2020-04-27
Applicant: 开元通信技术(厦门)有限公司
Abstract: 本发明提供了一种射频滤波器及其制备方法，其中，所述射频滤波器的制备方法，包括：在基体上形成密封外墙和支撑电极；在载片上形成牺牲层，并在所述牺牲层上形成空腔密封外壳和键合电极；将所述密封外墙和支撑电极与所述键合电极键合连接；通过腐蚀所述牺牲层去除所述载片。本发明通过腐蚀牺牲层的方法剥离临时键合载片，由此可以无损去除保护性临时载片，使得载片可以重复使用，提高了载片的利用率，极大的降低了封装成本。
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公开(公告)号：CN112017974A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201910454084.9
申请日：2019-05-28
Applicant: 开元通信技术(厦门)有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/64 , H01L25/065
Abstract: 一种芯片封装结构及封装方法，结构包括：晶圆(1)，晶圆(1)中设置有凹槽(2)；第一金属线(3)，设置在凹槽(2)和晶圆(1)的表面；金属焊球(4)，设置在第一金属线(3)或芯片的金属pad上，用于将芯片的金属pad焊接至第一金属线(3)，以将芯片倒装至凹槽(2)中；第一塑封膜(5)，覆盖在晶圆(1)、芯片、第一金属线(3)的上表面，并进入芯片功能区四周与第一金属线(3)之间的缝隙中，以在晶圆(1)、凹槽(2)和芯片之间形成密闭空腔；电感结构(6)，设置在第一塑封膜(5)的上表面和/或晶圆(1)的下表面，并通过第一金属线(3)连接至芯片；焊盘(7)，设置在电感结构(6)上。
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公开(公告)号：CN111384907A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201811653727.4
申请日：2018-12-29
Applicant: 开元通信技术(厦门)有限公司
Abstract: 本公开提出了一种体声波谐振器及其制作方法、滤波器、双工器；其中，所述体声波谐振器，包括：衬底；在所述衬底上的声反射单元；在所述声反射单元上的压电堆叠结构；以及；在所述压电堆叠结构上的焊盘；其中，所述体声波谐振器还包括在所述压电堆叠结构上、和/或在所述压电堆叠结构内的三维质量负载结构。本公开体声波谐振器及其制作方法、滤波器、双工器，工艺简单，成本较低，有利于性能优化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111294011A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010191951.7
申请日：2020-03-18
Applicant: 开元通信技术(厦门)有限公司
Abstract: 本公开提供了一种固态装配型谐振器及其制备方法，该固态装配型谐振器包括：压电结构，压电结构包括：上电极层、下电极层和压电层，下电极层对应于压电结构的下方设置，下电极层包括：凸部，凸部对应于下电极层的下表面、向下凸出设置；压电层设置于下电极层的上表面上；上电极层设置于压电层的上表面上。凸部对应于形成于下电极层的下表面上，使得与压电层接触的下电极层的上表面可以形成平坦化表面，因此，压电层生长在平整的表面，更易于获得生长纹理较好的高c轴取向的晶体结构，以改善了压电层的压电性能，提升了谐振器的性能(例如Q值的提高)。
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公开(公告)号：CN119727658A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411884509.7
申请日：2024-12-19
Applicant: 开元通信技术(厦门)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种体声波谐振器及滤波器，应用于通信领域，其中顶部电极与压电层之间均设置有第一凸起结构和第二凸起结构；第一凸起结构围绕形成内侧的第一凸多边形区域，第二凸起结构围绕形成内侧的第二凸多边形区域，且第二凸起结构的内侧边界均位于第一凸起结构上，第二凸多边形区域的每条边内侧均包括预设宽度的第一凸起结构；对应第一凸起结构的内侧边界处的顶部电极的顶面，均高于对应第一凸多边形区域的顶部电极的顶面；对应第二凸起结构的内侧边界处的顶部电极的顶面，均高于对应第二凸多边形区域的外侧边界处的顶部电极的顶面。本发明利用设置的第二凸起结构，降低了第一凸起结构对体声波谐振器谐振频率以下的Q值的影响。
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公开(公告)号：CN117411453A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311355833.5
申请日：2023-10-19
Applicant: 开元通信技术(厦门)有限公司
Abstract: 本申请公开了一种薄膜体声波滤波器芯片的封装方法及封装结构，属于薄膜体声波滤波器领域，该方法包括：将晶圆切割成多个薄膜体声波滤波器芯片；薄膜体声波滤波器芯片的表面设置有薄膜结构；将薄膜体声波滤波器芯片倒装在载板上；对载板上的薄膜体声波滤波器芯片进行第一次封装，以包裹薄膜体声波滤波器芯片，得到薄膜体声波滤波器芯片的封装结构；将封装结构背离载板的表面减薄至目标厚度；对减薄后的封装结构背离载板的表面进行第二次封装，得到目标封装结构。本申请无需作业晶圆级封装，降低了前道工艺的难度和流程，降低了成本。先封装后减薄，降低了晶圆级减薄对性能的影响。作业料条级减薄，保证了整体厚度和表面平整的均一性。
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公开(公告)号：CN117375548A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311178160.0
申请日：2023-09-13
Applicant: 开元通信技术(厦门)有限公司
Abstract: 本公开提供了一种薄膜体声波滤波器制备方法及薄膜体声波滤波器，可以应用于半导体技术领域。该方法包括：提供一衬底，衬底包括空腔结构，空腔结构中填充有牺牲层材料，空腔结构通过释放结构连接衬底的表面；采用蒸镀法或溅射法，自牺牲层材料的表面向上依次形成下电极层、压电层、上电极层、钝化层和钝化层临时保护层；利用含有氢氟酸的溶液作为牺牲层去除液，通过释放结构对牺牲层材料进行化学腐蚀，以去除牺牲层材料；以及去除钝化层临时保护层，得到薄膜体声波滤波器。
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