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公开(公告)号：CN111732896B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202010078744.0
申请日：2020-02-03
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC: C09G1/02 , H01L21/3105 , B24B37/04
Abstract: 本文提供了浅沟槽隔离(STI)化学机械平面化(CMP)抛光组合物、其使用方法和系统。所述CMP抛光组合物包含二氧化铈涂覆的无机氧化物颗粒如二氧化铈涂覆的二氧化硅的磨料；和用于提供高氧化物膜去除速率的双重化学添加剂。所述双重化学添加剂包括在同一分子上具有负和正电荷的明胶化合物，和在同一分子中具有多个羟基官能团的非离子有机分子。
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公开(公告)号：CN111500197A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010078712.0
申请日：2020-02-03
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC: C09G1/02 , H01L21/306
Abstract: 因此，提供了浅沟槽隔离(STI)化学机械平面化(CMP)抛光组合物、其使用方法和系统。所述CMP抛光组合物包含二氧化铈涂覆的无机氧化物颗粒的磨料，例如二氧化铈涂覆的二氧化硅；和用于提供可调节的氧化物膜去除速率和可调节的SiN膜去除速率的双重化学添加剂。化学添加剂包括至少一种含氮芳族杂环化合物和具有至少一种多于一个羟基官能团的非离子有机分子。
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公开(公告)号：CN111117492A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911058969.3
申请日：2019-10-31
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC: C09G1/02 , H01L21/3105 , H01L21/762
Abstract: 本发明提供了用于浅沟槽隔离(STI)应用的化学机械平面化抛光(CMP)组合物。该CMP组合物包含二氧化铈涂覆的无机氧化物颗粒作为磨料，例如二氧化铈涂覆的二氧化硅颗粒；选自以下的化学添加剂：含有炔键和至少两个或多个具有末端羟基的乙氧基化物官能团的有机炔属分子、在同一分子中具有至少两个或多个羟基官能团的有机分子及其组合；水溶性溶剂；和任选地，杀生物剂和pH调节剂；其中所述组合物的pH为2至12，优选3至10，并且更优选4至9。
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公开(公告)号：CN115698207B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202180038648.6
申请日：2021-05-25
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC: C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/306 , H01L21/3105 , B24B1/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供浅槽隔离(STI)化学机械平面化(CMP)抛光组合物，其使用方法及系统。CMP抛光组合物包含二氧化铈涂覆的无机氧化物颗粒的磨料，如二氧化铈涂覆的二氧化硅；以及用于提供可调的氧化物膜去除速率和可调的SiN膜去除速率的双重化学添加剂；低氧化物沟槽凹陷和高氧化物：SiN选择性。双重化学添加剂包含(1)至少一种含硅氧烷化合物，其在同一分子上包含环氧乙烷和环氧丙烷(EO‑PO)基团中的至少一种，和取代的乙二胺基团中的至少一种；和(2)至少一种具有至少两个，优选至少四个羟基官能团的非离子有机分子。
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公开(公告)号：CN114634765B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202210351049.6
申请日：2019-07-01
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
Abstract: 本发明提供了化学机械平面化(CMP)抛光组合物、方法和系统以减少氧化物沟槽凹陷并改善过抛光窗口稳定性。还提供了高且可调的氧化硅去除速率、低的氮化硅去除速率和可调的SiO2:SiN选择性。该组合物使用磨料(如二氧化铈涂覆的二氧化硅颗粒)及化学添加剂如麦芽糖醇、乳糖醇、麦芽三醇或组合作为氧化物沟槽凹陷减少添加剂的独特组合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111732896A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010078744.0
申请日：2020-02-03
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC: C09G1/02 , H01L21/3105 , B24B37/04
Abstract: 本文提供了浅沟槽隔离(STI)化学机械平面化(CMP)抛光组合物、其使用方法和系统。所述CMP抛光组合物包含二氧化铈涂覆的无机氧化物颗粒如二氧化铈涂覆的二氧化硅的磨料；和用于提供高氧化物膜去除速率的双重化学添加剂。所述双重化学添加剂包括在同一分子上具有负和正电荷的明胶化合物，和在同一分子中具有多个羟基官能团的非离子有机分子。
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公开(公告)号：CN110655870A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910585893.3
申请日：2019-07-01
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC: C09G1/02 , H01L21/3105 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供了化学机械平面化(CMP)抛光组合物、方法和系统以减少氧化物沟槽凹陷并改善过抛光窗口稳定性。还提供了高且可调的氧化硅去除速率、低的氮化硅去除速率和可调的SiO2:SiN选择性。该组合物使用独特的化学添加剂，例如麦芽糖醇、乳糖醇、麦芽三醇、核糖醇、D-山梨糖醇、甘露醇、卫矛醇、艾杜糖醇、D-(-)-果糖、脱水山梨糖醇、蔗糖、核糖、肌醇、葡萄糖、D-阿拉伯糖、L-阿拉伯糖、D-甘露糖、L-甘露糖、内消旋赤藓糖醇、β-乳糖、阿拉伯糖或其组合作为氧化物沟槽凹陷减少添加剂。
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公开(公告)号：CN114787304B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202080086040.6
申请日：2020-10-21
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC: C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/762 , H01L21/3105 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了STI CMP抛光组合物、方法和系统，其通过使用作为磨料的二氧化铈无机氧化物颗粒(如二氧化铈涂覆的氧化硅颗粒)和聚(甲基丙烯酸)、其衍生物、其盐或其组合的氧化物沟槽凹陷减少添加剂的独特组合，在提供高且可调的氧化硅去除速率、低氮化硅去除速率和可调的高SiO2:SiN选择性之外，还显著降低氧化物沟槽凹陷和提高过抛光窗口稳定性。
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公开(公告)号：CN115785823A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211627339.5
申请日：2019-10-31
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC: C09G1/02 , H01L21/3105 , H01L21/762
Abstract: 本发明提供了用于浅沟槽隔离(STI)应用的化学机械平面化抛光(CMP)组合物。该CMP组合物包含二氧化铈涂覆的无机氧化物颗粒作为磨料，例如二氧化铈涂覆的二氧化硅颗粒；选自以下的化学添加剂：含有炔键和至少两个或多个具有末端羟基的乙氧基化物官能团的有机炔属分子、在同一分子中具有至少两个或多个羟基官能团的有机分子及其组合；水溶性溶剂；和任选地，杀生物剂和pH调节剂；其中所述组合物的pH为2至12，优选3至10，并且更优选4至9。
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公开(公告)号：CN111500197B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202010078712.0
申请日：2020-02-03
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC: C09G1/02 , H01L21/306
Abstract: 因此，提供了浅沟槽隔离(STI)化学机械平面化(CMP)抛光组合物、其使用方法和系统。所述CMP抛光组合物包含二氧化铈涂覆的无机氧化物颗粒的磨料，例如二氧化铈涂覆的二氧化硅；和用于提供可调节的氧化物膜去除速率和可调节的SiN膜去除速率的双重化学添加剂。化学添加剂包括至少一种含氮芳族杂环化合物和具有至少一种多于一个羟基官能团的非离子有机分子。
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