公开(公告)号：CN114787304B

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202080086040.6

申请日：2020-10-21

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司

Inventor： 史晓波 ,  J·D·罗斯 ,  周鸿君 ,  K·P·穆瑞拉 ,  M·L·内尔

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/762 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了STI CMP抛光组合物、方法和系统，其通过使用作为磨料的二氧化铈无机氧化物颗粒(如二氧化铈涂覆的氧化硅颗粒)和聚(甲基丙烯酸)、其衍生物、其盐或其组合的氧化物沟槽凹陷减少添加剂的独特组合，在提供高且可调的氧化硅去除速率、低氮化硅去除速率和可调的高SiO2:SiN选择性之外，还显著降低氧化物沟槽凹陷和提高过抛光窗口稳定性。

公开(公告)号：CN114787304A

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202080086040.6

申请日：2020-10-21

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司

Inventor： 史晓波 ,  J·D·罗斯 ,  周鸿君 ,  K·P·穆瑞拉 ,  M·L·内尔

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/762 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了STI CMP抛光组合物、方法和系统，其通过使用作为磨料的二氧化铈无机氧化物颗粒(如二氧化铈涂覆的氧化硅颗粒)和聚(甲基丙烯酸)、其衍生物、其盐或其组合的氧化物沟槽凹陷减少添加剂的独特组合，在提供高且可调的氧化硅去除速率、低氮化硅去除速率和可调的高SiO2:SiN选择性之外，还显著降低氧化物沟槽凹陷和提高过抛光窗口稳定性。