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公开(公告)号：CN102278981B
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201010200715.3
申请日：2010-06-11
Applicant: 张家港丽恒光微电子科技有限公司
IPC: G01C19/567
CPC classification number: G01C19/04 , G01C19/5712 , Y10T74/1282 , Y10T74/1296
Abstract: 本发明提供了一种陀螺仪及其制造方法，该陀螺仪包括：衬底，衬底内具有底层驱动电极和位于底层驱动电极外围的底层测量电极；位于衬底上的介质层，在介质层中具有封闭的空腔；所述空腔内包括：位于衬底上的中心轴；置于衬底上且能围绕中心轴旋转的支撑环；位于支撑环外围且与支撑环共中心轴的质量环；连接支撑环和质量环且支撑所述质量环悬置于所述空腔内的悬臂；位于支撑环、质量环和相邻两悬壁之间区域内的弹性部件；覆盖支撑环、质量环、悬臂和弹性部件的顶层驱动电极；连接弹性部件上顶层驱动电极与底层驱动电极的导电插塞；所述质量环包括绝缘层及位于绝缘层下的重量层。该陀螺仪的稳定性和性能得到较大提高。
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公开(公告)号：CN103373698B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201210126539.2
申请日：2012-04-26
Applicant: 张家港丽恒光微电子科技有限公司
CPC classification number: B81C1/00134 , B81B3/0018 , B81B2201/025 , B81C1/00293 , B81C2203/0145 , G01C19/5783 , G01P15/125
Abstract: 本发明提供了一种制作MEMS惯性传感器的方法及MEMS惯性传感器，包括步骤：在半导体基底上淀积第一碳层作为牺牲层；图案化第一碳层，形成固定锚栓，惯性锚栓和底部密封环；形成固定锚栓中的接触插塞和惯性锚栓中的接触插塞；在所述第一碳层和固定锚栓、惯性锚栓上形成第一固定电极、惯性电极以及与惯性电极相连的连接电极，所述第一固定电极和惯性电极构成一对电容；在所述第一固定电极和惯性电极上形成第二碳层作为覆盖层；在所述第二碳层和顶部密封环上形成顶盖层。本发明的惯性传感器在惯性力的作用下只有惯性电极移动，固定电极不会移动和震动，从而提高了惯性传感器的精确度。
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公开(公告)号：CN102198925B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201010135707.5
申请日：2010-03-25
Applicant: 张家港丽恒光微电子科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/28 , B81B7/02 , B81C1/00
CPC classification number: H01L29/7722 , H01L21/28176 , H01L29/51 , H01L29/66477 , H01L29/66545 , H01L29/66606 , H01L29/78
Abstract: 一种MEMS器件及其形成方法，其中MEMS器件包括：半导体衬底；形成在半导体衬底内的阱区；形成在阱区内的源极区、漏极区和沟道区；形成在源极区、漏极区表面的隔离层；形成在沟道区表面的栅介质层；形成在栅介质层上方并与栅介质层具有间隙的栅电极层，所述间隙宽度与沟道区对应。本发明提供MEMS器件的形成方法与传统半导体形成工艺兼容，不需要重新研发新型材料和新的制备工艺，制备的MEMS器件耐压性能高，栅电极漏电流低。
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公开(公告)号：CN102275860B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201010200713.4
申请日：2010-06-11
Applicant: 张家港丽恒光微电子科技有限公司
IPC: B81B7/02 , B81C1/00 , G01P15/125 , G01D5/241 , G01C19/00
CPC classification number: G01P15/08 , B81B3/0078 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , G01C19/5733 , G01C25/00 , G01P15/0802 , G01P15/125 , G01P15/18 , G01P2015/0854 , H01L29/84
Abstract: 本发明提供了一种惯性微机电传感器及其制造方法，该惯性微机电传感器，能够相对移动的主体和质量块，所述主体包括具有第一表面的第一主体和垂直并连接所述第一表面的第二主体，所述第一主体内具有平行于所述第一表面的第一电极，所述第二主体内具有垂直于所述第一表面的第二电极；所述质量块悬置在所述第二主体和第一主体形成的空间内，所述质量块包括平行且相对于所述第一表面的第三电极、垂直于所述第一表面的第四电极和质量层，所述第三电极和第四电极相连并构成U型凹槽，所述质量层填充于所述U型凹槽内，可以有效地提高惯性质量块的重量，提高惯性微机电传感器的精确度，并降低制造成本。
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公开(公告)号：CN103373698A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201210126539.2
申请日：2012-04-26
Applicant: 张家港丽恒光微电子科技有限公司
CPC classification number: B81C1/00134 , B81B3/0018 , B81B2201/025 , B81C1/00293 , B81C2203/0145 , G01C19/5783 , G01P15/125
Abstract: 本发明提供了一种制作MEMS惯性传感器的方法及MEMS惯性传感器，包括步骤：在半导体基底上淀积第一碳层作为牺牲层；图案化第一碳层，形成固定锚栓，惯性锚栓和底部密封环；形成固定锚栓中的接触插塞和惯性锚栓中的接触插塞；在所述第一碳层和固定锚栓、惯性锚栓上形成第一固定电极、惯性电极以及与惯性电极相连的连接电极，所述第一固定电极和惯性电极构成一对电容；在所述第一固定电极和惯性电极上形成第二碳层作为覆盖层；在所述第二碳层和顶部密封环上形成顶盖层。本发明的惯性传感器在惯性力的作用下只有惯性电极移动，固定电极不会移动和震动，从而提高了惯性传感器的精确度。
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