公开(公告)号：CN107946295B

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN201710944360.0

申请日：2017-10-12

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： S·金 ,  D·莱弗提斯 ,  S·斯瑞达 ,  S·彭德哈卡

IPC: H01L27/02

Abstract: 本公开涉及一种静电放电(ESD)保护结构，其可向一个或多个高电压电路部件提供快速恢复保护。ESD保护结构可以沿着高电压电路(202)的周边区域(204)诸如驱动器电路的高侧栅极驱动器集成。ESD保护结构包括与高电压装置的PN结(359)接合的双极晶体管结构(350)，该双极晶体管结构(350)被配置为在ESD事件期间将ESD电流放电。双极晶体管结构具有与PN结重叠的集电极区域(361)、嵌入足够的夹持电阻以发动快速恢复保护的基极区域(373)以及用于将ESD电流放电的发射极区域(354)。

公开(公告)号：CN105470217B

公开(公告)日：2019-08-27

申请号：CN201510626500.0

申请日：2015-09-28

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： A·维诺戈帕 ,  M·丹尼森 ,  L·哥伦布 ,  S·彭德哈卡

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明涉及用于BEOL热管理的散热器的集成。一种微电子装置(100)，包括组件(104)的电极(114)和电极(116)上的散热器层(118)和散热器层(120)以及散热器层(118)和散热器层(120)上的金属互连件(122)和金属互连件(124)。散热器层(118)和散热器层(120)被布置在半导体装置(100)的基板(102)的顶表面上方。散热器层(118)和散热器层(120)的厚度为100纳米至3微米，具有至少150瓦/(米·开尔文)的面向热导率以及小于100微欧姆·厘米的电阻率。

公开(公告)号：CN107946295A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201710944360.0

申请日：2017-10-12

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： S·金 ,  D·莱弗提斯 ,  S·斯瑞达 ,  S·彭德哈卡

IPC: H01L27/02

Abstract: 本公开涉及一种静电放电(ESD)保护结构，其可向一个或多个高电压电路部件提供快速恢复保护。ESD保护结构可以沿着高电压电路(202)的周边区域(204)诸如驱动器电路的高侧栅极驱动器集成。ESD保护结构包括与高电压装置的PN结(359)接合的双极晶体管结构(350)，该双极晶体管结构(350)被配置为在ESD事件期间将ESD电流放电。双极晶体管结构具有与PN结重叠的集电极区域(361)、嵌入足够的夹持电阻以发动快速恢复保护的基极区域(373)以及用于将ESD电流放电的发射极区域(354)。

公开(公告)号：CN107785486A

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201710722250.X

申请日：2017-08-22

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： H·卡瓦哈勒 ,  B·胡 ,  S·彭德哈卡

IPC: H01L49/02

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L21/283 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/535 ,  H01L28/40

Abstract: 本申请涉及一种沟槽隔离电容器，其中公开一种集成沟槽电容器(图9A)和用于制作该沟槽电容器的方法(图11A)。该方法包括：在硅层(106)中形成(1105)沟槽(102)，在沟槽的裸露表面上形成(1110)第一电介质(110)，执行(1115)第一电介质的各向异性蚀刻以露出沟槽底部处的硅，将掺杂剂(112)注入(1120)到沟槽底部处裸露的硅中，在第一电介质上方形成(1125)第一多晶硅层(116)，在第一多晶硅层上方形成(1130)第二电介质(118)，以及在第二电介质上方形成(1135)第二多晶硅层(120)以填充沟槽。

公开(公告)号：CN105470217A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201510626500.0

申请日：2015-09-28

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： A·维诺戈帕 ,  M·丹尼森 ,  L·哥伦布 ,  S·彭德哈卡

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明涉及用于BEOL热管理的散热器的集成。一种微电子装置(100)，包括组件(104)的电极(114)和电极(116)上的散热器层(118)和散热器层(120)以及散热器层(118)和散热器层(120)上的金属互连件(122)和金属互连件(124)。散热器层(118)和散热器层(120)被布置在半导体装置(100)的基板(102)的顶表面上方。散热器层(118)和散热器层(120)的厚度为100纳米至3微米，具有至少150瓦/(米·开尔文)的面向热导率以及小于100微欧姆·厘米的电阻率。