公开(公告)号：CN119920785A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202411473549.2

申请日：2024-10-22

Applicant: 德州仪器公司

Inventor： J·A·M·普洛曼特斯 ,  J·S·索拉斯

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

Abstract: 本申请涉及夹片封装中的电介质填充的键合焊盘。一种封装(104)包括：半导体管芯(110)，其包含装置侧(111)，所述装置侧中形成有电路系统；以及第一金属构件(118)，其处于所述管芯的所述装置侧上并且具有背对所述管芯的顶表面(123)。所述第一金属构件包含一组介电构件(120)，所述一组介电构件中的每个介电构件至少部分地延伸穿过所述第一金属构件的厚度。所述封装还包括焊接材料(122)，所述焊接材料接触所述第一金属构件的所述顶表面和所述一组介电构件中的所述介电构件的顶表面(125)。所述封装还包含第二金属构件(124)，所述第二金属构件耦合到所述焊接材料以及所述封装的导电端子(109)，所述导电端子暴露于所述封装的外部。

公开(公告)号：CN119920769A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202411474583.1

申请日：2024-10-22

Applicant: 德州仪器公司

Inventor： J·奥斯特里亚 ,  R·F·德阿西斯 ,  J·S·索拉斯

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L23/49 ,  H01L23/498 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L21/48

Abstract: 本申请的实施例涉及纳米孪晶铜结构上的直接铜线键合。一种封装(104)包括半导体管芯(110)，所述半导体管芯包含装置侧(111)，所述装置侧中形成有电路系统。所述封装包含：金属构件(114)，其耦合到所述装置侧；以及纳米孪晶铜构件(118)，其具有耦合到所述金属构件的底表面，所述纳米孪晶铜构件包括将具有第一晶粒结构的第一区与具有第二晶粒结构的第二区分开的孪晶边界。所述封装还包括直接耦合到所述纳米孪晶铜构件的顶表面的线键合件(120)，所述线键合件接触所述纳米孪晶铜构件的多个区。所述封装还包括覆盖所述管芯、所述金属构件、所述纳米孪晶铜构件和所述线键合件的模塑料(126)。