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公开(公告)号：CN104916668B
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201510101368.1
申请日：2015-03-06
Applicant: 恩智浦有限公司
Inventor： 约翰内斯·J·T·M·唐克尔 , 维特·桑迪·恩 , 托尼·范胡克 , 埃弗利娜·格里德莱特 , 安可·赫琳哈 , 迪克·克拉森
IPC: H01L29/73 , H01L29/737 , H01L21/331
Abstract: 本公开涉及双极晶体管器件和制造所述双极晶体管器件的方法。所述器件包括场板，所述场板位于与所述有源区域的基极‑集电极结相邻的隔离区域中。所述隔离区域包括栅极端子，所述栅极端子被布置为独立于所述晶体管的集电极、基极或发射极端子进行偏压。
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公开(公告)号：CN104810334A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201410602233.9
申请日：2014-10-31
Applicant: 恩智浦有限公司
IPC: H01L23/367
CPC classification number: H01L27/1203 , H01L23/3677 , H01L27/0211 , H01L29/0653 , H01L29/0696 , H01L29/7824 , H01L2924/0002 , H05K7/20 , H01L2924/00
Abstract: 在具有多个元胞的SOI功率器件中引入集成的散热器阵列，其可用于减小温度的升高，以在器件区域的所有元胞之间得到更为均匀的温度峰值，从而避免出现易于导致击穿的热点的出现，因此能够改善器件的安全工作区域。另外，该阵列还消耗较少的器件面积，并具有较低的Rdson。
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公开(公告)号：CN105140272A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510312432.0
申请日：2015-06-09
Applicant: 恩智浦有限公司
Inventor： 皮特·杰勒德·斯蒂内肯 , 安可·赫琳哈 , 拉杜·苏尔代亚努 , 鲁克·范戴克 , 亨德里克·约翰内斯·伯格维德
IPC: H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/0634 , H01L29/0649 , H01L29/41758 , H01L29/42356 , H01L29/4238 , H02M3/00 , H02M5/00 , H02M7/537 , H03K17/687 , H01L29/4232 , H01L21/28 , H01L29/7831
Abstract: 一种包括超结晶体管的装置和方法。本公开的方面涉及包括交替交错的第一半导体材料的至少两个区域和第二半导体材料的至少两个区域的装置、方法和系统。附加地，装置、方法和系统包括作为源极和漏极操作的第一电极和第二电极。装置、方法和系统还包括具有第一半导体材料上的多个部分的第一栅极和具有第二半导体材料上的多个部分的第二栅极，其对第一电极和第二电极之间的电流进行双向地控制。
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公开(公告)号：CN104810334B
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201410602233.9
申请日：2014-10-31
Applicant: 恩智浦有限公司
IPC: H01L23/367
CPC classification number: H01L27/1203 , H01L23/3677 , H01L27/0211 , H01L29/0653 , H01L29/0696 , H01L29/7824 , H01L2924/0002 , H05K7/20 , H01L2924/00
Abstract: 在具有多个元胞的SOI功率器件中引入集成的散热器阵列，其可用于减小温度的升高，以在器件区域的所有元胞之间得到更为均匀的温度峰值，从而避免出现易于导致击穿的热点的出现，因此能够改善器件的安全工作区域。另外，该阵列还消耗较少的器件面积，并具有较低的Rdson。
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公开(公告)号：CN105336788A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201510462961.9
申请日：2015-07-31
Applicant: 恩智浦有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L27/06
CPC classification number: H03K5/2472 , H01L23/5226 , H01L23/53271 , H01L29/0642 , H01L29/0653 , H01L29/0865 , H01L29/0882 , H01L29/404 , H01L29/45 , H01L29/7816 , H01L29/7831 , H01L29/7833 , H01L29/7836 , H01L2924/0002 , H03K17/6871 , H01L2924/00 , H01L29/78 , H01L27/06 , H01L29/423
Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底具有第一端子区、第二端子区、从第一端子区向第二端子区延伸的第一延伸区、从第二端子区向第一端子区延伸的第二延伸区、第一和第二延伸区之间的沟道区；栅极导体，上覆于衬底的沟道区，所述栅极导体被配置为控制沟道区的导通；第一控制导体，上覆于第一延伸区的至少一部分，所述第一控制导体被配置为控制第一延伸区的导通；以及第二控制导体，上覆于第二延伸区的至少一部分，第二控制导体被配置为控制第二延伸区的导通，其中在所述半导体器件中，第一和第二控制导体与栅极导体电隔离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104681599B
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201410645155.0
申请日：2014-11-10
Applicant: 恩智浦有限公司
CPC classification number: H01L29/7371 , H01L29/0607 , H01L29/0649 , H01L29/0653 , H01L29/165 , H01L29/735 , H01L29/7378 , H01L29/7809 , H01L29/7835
Abstract: 本发明公开了一种晶体管(100、200、300)，具有第一导电类型的第一区域(120、320)和第一导电类型的横向延伸的第二区域(140、340)，横向延伸的第二区域具有包括用于从晶体管排出电荷载流子的接触端子(145、345)的部分(142、342)，第一区域通过第二导电类型的中间区域(130、330)与第二区域分隔开，中间区域限定了与第一区域的第一p‑n结以及与第二区域的第二p‑n结，其中横向延伸的区域将所述部分与所述第二p‑n结分隔开，晶体管还包括：衬底(110)，具有第二导电类型的掺杂区域(112)，所述掺杂区域与所述横向延伸的第二区域接触并且沿着所述横向延伸的第二区域延伸；以及另一接触端子(115)，用于从所述横向延伸的第二区域排出少数电荷载流子。
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公开(公告)号：CN105140272B
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201510312432.0
申请日：2015-06-09
Applicant: 恩智浦有限公司
Inventor： 皮特·杰勒德·斯蒂内肯 , 安可·赫琳哈 , 拉杜·苏尔代亚努 , 鲁克·范戴克 , 亨德里克·约翰内斯·伯格维德
IPC: H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/0634 , H01L29/0649 , H01L29/41758 , H01L29/42356 , H01L29/4238 , H02M3/00 , H02M5/00 , H02M7/537 , H03K17/687
Abstract: 一种包括超结晶体管的装置和方法。本公开的方面涉及包括交替交错的第一半导体材料的至少两个区域和第二半导体材料的至少两个区域的装置、方法和系统。附加地，装置、方法和系统包括作为源极和漏极操作的第一电极和第二电极。装置、方法和系统还包括具有第一半导体材料上的多个部分的第一栅极和具有第二半导体材料上的多个部分的第二栅极，其对第一电极和第二电极之间的电流进行双向地控制。
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公开(公告)号：CN104916668A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510101368.1
申请日：2015-03-06
Applicant: 恩智浦有限公司
Inventor： 约翰内斯·J·T·M·唐克尔 , 维特·桑迪·恩 , 托尼·范胡克 , 埃弗利娜·格里德莱特 , 安可·赫琳哈 , 迪克·克拉森
IPC: H01L29/73 , H01L29/737 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/737 , H01L29/0649 , H01L29/205 , H01L29/407 , H01L29/66242 , H01L29/6625 , H01L29/735 , H01L29/7378
Abstract: 本公开涉及双极晶体管器件和制造所述双极晶体管器件的方法。所述器件包括场板，所述场板位于与所述有源区域的基极-集电极结相邻的隔离区域中。所述隔离区域包括栅极端子，所述栅极端子被布置为独立于所述晶体管的集电极、基极或发射极端子进行偏压。
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公开(公告)号：CN104681599A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201410645155.0
申请日：2014-11-10
Applicant: 恩智浦有限公司
CPC classification number: H01L29/7371 , H01L29/0607 , H01L29/0649 , H01L29/0653 , H01L29/165 , H01L29/735 , H01L29/7378 , H01L29/7809 , H01L29/7835
Abstract: 本发明公开了一种晶体管(100、200、300)，具有第一导电类型的第一区域(120、320)和第一导电类型的横向延伸的第二区域(140、340)，横向延伸的第二区域具有包括用于从晶体管排出电荷载流子的接触端子(145、345)的部分(142、342)，第一区域通过第二导电类型的中间区域(130、330)与第二区域分隔开，中间区域限定了与第一区域的第一p-n结以及与第二区域的第二p-n结，其中横向延伸的区域将所述部分与所述第二p-n结分隔开，晶体管还包括：衬底(110)，具有第二导电类型的掺杂区域(112)，所述掺杂区域与所述横向延伸的第二区域接触并且沿着所述横向延伸的第二区域延伸；以及另一接触端子(115)，用于从所述横向延伸的第二区域排出少数电荷载流子。
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公开(公告)号：CN104637989A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201410610444.7
申请日：2014-11-03
Applicant: 恩智浦有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/78
CPC classification number: H01L25/072 , H01L23/3677 , H01L27/0211 , H01L27/1203 , H01L29/0653 , H01L29/0696 , H01L29/7824 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提出了一种半导体器件。在具有多个元胞的SOI功率器件中引入集成的散热器阵列，其可用于减小温度的升高，以在器件区域的所有元胞之间得到更为均匀的温度峰值，从而避免出现易于导致击穿的热点的出现，因此能够改善器件的安全工作区域。另外，该阵列还消耗较少的器件面积，并具有较低的Rdson。
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