公开(公告)号：CN108417634B

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN201810109135.X

申请日：2018-02-02

Applicant: 恩智浦有限公司

Inventor： 马哈茂德·谢哈布·穆罕默德·阿尔沙蒂 ,  帕图斯·胡贝图斯·柯奈利斯·马尼 ,  约翰内斯·J·T·M·唐克尔

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 一种制造半导体开关装置的方法。该方法包括提供具有主表面和第一半导体区的半导体衬底，该第一半导体区具有邻近于该主表面定位的第一导电类型。该方法还包括在该主表面上沉积栅极介电质。该方法另外包括穿过位于该第一半导体区上方的光罩将离子注入到该第一半导体区中，由此形成位于该第一半导体区中的阱区。该阱区具有不同于该第一导电类型的第二导电类型。该方法还包括在该栅极介电质上沉积并图案化栅极电极材料以形成位于该阱区正上方的栅极电极。该方法另外包括将离子注入到该第一半导体区域中以在该栅极电极的两侧上形成该半导体开关装置的源极区和漏极区。

公开(公告)号：CN105322006B

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201510303315.8

申请日：2015-06-04

Applicant: 恩智浦有限公司

Inventor： 雷德弗里德勒·阿德里安斯·玛利亚·胡尔克 ,  斯 ,  杰伦·安东·克龙 ,  约翰内斯·J·T·M·唐克尔 ,  斯蒂凡·巴斯蒂安·西蒙·海尔 ,  简·雄斯基

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/872 ,  H01L29/06

Abstract: 异质结半导体器件，包括：衬底；布置在衬底上的多层结构，所述多层结构包括：第一层，包括布置在衬底上方的第一半导体；第二层，包括布置在第一层上方以限定第一层与第二层之间的界面的第二半导体，其中第二半导体与第一半导体不同，使得在界面附近形成二维电子气；第一端子，电耦合到第一层与第二层之间界面的第一区域；第二端子，电耦合到第一层与第二层之间界面的第二区域；以及导电沟道，包括金属或所述第一层的区域，所述区域比所述第一层的其它区域具有更高的缺陷密度，其中导电沟道将第二端子与第一层的区域连接，使得电荷能够在第二端子和第一层之间流动。

公开(公告)号：CN104916668B

公开(公告)日：2018-11-27

申请号：CN201510101368.1

申请日：2015-03-06

Applicant: 恩智浦有限公司

Inventor： 约翰内斯·J·T·M·唐克尔 ,  维特·桑迪·恩 ,  托尼·范胡克 ,  埃弗利娜·格里德莱特 ,  安可·赫琳哈 ,  迪克·克拉森

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/737 ,  H01L21/331

Abstract: 本公开涉及双极晶体管器件和制造所述双极晶体管器件的方法。所述器件包括场板，所述场板位于与所述有源区域的基极‑集电极结相邻的隔离区域中。所述隔离区域包括栅极端子，所述栅极端子被布置为独立于所述晶体管的集电极、基极或发射极端子进行偏压。

公开(公告)号：CN105097900A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510178296.0

申请日：2015-04-15

Applicant: 恩智浦有限公司

Inventor： 约翰内斯·J·T·M·唐克尔 ,  斯蒂凡·巴斯蒂安·西蒙·海尔 ,  乔斯·安德斯帝格

IPC: H01L29/47 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/28581 ,  H01L21/283 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/47 ,  H01L29/475 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01074

Abstract: 半导体器件包括在衬底上的至少一个有源层，以及到该至少一个有源层的肖特基接触，肖特基接触包括至少为钛和氮的主体，主体与至少一个有源层电性耦合。

公开(公告)号：CN117423618A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202310729772.8

申请日：2023-06-19

Applicant: 恩智浦有限公司

Inventor： 柳博·拉迪克 ,  约翰内斯·J·T·M·唐克尔 ,  贝恩哈德·格罗特

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/737 ,  H01L29/06

Abstract: 一种半导体装置，例如异质结双极晶体管(HBT)，可包括非本征基极区，所述非本征基极区通过形成于插入在所述非本征基极区与所述集电极区之间的一个或多个电介质层中的开口中的半导体材料连接到集电极区。所述非本征基极区可通过选择性外延生长由例如硅或硅锗之类的单晶半导体材料形成。本征基极区可邻近于所述非本征基极区形成，并且可直接插入在所述集电极区与本征发射极区之间。与一些常规HBT相比，具有这种布置的HBT可具有减小的基极‑集电极电容和减小的基极电阻。

公开(公告)号：CN105322006A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510303315.8

申请日：2015-06-04

Applicant: 恩智浦有限公司

Inventor： 雷德弗里德勒·阿德里安斯·玛利亚·胡尔克斯 ,  杰伦·安东·克龙 ,  约翰内斯·J·T·M·唐克尔 ,  斯蒂凡·巴斯蒂安·西蒙·海尔 ,  简·雄斯基

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/872 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/32 ,  H01L29/36 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872 ,  H01L29/0684

Abstract: 异质结半导体器件，包括：衬底；布置在衬底上的多层结构，所述多层结构包括：第一层，包括布置在衬底上方的第一半导体；第二层，包括布置在第一层上方以限定第一层与第二层之间的界面的第二半导体，其中第二半导体与第一半导体不同，使得在界面附近形成二维电子气；第一端子，电耦合到第一层与第二层之间界面的第一区域；第二端子，电耦合到第一层与第二层之间界面的第二区域；以及导电沟道，包括金属或所述第一层的区域，所述区域比所述第一层的其它区域具有更高的缺陷密度，其中导电沟道将第二端子与第一层的区域连接，使得电荷能够在第二端子和第一层之间流动。

公开(公告)号：CN104835855A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201510013279.1

申请日：2015-01-12

Applicant: 恩智浦有限公司

Inventor： 约翰内斯·J·T·M·唐克尔 ,  霍德弗里德斯·A·M·胡尔克斯 ,  斯蒂凡·巴斯蒂安·西蒙·海尔 ,  迈克尔·安东尼·阿曼德·因赞特

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/267 ,  H01L29/405 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种异质结半导体器件(200)包括衬底(202)和设置在衬底上的多层结构。多层结构包括第一层(204)和第二层(206)；第一层包括设置在衬底上的第一半导体；第二层包括设置在第一层上的第二半导体，以在第一层和第二层之间定义界面。第二半导体与第一半导体不同，从而在界面附近形成二维电子气(220)。多层结构还包括钝化层，其包括设置在第二层上的半导体钝化层(208)。异质结半导体器件还包括第一端(210)和第二端(212)，第一端电耦合到异质结半导体器件的第一区域；第二端电耦合到异质结半导体器件的第二区域。第二端(212)电耦合到半导体钝化层，从而电荷可以从半导体钝化层(208)流入第二端(212)。

公开(公告)号：CN118213394A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202311721846.X

申请日：2023-12-14

Applicant: 恩智浦有限公司

Inventor： 杰伊·保罗·约翰 ,  詹姆斯·艾伯特·基希格斯纳 ,  约翰内斯·J·T·M·唐克尔 ,  柳博·拉迪克

IPC: H01L29/737 ,  H01L21/331

Abstract: 一种半导体装置包括半导体衬底、集电极区以及本征基极区，所述集电极区具有第一宽度、形成在所述半导体衬底内，所述本征基极区具有第二宽度、安置在所述集电极区上方，其中所述第一宽度大于所述第二宽度。具有上部表面的非本征基极区形成在所述集电极区上方并且电耦合到所述本征基极区，其中所述非本征基极区包括耦合到所述本征基极区的单晶区和耦合到所述单晶区的多晶区。发射极区形成在所述基极区上方。

公开(公告)号：CN113013225A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202011482376.2

申请日：2020-12-15

Applicant: 恩智浦有限公司

Inventor： 托尼·范胡克 ,  马哈茂德·谢哈布·穆罕默德·阿尔沙蒂 ,  约翰内斯·J·T·M·唐克尔 ,  让·威廉·斯伦特伯

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/868 ,  H03K17/74

Abstract: 一种半导体装置的实施例可以包括：半导体衬底；第一半导体区，所述第一半导体区形成于所述半导体衬底内，包括具有第一极性的第一材料；以及第二半导体区，所述第二半导体区形成于所述半导体衬底内且耦合到所述第一半导体区，包括具有第二极性的所述第一材料。在实施例中，半导体装置还可以包括：耦合到所述第一半导体区的第一电极、耦合到所述第二半导体区的第二电极，以及形成于所述第一半导体区与所述第二半导体区之间的耗尽区。所述耗尽区可以包括混晶区，所述混晶区包括所述第一材料和第二材料的混晶合金，其中所述混晶区的带隙能量比所述第一材料的带隙能量低。

公开(公告)号：CN107017304A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201710040199.4

申请日：2017-01-18

Applicant: 恩智浦有限公司

Inventor： 马哈茂德·谢哈布·穆罕默德·阿尔沙蒂 ,  约翰内斯·J·T·M·唐克尔 ,  帕图斯·胡贝图斯·柯奈利斯·马尼 ,  伊戈尔·布鲁内斯 ,  阿努拉格·沃赫拉 ,  让·威廉·斯伦特伯

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1095 ,  H01L21/823437 ,  H01L27/0222 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/66568 ,  H01L29/78 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/66477

Abstract: 本发明提供一种用于切换射频信号的半导体切换装置以及一种制造该半导体切换装置的方法。该装置包括具有第一导电性类型的第一半导体区域。该装置还包括位于第一半导体区域中的源极区域和漏极区域。源极区域和漏极区域具有第二导电性类型。第二导电性类型不同于第一导电性类型。该装置另外包括分离源极区域与漏极区域的栅极。该装置还包括具有第二导电性类型的至少一个沉降区域。每个沉降区域可连接到外部电势以用于吸引少数载流子远离源极区域和漏极区域以减少在源极区域和漏极区域与第一半导体区域之间的接合点处的泄漏电流。