公开(公告)号：CN117202772A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202310437914.3

申请日：2023-04-21

Applicant: 恩智浦美国有限公司

Inventor： 祝荣华 ,  简·克拉斯 ,  程序 ,  林欣 ,  何剑华 ,  托德·罗根鲍尔 ,  詹姆斯·戈登·博伊德

IPC: H10N97/00

Abstract: 在一个实施例中，一种半导体管芯包括多晶半导体电阻器结构(多晶硅电阻器结构)。所述多晶硅电阻器结构包括处于第一端与第二端之间的电阻路径。所述多晶硅电阻器结构包括具有位于所述电阻路径中的净第一导电类型掺杂剂浓度的第一区和具有位于所述电阻路径中的净第二导电类型掺杂剂浓度的第二区。硅化物结构位于所述第一区的第一部分和所述第二区的第一部分两者上以电连接所述第一区的所述第一部分与所述第二区的所述第一部分。在一些实施例中，具有不同导电类型区的多晶硅电阻器结构可连接在一起。

公开(公告)号：CN113113423A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202110045672.4

申请日：2021-01-13

Applicant: 恩智浦美国有限公司

Inventor： 詹姆斯·戈登·博伊德 ,  张志宏 ,  祝荣华

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/762

Abstract: 一种设备包括形成于半导体层中的第一沟槽。所述第一沟槽具有第一宽度和第一深度。第二沟槽形成于所述半导体层中。所述第二沟槽具有第二宽度和第二深度。所述第一宽度比所述第二宽度宽。掩埋电介质层安置于所述半导体层的底部半导体表面与衬底之间。所述掩埋电介质层接触所述第一沟槽的第一底部表面。内衬电介质形成于所述第一沟槽的所述第一底部表面和第一侧壁上。第一层形成于所述内衬电介质上。第二层形成于所述第一层上且穿过形成于所述第一底部表面上的开口延伸到所述衬底。