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公开(公告)号：CN109560137A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811112069.8
申请日：2018-09-25
Applicant: 恩智浦美国有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/40
Abstract: 本公开涉及场效应晶体管及其方法。一种晶体管包括在半导体衬底中形成的沟槽。在所述沟槽中形成栅电极，其中所述栅电极的第一边缘接近所述沟槽的第一侧壁。在所述沟槽中形成第一场板，其中所述第一场板位于所述栅电极的第二边缘与所述沟槽的第二侧壁之间。在所述沟槽中形成介电材料，其中所述介电材料具有介于所述第一侧壁与所述第一场板的第一边缘之间的第一厚度，以及介于所述第二侧壁与所述第一场板的第二边缘之间的第二厚度，所述第二厚度大于所述第一厚度。
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公开(公告)号：CN109560139B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN201811120582.1
申请日：2018-09-25
Applicant: 恩智浦美国有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/40 , H01L21/336
Abstract: 本公开涉及场效应晶体管及其方法。一种晶体管包括在半导体衬底中形成的沟槽，所述沟槽具有第一侧壁和第二侧壁。在所述沟槽中形成竖直场板，并且所述竖直场板位于所述第一侧壁与所述第二侧壁之间。在所述沟槽中形成栅电极，其中所述栅电极的第一边缘接近所述第一侧壁，并且所述栅电极的第二边缘接近所述竖直场板。在所述沟槽中形成第一介电材料，所述第一介电材料介于所述第一侧壁与所述竖直场板之间。在所述沟槽中形成第二介电材料，所述第二介电材料介于所述竖直场板与所述第二侧壁之间，其中所述第二介电材料的介电常数低于所述第一介电材料的介电常数。
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公开(公告)号：CN109560137B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN201811112069.8
申请日：2018-09-25
Applicant: 恩智浦美国有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/40
Abstract: 本公开涉及场效应晶体管及其方法。一种晶体管包括在半导体衬底中形成的沟槽。在所述沟槽中形成栅电极，其中所述栅电极的第一边缘接近所述沟槽的第一侧壁。在所述沟槽中形成第一场板，其中所述第一场板位于所述栅电极的第二边缘与所述沟槽的第二侧壁之间。在所述沟槽中形成介电材料，其中所述介电材料具有介于所述第一侧壁与所述第一场板的第一边缘之间的第一厚度，以及介于所述第二侧壁与所述第一场板的第二边缘之间的第二厚度，所述第二厚度大于所述第一厚度。
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公开(公告)号：CN110783334B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN201910673915.1
申请日：2019-07-25
Applicant: 恩智浦美国有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及具有漏极有源区域的半导体装置。一种半导体装置包括晶体管的漏极区、直接处于漏极区下方的漏极有源区域、直接处于隔离结构下方的漂移区域以及直接处于晶体管的栅极结构下方的积聚区域。半导体装置包括第一导电类型的、第一浓度的第一选择性掺杂植入物区，第一选择性掺杂植入物区延伸到第一深度。第一选择性掺杂植入物区位于漂移区域、漏极有源区域和积聚区域中。半导体装置包括第一导电类型的、第二浓度的第二选择性掺杂植入物区，第二选择性掺杂植入物区延伸到小于第一深度的第二深度。第二浓度小于第一浓度。第二选择性掺杂植入物区位于漏极有源区域中，但不在积聚区域中。第二选择性掺杂植入物区占据第一掺杂区不占据的漏极有源区域的侧向部分。
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公开(公告)号：CN110265478B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN201910169405.0
申请日：2019-03-07
Applicant: 恩智浦美国有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/40 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本公开涉及具有场板结构的晶体管沟槽结构。一种沟槽结构正侧向定位在第一晶体管的第一阱和第一源极区与第二阱区之间，其中第二源极用于第二晶体管。所述沟槽结构包括所述第一晶体管的第一栅极结构、所述第二晶体管的第二栅极结构、第一导电场板结构和第二导电场板结构。所述第一栅极结构、所述第一场板结构、所述第二场板结构和所述第二栅极结构在所述沟槽结构中定位于所述第一阱区与所述第二阱区之间的侧向线中。所述沟槽结构包括在所述侧向线中将所述第一场板结构与所述第二场板结构彼此分离的介电质。所述第一晶体管和所述第二晶体管的漏极区包括定位在所述沟槽结构正下方的部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109560139A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811120582.1
申请日：2018-09-25
Applicant: 恩智浦美国有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/40 , H01L21/336
Abstract: 本公开涉及场效应晶体管及其方法。一种晶体管包括在半导体衬底中形成的沟槽，所述沟槽具有第一侧壁和第二侧壁。在所述沟槽中形成竖直场板，并且所述竖直场板位于所述第一侧壁与所述第二侧壁之间。在所述沟槽中形成栅电极，其中所述栅电极的第一边缘接近所述第一侧壁，并且所述栅电极的第二边缘接近所述竖直场板。在所述沟槽中形成第一介电材料，所述第一介电材料介于所述第一侧壁与所述竖直场板之间。在所述沟槽中形成第二介电材料，所述第二介电材料介于所述竖直场板与所述第二侧壁之间，其中所述第二介电材料的介电常数低于所述第一介电材料的介电常数。
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公开(公告)号：CN110875378A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910810952.2
申请日：2019-08-30
Applicant: 恩智浦美国有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/761
Abstract: 本发明涉及具有埋入式掺杂的隔离区域的裸片。实施例涉及一种在裸片的衬底中的连续埋入式掺杂的隔离区域。衬底包括包围该裸片的第一区的隔离环结构。连续埋入式掺杂的隔离区域是净第一导电类型且位于该第一区中。连续埋入式掺杂的隔离区域包括具有至少第一等级的净第一导电类型掺杂剂浓度的第一部分，第一部分位于该第一区的内部区域中且延伸到该隔离环结构的侧壁。第一部分在该第一区的拐角区的位置中不延伸到该隔离环结构的该侧壁。拐角区由该隔离环结构限定。在该拐角区中的该连续埋入式掺杂的隔离区域的第二部分具有低于该第一等级的第二等级的净第一导电类型掺杂剂浓度。裸片包括半导体装置，该半导体装置位于该第一区中且包括位于该连续埋入式掺杂的隔离区域上方的该第一区中的该衬底中的组件。
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公开(公告)号：CN110265478A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910169405.0
申请日：2019-03-07
Applicant: 恩智浦美国有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/40 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本公开涉及具有场板结构的晶体管沟槽结构。一种沟槽结构正侧向定位在第一晶体管的第一阱和第一源极区与第二阱区之间，其中第二源极用于第二晶体管。所述沟槽结构包括所述第一晶体管的第一栅极结构、所述第二晶体管的第二栅极结构、第一导电场板结构和第二导电场板结构。所述第一栅极结构、所述第一场板结构、所述第二场板结构和所述第二栅极结构在所述沟槽结构中定位于所述第一阱区与所述第二阱区之间的侧向线中。所述沟槽结构包括在所述侧向线中将所述第一场板结构与所述第二场板结构彼此分离的介电质。所述第一晶体管和所述第二晶体管的漏极区包括定位在所述沟槽结构正下方的部分。
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公开(公告)号：CN109560138A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811112091.2
申请日：2018-09-25
Applicant: 恩智浦美国有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及场效应晶体管及其方法。一种晶体管包括在半导体衬底中形成的沟槽，其中所述沟槽具有第一侧壁和第二侧壁。在所述沟槽中形成竖直场板。所述竖直场板位于所述第一侧壁与所述第二侧壁之间。在所述沟槽中形成栅电极，其中所述栅电极的第一边缘接近所述第一侧壁，并且所述栅电极的第二边缘接近所述竖直场板。在所述沟槽中形成介电材料，所述介电材料介于所述第一侧壁与所述竖直场板之间。在所述沟槽中形成空气腔，所述空气腔介于所述竖直场板与所述第二侧壁之间，其中所述空气腔的介电常数低于所述介电材料的介电常数。
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公开(公告)号：CN110875378B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN201910810952.2
申请日：2019-08-30
Applicant: 恩智浦美国有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/761
Abstract: 本发明涉及具有埋入式掺杂的隔离区域的裸片。实施例涉及一种在裸片的衬底中的连续埋入式掺杂的隔离区域。衬底包括包围该裸片的第一区的隔离环结构。连续埋入式掺杂的隔离区域是净第一导电类型且位于该第一区中。连续埋入式掺杂的隔离区域包括具有至少第一等级的净第一导电类型掺杂剂浓度的第一部分，第一部分位于该第一区的内部区域中且延伸到该隔离环结构的侧壁。第一部分在该第一区的拐角区的位置中不延伸到该隔离环结构的该侧壁。拐角区由该隔离环结构限定。在该拐角区中的该连续埋入式掺杂的隔离区域的第二部分具有低于该第一等级的第二等级的净第一导电类型掺杂剂浓度。裸片包括半导体装置，该半导体装置位于该第一区中且包括位于该连续埋入式掺杂的隔离区域上方的该第一区中的该衬底中的组件。
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