公开(公告)号：CN107208007A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201680008165.0

申请日：2016-01-05

Applicant: 恩特格里斯公司 ,  恩特格里斯台湾公司

Inventor： E·托马斯 ,  D·弗赖伊 ,  刘俊 ,  M·怀特 ,  D·怀特 ,  王朝鈺

IPC: C11D7/26 ,  C11D7/32 ,  C11D7/34 ,  C11D7/50 ,  C11D7/60 ,  H01L21/02

CPC classification number: C11D11/0047 ,  B08B3/08 ,  C11D3/2096 ,  C11D3/26 ,  C11D3/30 ,  C11D3/3472 ,  C11D3/349 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/267 ,  C11D7/32 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/34 ,  C11D7/50 ,  H01L21/02057

Abstract: 本发明揭示一种用于从上面具有化学机械抛光CMP后残余物及污染物的微电子装置清除所述残余物及污染物的清洁组合物及方法。所述清洁组合物基本上没有碱金属氢氧化物、碱土金属氢氧化物及四甲基氢氧化铵。所述组合物实现了在不危害低k电介质材料或铜互连材料的情况下从所述微电子装置的表面高效地清除所述CMP后残余物及污染物材料。

公开(公告)号：CN118085973A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410234576.8

申请日：2016-01-05

Applicant: 恩特格里斯公司 ,  恩特格里斯亚洲公司

Inventor： E·托马斯 ,  D·弗赖伊 ,  刘俊 ,  M·怀特 ,  D·怀特 ,  王朝鈺

IPC: C11D7/32 ,  C11D7/26 ,  C11D7/34 ,  C11D7/50 ,  H01L21/02

Abstract: 本申请涉及一种化学机械抛光后调配物及其使用方法。本发明揭示一种用于从上面具有化学机械抛光CMP后残余物及污染物的微电子装置清除所述残余物及污染物的清洁组合物及方法。所述清洁组合物基本上没有碱金属氢氧化物、碱土金属氢氧化物及四甲基氢氧化铵。所述组合物实现了在不危害低k电介质材料或铜互连材料的情况下从所述微电子装置的表面高效地清除所述CMP后残余物及污染物材料。

公开(公告)号：CN112424327A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN201980047825.X

申请日：2019-07-18

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： D·怀特 ,  E·托马斯 ,  刘俊 ,  M·怀特 ,  王朝钰 ,  D·弗赖伊

IPC: C11D3/00 ,  C11D3/04 ,  C11D3/28 ,  C11D3/20 ,  H01L21/02 ,  H01L21/321

Abstract: 一种用于清洗工艺内微电子装置衬底的清洗组合物和方法，例如通过化学机械抛光CMP后清洗，以自其表面去除残余物，其中所述清洗组合物可尤其有效地用于清洗包括例如钴、铜或两者的经暴露金属以及介电或低k介电材料的衬底表面，且其中所述清洗组合物包括腐蚀抑制剂以抑制所述经暴露金属的腐蚀。

公开(公告)号：CN119095946A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202380036832.6

申请日：2023-03-21

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： 王朝钰 ,  A·K·达斯 ,  M·L·怀特 ,  李俊毅 ,  N·困达 ,  D·怀特 ,  D·弗赖伊

IPC: C11D3/00 ,  C11D3/06 ,  C11D3/065 ,  C11D3/20 ,  C11D3/34 ,  C11D3/32 ,  C11D1/66 ,  C11D7/32 ,  C11D7/16

Abstract: 本发明提供用于存在二氧化铈的化学机械抛光后清洁操作的组合物。在一个方面中，本发明提供一种包含还原剂、螯合剂、氨基(C6‑C12烷基)醇和水的组合物；其中所述组合物具有小于约8的pH。可发现本发明的组合物在例如多晶硅(poly Si)衬底上显示出改进的二氧化铈的去除。还提供一种使用这些组合物清洁微电子装置衬底的方法以及一种在一或多个容器中包含所述组合物的选定组分的试剂盒。

公开(公告)号：CN113195698A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN201980083648.0

申请日：2019-11-25

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： D·怀特 ,  D·弗赖伊 ,  E·托马斯 ,  刘俊 ,  M·怀特

IPC: C11D11/00 ,  C11D3/00 ,  C11D3/30

Abstract: 本发明公开一种用于从上面有残留物和/或污染物的微电子装置清洗所述残留物和/或污染物的清洗组合物。所述组合物包含至少一种络合剂、至少一种清洗添加剂、至少一种pH调节剂、水和至少一种氧胺化合物。有利地，所述组合物展示含钴衬底的有效清洗和经改良的钴相容性。

公开(公告)号：CN110506100A

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201880024133.9

申请日：2018-04-11

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： D·弗赖伊 ,  刘俊 ,  D·怀特 ,  M·怀特

IPC: C11D1/38 ,  C11D1/42 ,  H01L21/02 ,  C11D11/00

Abstract: 本发明提供一种用于从其上具有化学机械研磨CMP后残余物和污染物的微电子装置清洗所述残余物和污染物的清洗组合物和方法。所述组合物在不损害低k介电材料或铜互连材料的情况下实现从所述微电子装置的表面高效清洗所述CMP后残余物和污染物材料。另外，所述清洗组合物与含钌材料兼容。