公开(公告)号：CN1144265C

公开(公告)日：2004-03-31

申请号：CN00109322.3

申请日：2000-05-26

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 宫坂满美

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: H01J37/3174 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/20 ,  H01J2237/31776 ,  H01J2237/31794

Abstract: 一种用于电子束曝光的掩模，用在由EB投影光刻系统中。该掩模包括：栅框区域；多个薄膜区域，被栅框区域围绕并具有比栅框区域薄的厚度；多个掩模图形区域，每个掩模图形区域形成在所述薄膜区域的相应一个内。每个掩模图形区域具有对应于子域图形的掩模图形。通过对每个所述掩模图形区域将电子束照射到所述掩模上，使被电子束照射的区域的中心与各所述掩模图形区域的中心重合，按预定的芯片图形曝光晶片。

公开(公告)号：CN1160762C

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN00123809.4

申请日：2000-08-18

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 宫坂满美

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F1/20 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/50 ,  G03F1/84 ,  G03F1/86 ,  H01J37/3175 ,  H01J2237/31761 ,  H01J2237/31762 ,  H01J2237/31794

Abstract: 一种电子束曝光掩模包括主掩模和一个或多个补偿掩模。所述主掩模包括多个第一限定掩模。补偿掩模包括一个或多个无缺陷第二限定掩模，每个第二限定掩模具有按所述第一限定掩模中有缺陷的掩模形成的图形构形。在利用该电子束曝光掩模进行曝光时，只要第一限定掩模没有缺陷，则使用第一限定掩模，在第一限定掩模有缺陷时，使用对应于第一限定掩模的第二限定掩模。