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公开(公告)号：CN119926541A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510115219.4
申请日：2025-01-23
Applicant: 重庆惠科金渝光电科技有限公司 , 惠科股份有限公司
IPC: B01L3/00
Abstract: 本申请属于微流控技术领域，具体涉及一种微流控芯片及微流控系统，所述微流控芯片用于对液滴的位置进行检测，所述微流控芯片包括第一基板；所述第一基板包括第一衬底以及设于所述第一衬底上的检测区，所述检测区包括：移动区，所述液滴能够在所述移动区中进行移动；非移动区，设于所述移动区外侧，所述非移动区设有限位单元，所述限位单元能够限定所述液滴在所述移动区内移动。本申请方案中的微流控芯片能够避免液滴跑偏，减少液滴损失，提高微流控芯片的检测准确性。
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公开(公告)号：CN119866017A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202411999955.2
申请日：2024-12-31
Applicant: 重庆惠科金渝光电科技有限公司 , 惠科股份有限公司
IPC: H10B63/00
Abstract: 本申请公开了一种晶体管组件、晶体管组件的制备方法和显示面板，包括薄膜晶体管和扩散型忆阻器，扩散型忆阻器包括依次层叠的正极端、绝缘介质层和负极端。扩散型忆阻器与薄膜晶体管串联。扩散型忆阻器用于为关闭状态的薄膜晶体管提供电阻以降低薄膜晶体管的漏电流。在本方案中，在晶体管组件开设过孔放置扩散型忆阻器使扩散型忆阻器与薄膜晶体管串联，在薄膜晶体管关闭状态下，扩散型忆阻器为高阻态，其内部漏电流低于薄膜晶体管关闭状态下的漏电流，可以保证关闭状态下的薄膜晶体管在不施加反向电压的情况下也能有较低的漏电，避免了薄膜晶体管性能的恶化，降低了功耗，同时也提高了薄膜晶体管的使用寿命。
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公开(公告)号：CN119832866A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411996746.2
申请日：2024-12-31
Applicant: 惠科股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种显示面板及显示设备，涉及显示技术领域，包括：一种设置在显示面板中的环境光传感器，该环境光传感器包括多个并联的用于根据接入的液晶控制信号的电平状态切换开关状态的感光控制单元，其中，同一时间点上的各液晶控制信号的电平状态不同时为高电平状态，即同一时间点上至少存在一个感光控制单元为工作状态进行显示设备的背光亮度的调节，因此基于液晶控制信号的电平状态对各感光控制单元的开关状态进行切换，实现在不同时间段上控制不同的感光控制单元进入工作状态，避免在环境光持续为高亮状态时，单个薄膜晶体管长时间处工作状态而使得环境光传感器存在性能下降，甚至功能失效，对显示设备的背光调节功能造成异常影响的问题。
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公开(公告)号：CN117832230A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410087662.0
申请日：2024-01-22
Applicant: 惠科股份有限公司
IPC: H01L27/12 , H01L21/77 , H10K59/12 , G02F1/1362
Abstract: 本申请实施例提供一种显示效果较佳的阵列基板和包括阵列基板的显示装置，阵列基板中的晶体管包括自基板表面依次层叠设置的辅助金属层、栅极、栅极绝缘层、有源层、源极和漏极。源极和漏极之间的有源层形成晶体管的导电沟道。栅极与基板之间包括栅极垫，并且源极、漏极沿垂直于基板方向在基板上的投影与栅极沿垂直于基板方向在基板上的投影无重叠。本申请实施例还提供一种前述阵列基板的制作方法。
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公开(公告)号：CN116259633A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202310171971.1
申请日：2023-02-27
Applicant: 北海惠科光电技术有限公司 , 惠科股份有限公司
IPC: H01L27/12 , G02F1/1685 , G02F1/1676 , G02F1/1677 , G02F1/16753 , G02F1/16756 , G02F1/16755
Abstract: 本申请提供了一种阵列基板和显示面板。阵列基板包括衬底以及依次形成于衬底一侧的薄膜晶体管、第一绝缘层、平坦层、金属导电层和透明电极层；第一绝缘层和平坦层覆盖薄膜晶体管；金属导电层形成金属反射层；第一绝缘层具有覆盖薄膜晶体管的沟道区的暴露部；平坦层上设置通孔，以至少部分裸露暴露部；通孔内设置有与薄膜晶体管的栅极电连接的导电层，导电层包括金属遮光层和/或透明导电层，且覆盖暴露部。通过将沟道区上方的平坦层进行挖孔处理，避免平坦层对沟道区进行遮挡，以对薄膜晶体管的性能产生影响，进而避免拖尾现象；同时，在沟道区上方设置与栅极电连接的导电层，以形成双栅极结构，进而提升薄膜晶体管的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115295609A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202211024212.4
申请日：2022-08-24
Applicant: 惠科股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/12 , G02F1/1368
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管、薄膜晶体管的制备方法及显示面板，涉及液晶显示技术领域。薄膜晶体管包括栅极金属层、漏极金属层、源极金属层、栅极绝缘层和有源层，所述栅极绝缘层位于所述栅极金属层上方，所述有源层位于所述栅极绝缘层上方，所述漏极金属层位于所述有源层上方；所述薄膜晶体管还包括中间绝缘层，所述中间绝缘层位于所述有源层上方，所述源极金属层位于所述中间绝缘层上方，所述中间绝缘层中具有第一过孔，所述源极金属层通过所述第一过孔与所述有源层接触。从而使漏极金属层和源极金属层分层设置，有利于缩短漏极金属层和源极金属层之间的距离，进而缩小薄膜晶体管的有效沟道长度，提高了显示面板的开口率和开态电流。
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公开(公告)号：CN114864603A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210514714.9
申请日：2022-05-12
Applicant: 北海惠科光电技术有限公司 , 惠科股份有限公司
IPC: H01L27/12
Abstract: 本申请提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板。阵列基板的制备方法包括，在基板上形成间隔设置的栅极和信号走线。在基板上形成栅极绝缘层。在栅极绝缘层上形成待处理有源层。在待处理有源层上形成第一光阻层。刻蚀待处理有源层，形成有源层，第一光阻层位于有源层远离栅极绝缘层的一侧。在栅极绝缘层上形成第二光阻层。刻蚀栅极绝缘层，在栅极绝缘层形成通孔，通孔正对信号走线。去除第一光阻层和第二光阻层。在栅极绝缘层上形成源极和漏极，源极和漏极中的一者经通孔连接信号走线。在制备过程中，保留有源层上的第一光阻层，可以后续的制程中，保护有源层，避免有源层氧化或者损坏。保障阵列基板的电学性能，显示面板的显示性能良好。
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公开(公告)号：CN114823342A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210422330.4
申请日：2022-04-21
Applicant: 北海惠科光电技术有限公司 , 惠科股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/205 , H01L29/66 , H01L29/786 , G02F1/1368
Abstract: 本申请提供了一种薄膜晶体管及其制备方法，该方法包括提供基板；在所述基板上形成栅极；在所述基板上形成栅极绝缘层，使所述栅极绝缘层覆盖所述栅极；在所述栅极绝缘层上形成非晶硅层；其中，控制氢气与硅烷的比值大于或等于8；在所述非晶硅层上形成掺杂层；在所述掺杂层上形成源漏极金属层；对所述源漏极金属层和所述掺杂层进行刻蚀，以得到源极和漏极。本申请解决了现有液晶显示器在高温状态下TFT的关态电流会大幅度变大，导致液晶显示器出现闪屏或画异，影响显示品质的问题。
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公开(公告)号：CN109991787B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN201910197001.2
申请日：2019-03-15
Applicant: 惠科股份有限公司
IPC: G02F1/1362 , H01L27/12
Abstract: 本申请公开了一种阵列基板及其制作方法。所述阵列基板的制作方法包括步骤：形成衬底；在所述衬底上依次形成第一金属层、栅极绝缘层、半导体层和第二金属层；在所述第二金属层上形成钝化层；在所述钝化层上形成透明电极层；其中，所述钝化层膜厚在2000埃米到3000埃米之间。本申请通过改变钝化层的膜厚，将钝化层膜厚做在2000埃米到3000埃米之间，使钝化层的薄膜应力降低，增加了钝化层和第二金属层之间的附着力，抑制了底切的产生，提高了液晶面板的良率。
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公开(公告)号：CN109585503B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201811306319.1
申请日：2018-11-05
Applicant: 惠科股份有限公司 , 重庆惠科金渝光电科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种显示面板及其制作方法。本发明所述的显示面板包括：基板，主动开关，形成于基板上；色阻层，形成于主动开关上；第一电极层，形成于色阻层上；发光二极管，形成于第一电极层上；第二电极层，形成于发光二极管上；封装层，形成于第二电极层上；驱动电路，与第一电极层和第二电极层电连接；所述发光二极管包括红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层，所述蓝色发光层包括锗硅量子点材料；所述红色发光层中硅元素的比例区间为10％‑35％，锗元素的比例区间为65％‑90％；所述绿色发光层中硅元素的比例区间为45％‑65％，锗元素的比例区间为35％‑50％；所述蓝色发光层中硅元素的比例区间为65％‑95％，锗元素的比例区间为5％‑35％。本发明可以提升发光二极管的复合性能。
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