公开(公告)号：CN106252314A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201510844723.4

申请日：2015-11-26

Applicant: 意法半导体(克洛尔2)公司 ,  意法半导体有限公司

Inventor： N·奥特利耶 ,  R·富尔内尔 ,  F·加内塞罗 ,  F·居亚代 ,  V·菲奥里

IPC: H01L23/482 ,  H01L21/762

CPC classification number: H05K1/0216 ,  H01L21/762 ,  H01L21/7624 ,  H01L21/764 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2924/00014 ,  H05K1/111 ,  H05K1/181 ,  H05K3/0011 ,  H01L2224/05599 ,  H01L23/4825

Abstract: 一种电子器件，具有后板，该后板包括衬底后层、衬底前层以及在衬底后层与衬底前层之间的电介质中间层。电子结构在衬底前层上并且包括电子部件和电气连接。衬底后层包括实心的局部区域以及空心的局部区域。空心的局部区域在所有的衬底后层上延伸。衬底后层并不覆盖对应于空心的局部区域的电介质中间层的至少一个局部区带。

公开(公告)号：CN106252314B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201510844723.4

申请日：2015-11-26

Applicant: 意法半导体(克洛尔2)公司 ,  意法半导体有限公司

Inventor： N·奥特利耶 ,  R·富尔内尔 ,  F·加内塞罗 ,  F·居亚代 ,  V·菲奥里

IPC: H01L23/482 ,  H01L21/762

CPC classification number: H05K1/0216 ,  H01L21/762 ,  H01L21/7624 ,  H01L21/764 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2924/00014 ,  H05K1/111 ,  H05K1/181 ,  H05K3/0011 ,  H01L2224/05599

Abstract: 一种电子器件，具有后板，该后板包括衬底后层、衬底前层以及在衬底后层与衬底前层之间的电介质中间层。电子结构在衬底前层上并且包括电子部件和电气连接。衬底后层包括实心的局部区域以及空心的局部区域。空心的局部区域在所有的衬底后层上延伸。衬底后层并不覆盖对应于空心的局部区域的电介质中间层的至少一个局部区带。

公开(公告)号：CN205159309U

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201520964578.9

申请日：2015-11-26

Applicant: 意法半导体(克洛尔2)公司 ,  意法半导体有限公司

Inventor： N·奥特利耶 ,  R·富尔内尔 ,  F·加内塞罗 ,  F·居亚代 ,  V·菲奥里

IPC: H01L23/482 ,  H01L21/762

CPC classification number: H05K1/0216 ,  H01L21/762 ,  H01L21/7624 ,  H01L21/764 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2924/00014 ,  H05K1/111 ,  H05K1/181 ,  H05K3/0011 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本实用新型公开了一种电子器件，具有后板，该后板包括衬底后层、衬底前层以及在衬底后层与衬底前层之间的电介质中间层。电子结构在衬底前层上并且包括电子部件和电气连接。衬底后层包括实心的局部区域以及空心的局部区域。空心的局部区域在所有的衬底后层上延伸。衬底后层并不覆盖对应于空心的局部区域的电介质中间层的至少一个局部区带。

公开(公告)号：CN118175919A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202311634926.1

申请日：2023-12-01

Applicant: 意法半导体法国公司 ,  意法半导体(克洛尔2)公司 ,  法国原子能及替代能源委员会

Inventor： P·卡瑟琳 ,  F·加内塞罗 ,  A·弗勒雷 ,  S·蒙弗莱 ,  B·雷格 ,  V·普亚尔

IPC: H10N70/20 ,  H10N70/00

Abstract: 本说明书涉及一种基于相变材料的开关，该开关包括：第一电极、第二电极以及第三电极；由所述相变材料制成的第一区域，其耦合该第一电极和该第二电极；以及由所述相变材料制成的第二区域，其耦合该第二电极和该第三电极。

公开(公告)号：CN115701656A

公开(公告)日：2023-02-10

申请号：CN202210915317.2

申请日：2022-08-01

Applicant: 意法半导体有限公司 ,  意法半导体(格勒诺布尔2)公司

Inventor： V·菲奥累塞 ,  J-F·卡耶 ,  F·加内塞罗 ,  F·拉波特

IPC: H01L23/66 ,  H01L23/498 ,  H01L23/04 ,  H01L23/06 ,  H01L21/52

Abstract: 本公开的实施例涉及超高频电磁波发射/接收器件。本说明书涉及一种电磁波发射/接收器件，其包括：多层有机衬底、集成电路芯片、组装在多层有机衬底上的倒装芯片、包括第一腔体的封装，该第一腔体包含多层有机衬底和集成电路芯片，并且通过通道与形成电磁波波导的第二腔体连通。

公开(公告)号：CN218414574U

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202222005622.6

申请日：2022-08-01

Applicant: 意法半导体有限公司 ,  意法半导体(格勒诺布尔2)公司

Inventor： V·菲奥累塞 ,  J-F·卡耶 ,  F·加内塞罗 ,  F·拉波特

IPC: H01L23/66 ,  H01Q1/22

Abstract: 本公开的实施例涉及电路器件。一种电路器件，包括：多层有机衬底；集成电路芯片，倒装组装在多层有机衬底上；以及封装，包括第一腔体，第一腔体包含多层有机衬底和集成电路芯片，第一腔体被配置为通过通道与第二腔体连通，第二腔体形成用于电磁波的波导，封装包括：天线，在衬底中并且耦合到集成电路芯片，天线在第一腔体中延伸并部分地延伸到第二腔体中。利用本公开的实施例有利地减小在天线和波导之间传输超高频电磁波期间的损耗。