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公开(公告)号：CN111798907B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202010261436.1
申请日：2020-04-03
Applicant: 意法半导体(鲁塞)公司
Inventor： F·塔耶 , C·阿梅兹亚内·埃尔阿萨尼
Abstract: 本公开的实施例涉及用于写入电可擦除可编程非易失性存储器的方法和集成电路。在一个实施例中，该方法包括：将属于通信接口的滤波器电路可操作地连接到振荡器电路，其中通信接口物理上连接到总线；通过振荡器电路生成振荡信号；以及通过滤波器电路调节振荡信号从而生成用于对写入周期进行定时的时钟信号。
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公开(公告)号：CN115048330B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202210175239.7
申请日：2022-02-25
Applicant: 意法半导体(鲁塞)公司
Inventor： F·塔耶
IPC: G06F13/42
Abstract: 本公开的实施例涉及I2C总线上的通信。本说明书涉及在通过I2C总线的通信上由第二设备将第一地址归属于第一设备，其中第二设备通过I2C总线发送第一地址，并且如果第二设备没有接收到确认数据，则第一设备记录第一地址。
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公开(公告)号：CN109411471B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN201810928981.4
申请日：2018-08-15
Applicant: 意法半导体(鲁塞)公司
Inventor： F·塔耶
IPC: H01L27/088 , H01L27/02
Abstract: 本公开的实施例涉及并联MOS晶体管。提供一种电子芯片，其包括彼此并联电耦合的多个第一晶体管。多个第一隔离沟槽被包括在电子芯片中，并且第一晶体管通过第一隔离沟槽彼此分开。每个第一隔离沟槽具有深度和最大宽度，并且深度取决于最大宽度或者是最大宽度的函数。
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公开(公告)号：CN114446971A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111213892.X
申请日：2021-10-19
Applicant: 意法半导体(鲁塞)公司
IPC: H01L27/11517 , H01L27/115
Abstract: 本公开的各实施例涉及非易失性存储器。一种用于非易失性存储器单元的存储器晶体管包括被植入半导体衬底中的源极区和漏极区。源极区与漏极区隔开。用于存储器晶体管的双栅极区在源极区与漏极区之间的半导体衬底中至少部分地在深度上延伸，并且还延伸超出该源极区和该漏极区。存储器单元还包括具有栅极区的选择晶体管，该栅极区在用于存储器晶体管的双栅极区上方部分延伸。
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公开(公告)号：CN113343724A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110230914.7
申请日：2021-03-02
Applicant: 意法半导体(鲁塞)公司
Abstract: 本公开涉及将数据写入非接触应答器的存储器中的方法和应答器设备。非接触式应答器包括具有存储器点的非易失性静态随机存取存储器。每个存储器点由易失性存储器单元和非易失性存储器单元形成。协议处理电路接收数据并将接收到的数据储存在存储器的易失性存储器单元中。在对数据的接收和储存结束时，写处理电路被配置为：在单个写周期中，将来自易失性存储器单元的数据记录到各个存储器点的非易失性存储器单元。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106548808B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201610102941.5
申请日：2016-02-24
Applicant: 意法半导体(鲁塞)公司
Abstract: 提供用于EEPROM类型的存储器器件的故障控制。一种用于检查由电源电压供电并且与上电重置电路相关联的电可擦除可编程只读存储器类型的器件的操作的方法。该方法包括：实施对应于器件的操作的阶段的至少一个试验性操作，其被识别为在电源电压的下降低于给定值的情况下倾向于故障的阶段；在存储器器件的操作期间执行至少一个试验性操作；以及分析试验性操作的结果，以检测通过未通过复位电路防止的任何故障。
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公开(公告)号：CN110265070B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201910460332.0
申请日：2016-02-25
Applicant: 意法半导体(鲁塞)公司
Abstract: 一种具有存储器尺寸的非易失性存储器设备，包括输入/输出接口、被耦合到输入/输出接口的SPI类型的总线以及被连接到SPI类型的总线的多个个体非易失性存储器设备。每个个体存储器设备的芯片选择输入全部被连接到SPI总线的同一个芯片选择线路。个体存储器设备还被配置并且可以控制为从输入/输出接口来看表现为单个非易失性存储器设备，该存储器设备的总存储器空间具有等于个体设备的个体存储器容量的总和的总存储器容量。
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公开(公告)号：CN106448730B
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201610099337.1
申请日：2016-02-23
Applicant: 意法半导体(鲁塞)公司
Abstract: 本申请涉及用于在EEPROM存储器中进行写入的方法和相应的存储器。根据一种实现模式，提出当可选地使用传统写命令时，通过基于待写入数据的值并且可选地基于存储器中存在的数据的值来删除擦除步骤或者编程步骤，从而自动地加速写操作。当存储器被配备有基于汉明码的纠错码时，汉明码的性质使得可以容易地实现存储器内写入循环的这一可能的加速。这一性质在于，根据该性质，当将n个字节组在一起的数字字的字节的所有比特等于零时，与这些字节相关联的校验位也都等于零。
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