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公开(公告)号：CN117059497A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202310529221.7
申请日：2023-05-11
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/492 , H01L23/495 , H01L23/488
Abstract: 本公开涉及制造半导体设备的方法和对应的半导体设备。半导体裸片附接在平面基板的裸片附接部分上。平面导电夹子安装到半导体裸片上。半导体裸片夹在裸片附接部分与导电夹子之间。导电夹子的远离半导体裸片延伸的远端部分通过间隙与平面基板的导电引线间隔开。该间隙由经由激光诱导前向转移(LIFT)处理转移到导电引线的上表面的间隙填充材料质量体填充。间隙填充材料质量体的大小和尺寸被设置成大体上填充间隙。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114649289A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202111546789.7
申请日：2021-12-16
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L21/60
Abstract: 本公开的各实施例涉及引线上芯片半导体器件及引线上芯片半导体器件制造方法。半导体器件包括：具有围绕其布置的引线的支撑基底；在支撑基底上的半导体管芯；和模制到管芯和引线上的激光可激活材料层。引线包括面向支撑基底的近侧部分和背向支撑基底的远侧部分。半导体管芯包括在其与支撑基底相对的前表面处的接合焊盘，并且被布置到引线的近侧部分上。半导体器件具有在激光可激活材料的选定位置经激光结构化的导电结构。导电结构包括在接合焊盘与激光可激活材料的前表面之间延伸的第一过孔、在引线的远侧部分与激光可激活材料的前表面之间延伸的第二过孔、以及在激光可激活材料的前表面处延伸并且将所选择的第一过孔连接到所选择的第二过孔的线。
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公开(公告)号：CN113451144A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110315813.X
申请日：2021-03-24
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/495 , H01L23/31
Abstract: 本公开的实施例涉及制造半导体器件的方法和对应的半导体器件。一种方法包括将激光直接构造材料模制到至少一个半导体管芯上，在所述激光直接构造材料上形成抗蚀剂材料，经由激光束能量产生在所述激光直接构造材料中的导电构件的相互对准的图案以及抗蚀剂材料的、具有在所述导电构件的侧向的侧壁的蚀刻的部分，以及在所述抗蚀剂材料的所述蚀刻部分处形成导电材料，所述导电材料在所述抗蚀剂材料的所述蚀刻部分的所述侧壁处具有横向限制表面。
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公开(公告)号：CN217521996U
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202123175240.X
申请日：2021-12-16
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L21/60
Abstract: 本公开的各实施例涉及半导体器件。半导体器件包括：具有围绕其布置的引线的支撑基底；在支撑基底上的半导体管芯；和模制到管芯和引线上的激光可激活材料层。引线包括面向支撑基底的近侧部分和背向支撑基底的远侧部分。半导体管芯包括在其与支撑基底相对的前表面处的接合焊盘，并且被布置到引线的近侧部分上。半导体器件具有在激光可激活材料的选定位置经激光结构化的导电结构。因此，本公开的一个或多个实施例可以促进将相对大的半导体管芯装配到相对小的封装中，同时甚至在小空间内提供半导体管芯和引线之间的可靠电连接。
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公开(公告)号：CN220456411U
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202321128552.1
申请日：2023-05-11
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01L23/495
Abstract: 本公开涉及半导体设备。半导体裸片附接在平面基板的裸片附接部分上。平面导电夹子安装到半导体裸片上。半导体裸片夹在裸片附接部分与导电夹子之间。导电夹子的远离半导体裸片延伸的远端部分通过间隙与平面基板的导电引线间隔开。该间隙由经由激光诱导前向转移(LIFT)处理转移到导电引线的上表面的间隙填充材料质量体填充。间隙填充材料质量体的大小和尺寸被设置成大体上填充间隙。
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公开(公告)号：CN215933531U
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202120599518.7
申请日：2021-03-24
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/495 , H01L23/31
Abstract: 本公开的实施例涉及半导体器件。一种半导体器件，其特征在于，包括：在至少一个半导体管芯上的激光直接构造材料，激光直接构造材料至少部分地包封至少一个半导体管芯；激光束激活的导电构件的图案，导电构件在激光直接构造材料中被构造；以及在激光直接构造材料中被构造的导电构件上的导电材料，其中导电材料在导电构件上，导电材料具有邻接导电构件的横向限制表面。利用本公开的实施例，可以获得防止铜(Cu)在电镀工艺中横向生长的导电构件。
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