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公开(公告)号：CN112992838A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202011491288.9
申请日：2020-12-16
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L21/60
Abstract: 本公开的各实施例涉及半导体器件和对应的方法。一种半导体器件，包括至少一个半导体裸片，被电耦合到一组导电引线，以及封装成型材料，成型在至少一个半导体裸片和导电引线之上。导电引线的至少一部分在封装成型材料的后表面处被暴露，以提供导电焊盘。该导电焊盘包括放大的端部，放大的端部至少部分地在封装成型材料之上延伸并且被配置用于耦合到印刷电路板。
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公开(公告)号：CN113451144A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110315813.X
申请日：2021-03-24
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/495 , H01L23/31
Abstract: 本公开的实施例涉及制造半导体器件的方法和对应的半导体器件。一种方法包括将激光直接构造材料模制到至少一个半导体管芯上，在所述激光直接构造材料上形成抗蚀剂材料，经由激光束能量产生在所述激光直接构造材料中的导电构件的相互对准的图案以及抗蚀剂材料的、具有在所述导电构件的侧向的侧壁的蚀刻的部分，以及在所述抗蚀剂材料的所述蚀刻部分处形成导电材料，所述导电材料在所述抗蚀剂材料的所述蚀刻部分的所述侧壁处具有横向限制表面。
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公开(公告)号：CN116072630A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202111275853.2
申请日：2021-10-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司 , 深圳赛意法微电子有限公司
IPC: H01L23/373 , H01L23/367 , H01L23/13 , H01L23/14 , H01L23/31 , H01L21/48 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 本公开的实施例涉及半导体封装、封装形成方法、和电子设备。例如，该半导体封装可以包括第一基板组件，包括第一表面和与第一表面相对的第二表面。该半导体封装还可以包括一个或多个芯片，通过第一导热连接材料被接合至第一基板组件的第一表面。此外，该半导体封装还可以包括第二基板组件，包括第三表面和与第三表面相对的第四表面，第三表面与第一表面被设置为彼此面对，并且第三表面通过第二导热连接材料被接合至一个或多个芯片。其中第一表面与第三表面中的至少一个表面被成型为具有台阶图案，以与一个或多个芯片的表面相配合。本公开的实施例至少能够简化双面散热结构，改善芯片散热效果。
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公开(公告)号：CN115440597A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210609611.0
申请日：2022-05-31
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/495
Abstract: 本公开的实施例涉及制造半导体器件的方法和对应的半导体器件。半导体芯片布置在细长衬底上并被绝缘封装件封装。使用例如激光直接成型(LDS)或直接铜互连(DCI)材料将导电形成物和导电电镀线电镀在绝缘封装件上。导电电镀线包括第一横向电镀线以及从第一电镀线向导电形成物分支的第二电镀线。然后执行第一部分切割步骤以形成去除第一电镀线的凹槽。绝缘材料被分配在凹槽中以封装第二电镀线的端部部分。执行在中间沿着凹槽并且穿过细长衬底的第二切割步骤以生产单片化的半导体器件(诸如“管芯焊盘朝上”方形扁平无引线(QFN)封装件)。第二电镀线的端部部分由绝缘材料封装。
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公开(公告)号：CN114649216A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202111550048.6
申请日：2021-12-17
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L23/495 , H01L23/31
Abstract: 公开了制造半导体器件的方法、使用的组件和相应的半导体器件。引线框包括导电结构的图案，其中一个或多个牺牲连接结构在一对导电结构之间桥式延伸。牺牲连接结构或多个牺牲连接结构形成在引线框的第一表面和第二表面之一处，并且在第一表面和第二表面之间具有小于引线框厚度的厚度。在引线框的导电结构之间模塑电绝缘材料的填充物，其中在连接结构和引线框的另一表面之间模塑电绝缘材料。在引线框的形成和预模塑过程中，牺牲连接结构抵消了部件的变形和位移。
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公开(公告)号：CN113013127A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202011518461.X
申请日：2020-12-21
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L21/48
Abstract: 本公开的实施例涉及用于半导体器件的引线框架、对应的半导体产品和方法。一种用于半导体器件的引线框架，该引线框架包括裸片焊盘部分，裸片焊盘部分具有第一平面裸片安装表面和与第一表面相对的第二平面表面，第一表面和第二表面具有共同限定裸片焊盘的外围轮廓的面对的外围边缘，其中该裸片焊盘包括至少一个封装模塑化合物接纳开口，该至少一个封装模塑化合物接纳开口在所述第一平面表面的外围处。
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公开(公告)号：CN115692213A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202210911854.X
申请日：2022-07-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/495
Abstract: 本公开的实施例涉及制造衬底的方法、相应的衬底和半导体器件。预模制引线框包括其中具有空的空间和第一厚度的层状结构，其中管芯焊盘具有相对的第一和第二管芯焊盘表面。将绝缘预模制材料模制到所述层状结构上。预模制材料穿透空的空间并提供具有第一厚度的层状预模制衬底，其中第一管芯焊盘表面保持暴露。管芯焊盘具有小于第一厚度的第二厚度。提供从第二管芯焊盘表面突出到等于第一和第二厚度之间的差的高度的一个或多个柱状结构。在层状结构被夹在管芯的表面之间的情况下，第一管芯焊盘表面和柱形成件紧靠管芯表面。因此，管芯焊盘有效地夹持在夹持表面之间，以对抗第一管芯焊盘表面上的预模制材料的不合需要的飞边。
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公开(公告)号：CN115274472A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210475828.7
申请日：2022-04-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司 , 意法半导体有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及制造电子设备的方法以及对应的电子设备。一种衬底包括导电轨道。半导体芯片被布置在衬底上，并且芯片被电耦合到所述导电轨道中的选择导电轨道。在导电轨道上的选择位置提供容纳结构，其中容纳结构具有限定相应腔体的相应周界壁。每个腔体被配置成容纳引脚保持件的基部。这些引脚保持件被焊接在由容纳结构限定的腔体内的导电轨道上。每个容纳结构可以由阻焊材料环形成，该阻焊材料环被配置为接收焊料并且将引脚保持件保持在所需的对准位置。
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公开(公告)号：CN114725779A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210010974.2
申请日：2022-01-06
Applicant: 意法半导体股份有限公司 , 意法半导体(鲁塞)公司 , 意法半导体应用有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及用于生成光脉冲的电子模块和用于制造电子模块的方法。一种用于生成光脉冲的电子模块包括电子卡或插入器、激光二极管发光模块和激光二极管驱动器模块。插入器具有边缘凹槽，发光模块完全插入其中。驱动器模块被布置在插入器和发光模块的顶部。为了减少寄生电感，无需采用引线键合即可获得用于驱动激光二极管的电气连接。
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公开(公告)号：CN114334933A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111150863.3
申请日：2021-09-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Inventor： R·蒂齐亚尼
Abstract: 根据本公开的各实施例涉及半导体装置和制造半导体装置的对应方法。封装半导体装置包括基板，基板具有第一表面和第二表面，第二表面与第一表面相对。至少一个半导体裸片被安装在基板的第一表面处。导电引线被布置在基板周围，并且导电结构将至少一个半导体裸片耦合到导电引线的被选择的引线。封装模制材料被模制到至少一个半导体裸片上、导电引线上和导电结构上。封装模制材料使基板的第二表面未被封装模制材料覆盖。基板由电绝缘材料层形成。
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