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公开(公告)号:CN117990092A
公开(公告)日:2024-05-07
申请号:CN202311446195.8
申请日:2023-11-02
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01C21/16 , B81B7/00 , B81B7/02 , G01C19/5656
Abstract: MEMS设备由衬底以及被悬挂在该衬底上的可移动结构形成。可移动结构具有第一质量块、第二质量块以及机械地耦合在第一质量块与第二质量块之间的第一弹性组。第一弹性组沿第一方向是柔顺的。第一质量块被配置为沿第一方向相对于衬底移动。MEMS设备还具有:第二弹性组,机械地耦合在衬底与可移动结构之间并且沿第一方向是柔顺的;以及锚定控制结构,被固定到衬底,电容性地耦合到第二质量块,并且被配置为沿第一方向在第二质量块上施加静电力。锚定控制结构控制MEMS设备处于第一操作状态,其中第二质量块沿第一方向相对于衬底自由移动,并且控制MEMS设备处于第二操作状态,其中锚定控制结构在第二质量块上施加将第二质量块锚定到锚定结构的拉入力。
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公开(公告)号:CN115480389A
公开(公告)日:2022-12-16
申请号:CN202210602544.X
申请日:2022-05-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的各实施例涉及平面内移动质量块的MEMS致动器和包括MEMS致动器的光学模块。MEMS致动器包括质量块,质量块沿第一方向被悬置在衬底上方并且在限定垂直于第一方向的第二和第三方向的平面中延伸。被布置在衬底与质量块之间的弹性元件沿平行于第一方向的方向具有第一柔量,第一柔量小于沿平行于第二方向的方向的第二柔量。压电致动结构具有相对于衬底固定的部分和响应于致动电压而沿第一方向变形的部分。被耦合到压电致动结构的移动变换结构包括弹性移动转换结构,弹性移动转换结构被布置在压电致动结构与质量块之间。弹性移动转换结构在由第一和第二方向形成的平面中是柔性的,并且具有横向于第一和第二方向的第一轴线和第二惯性主轴线。
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公开(公告)号:CN117383505A
公开(公告)日:2024-01-12
申请号:CN202310839604.4
申请日:2023-07-10
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及包括可变形结构的MEMS设备以及MEMS设备的制造方法。MEMS设备包括:半导体主体,限定主腔,并且形成锚固结构;以及第一可变形结构,沿第一轴具有彼此相对的第一端和第二端,第一可变形结构经由第一端而被固定到锚固结构,以被悬置在主腔之上。第二端被配置为相对于锚固结构,沿第二轴振荡。第一可变形结构包括具有第一外表面和第二外表面的主体,以及在第一外表面之上延伸的压电结构。主体包括沿第二轴界定第一掩埋腔的底部部分和顶部部分,第一掩埋腔沿第二轴与压电结构对准,其中主体的顶部部分沿第二轴的最大厚度小于主体的底部部分沿第二轴的最小厚度。
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公开(公告)号:CN116553470A
公开(公告)日:2023-08-08
申请号:CN202310074280.X
申请日:2023-02-07
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及对拉入有弹性的长冲程MEMS致动器和包括致动器的电子系统。MEMS致动器,包括:衬底;第一半导体层和第二半导体层;框架,其包括由第二半导体层形成的横向区域,平行于第一方向伸长并且沿第二方向偏移,框架可平行于第二方向移动。MEMS致动器包括,针对每个横向区域:对应的前转子区域,其被固定到横向区域并且被悬置在衬底上方;第一定子区域和第二定子区域,其由第一半导体层形成,使得当框架处于静止位置时,横向区域相对于第一定子区域和第二定子区域侧向偏移,并且第一前转子区域部分地面对第一定子区域,并且使得在框架沿第二方向平移期间,当横向区域开始叠加在第一定子区域上时,第一前转子区域和/或第二前转子区域至少部分地面对第二定子区域。
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公开(公告)号:CN115808542A
公开(公告)日:2023-03-17
申请号:CN202211115999.5
申请日:2022-09-14
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01P15/097
Abstract: 本公开的实施例涉及具有改进的性能的检测结构的Z轴线谐振加速度计。检测结构包括惯性质量块,惯性质量块悬置在衬底上方,并且具有提供在惯性质量块并且在惯性质量块的整个厚度上穿过它的窗口。惯性质量块通过扭转类型的第一锚定弹性元件和第二锚定弹性元件耦合到主锚定件,主锚定件布置在窗口中,并且与衬底一体。检测结构还包括具有纵向延伸的至少第一谐振元件,第一谐振元件耦合在第一弹性元件和布置在窗口中的第一约束元件之间。第一约束元件悬置在衬底上方,通过第一辅助锚定元件固定地耦合到衬底,第一辅助锚定元件在具有纵向延伸的第一谐振元件下方延伸,并且一体地耦合在第一约束元件和主锚定件之间。
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公开(公告)号:CN221764498U
公开(公告)日:2024-09-24
申请号:CN202322957019.2
申请日:2023-11-02
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01C21/16 , B81B7/00 , B81B7/02 , G01C19/5656
Abstract: 本公开涉及MEMS设备和电子设备。MEMS设备由衬底和被悬挂在该衬底上的可移动结构形成。可移动结构具有第一质量块、第二质量块以及机械地耦合在它们之间的第一弹性组。第一弹性组沿第一方向是柔顺的。第一质量块被配置为沿第一方向相对于衬底移动。MEMS设备还具有:第二弹性组,机械地耦合在衬底与可移动结构之间并沿第一方向是柔顺的;以及锚定控制结构,被固定到衬底,电容性地耦合到第二质量块,并且被配置为沿第一方向在第二质量块上施加静电力。锚定控制结构控制MEMS设备处于第一操作状态,其中第二质量块沿第一方向相对于衬底自由移动,并且控制MEMS设备处于第二操作状态,其中锚定控制结构在第二质量块上施加将第二质量块锚定到锚定结构的拉入力。
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公开(公告)号:CN220766509U
公开(公告)日:2024-04-12
申请号:CN202321798138.1
申请日:2023-07-10
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及MEMS设备。MEMS设备包括:半导体主体,限定主腔,并且形成锚固结构;以及第一可变形结构,沿第一轴具有彼此相对的第一端和第二端,第一可变形结构经由第一端而被固定到锚固结构,以被悬置在主腔之上。第二端被配置为相对于锚固结构,沿第二轴振荡。第一可变形结构包括具有第一外表面和第二外表面的主体,以及在第一外表面之上延伸的压电结构。主体包括沿第二轴界定第一掩埋腔的底部部分和顶部部分,第一掩埋腔沿第二轴与压电结构对准,其中主体的顶部部分沿第二轴的最大厚度小于主体的底部部分沿第二轴的最小厚度。
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公开(公告)号:CN218181211U
公开(公告)日:2022-12-30
申请号:CN202221324536.5
申请日:2022-05-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的各实施例涉及MEMS致动器和装置。MEMS致动器包括质量块,质量块沿第一方向被悬置在衬底上方并且在限定垂直于第一方向的第二和第三方向的平面中延伸。被布置在衬底与质量块之间的弹性元件沿平行于第一方向的方向具有第一柔量,第一柔量小于沿平行于第二方向的方向的第二柔量。压电致动结构具有相对于衬底固定的部分和响应于致动电压而沿第一方向变形的部分。被耦合到压电致动结构的移动变换结构包括弹性移动转换结构,弹性移动转换结构被布置在压电致动结构与质量块之间。弹性移动转换结构在由第一和第二方向形成的平面中是柔性的,并且具有横向于第一和第二方向的第一轴线和第二惯性主轴线。保证了位移精度更高,使MEMS致动器的机械性能改进。
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公开(公告)号:CN220520143U
公开(公告)日:2024-02-23
申请号:CN202320142087.0
申请日:2023-02-07
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及微机电系统致动器和电子系统。MEMS致动器,包括:衬底;第一半导体层和第二半导体层;框架,其包括由第二半导体层形成的横向区域,平行于第一方向伸长并且沿第二方向偏移,框架可平行于第二方向移动。MEMS致动器包括,针对每个横向区域:对应的前转子区域,其被固定到横向区域并且被悬置在衬底上方;第一定子区域和第二定子区域,其由第一半导体层形成,使得当框架处于静止位置时,横向区域相对于第一定子区域和第二定子区域侧向偏移,并且第一前转子区域部分地面对第一定子区域,并且使得在框架沿第二方向平移期间,当横向区域开始叠加在第一定子区域上时,第一前转子区域和/或第二前转子区域至少部分地面对第二定子区域。由此,提供了改进的MEMS致动器。
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公开(公告)号:CN219065508U
公开(公告)日:2023-05-23
申请号:CN202222429774.9
申请日:2022-09-14
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01P15/097
Abstract: 本公开的实施例涉及谐振加速度计、用于其的检测结构以及电子装置。检测结构包括惯性质量块,惯性质量块悬置在衬底上方,并且具有提供在惯性质量块并且在惯性质量块的整个厚度上穿过它的窗口。惯性质量块通过扭转类型的第一锚定弹性元件和第二锚定弹性元件耦合到主锚定件,主锚定件布置在窗口中,并且与衬底一体。检测结构还包括具有纵向延伸的至少第一谐振元件,第一谐振元件耦合在第一弹性元件和布置在窗口中的第一约束元件之间。第一约束元件悬置在衬底上方,通过第一辅助锚定元件固定地耦合到衬底,第一辅助锚定元件在具有纵向延伸的第一谐振元件下方延伸,并且一体地耦合在第一约束元件和主锚定件之间。
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