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公开(公告)号:CN103400900B
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:CN201310346886.0
申请日:2013-08-08
Applicant: 扬州大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及ZnO量子点基深紫外传感器及制备方法。本发明将超细的ZnO量子点网络结构作为光电响应的活跃层,是通过ZnO量子点的制备再到ZnO量子点基深紫外传感器的制备过程。本发明解决了过去所存在的光电流的开关基于ZnO表面发生的氧吸附和解吸附的过程非常缓慢以及器件中设计一个有效的肖特基势垒难度大的缺陷。本发明采用简易的、低成本的自组装工艺设计了一个基于ZnO量子点的新型深紫外探测器件,其展现出高的光谱选择性、稳定的光开关行为、高的光电流响应度和快速的响应速度,具有显著的、快速且稳定的光电流开关特性:光电流开关比大于103,光电流上升和衰减时间都小于1s,提高了UV探测器的响应速度。
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公开(公告)号:CN103400900A
公开(公告)日:2013-11-20
申请号:CN201310346886.0
申请日:2013-08-08
Applicant: 扬州大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及ZnO量子点基深紫外传感器及制备方法。本发明将超细的ZnO量子点网络结构作为光电响应的活跃层,是通过ZnO量子点的制备再到ZnO量子点基深紫外传感器的制备过程。本发明解决了过去所存在的光电流的开关基于ZnO表面发生的氧吸附和解吸附的过程非常缓慢以及器件中设计一个有效的肖特基势垒难度大的缺陷。本发明采用简易的、低成本的自组装工艺设计了一个基于ZnO量子点的新型深紫外探测器件,其展现出高的光谱选择性、稳定的光开关行为、高的光电流响应度和快速的响应速度,具有显著的、快速且稳定的光电流开关特性:光电流开关比大于103,光电流上升和衰减时间都小于1s,提高了UV探测器的响应速度。
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公开(公告)号:CN104934567A
公开(公告)日:2015-09-23
申请号:CN201510333914.4
申请日:2015-06-17
Applicant: 扬州大学
Abstract: 一种PEC电池用高负载纳米催化剂的三维石墨烯电极制备方法,属于纳米功能材料领域。先将氧化石墨烯粉末分散于去离子水中,配置成氧化石墨烯溶液,然后将氧化石墨烯溶液和活性催化剂纳米材料加入水热反应釜中,将混合溶液封闭并升温进行水热反应;将水热反应取得三维圆柱状负载半导体纳米材料的多孔石墨烯放入冷冻干燥箱中,进行冷冻干燥后,再置于管式炉中退火,即获得高负载纳米催化剂的3D多孔石墨烯块体。通过以上方法制成的高负载纳米催化剂的3D多孔石墨烯块体可直接应用于PEC电极。
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公开(公告)号:CN104726936A
公开(公告)日:2015-06-24
申请号:CN201510147968.1
申请日:2015-03-27
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明涉及化学气相沉积制备正交相MoO3单晶纳米片方法。本发明对石英衬底清洗处理,先后放入丙酮、乙醇和去离子水中超声清洗,后用氮气吹干,取MoS2粉末0.2-0.5g放入陶瓷舟里,将其放在管式炉石英管中,将石英衬底放置在装有原料的陶瓷舟的下风口,封闭管式炉,通氩气冲洗管式炉,清洗完毕后,通入氩气和氧气的混合气体,打开真空机械泵,开启管式炉升温程序,使温度上升,然后自然降温,待冷却至室温,取出样品,石英衬底上生长了白色产物,即为单晶MoO3纳米片。本发明克服了湿化学剥离、微波法、水热法各自存在的缺陷。本发明扩展了α-MoO3纳米晶的制备技术;合成工艺简单、易控,使用原料和设备单一、便宜,制备流程安全无毒,快速高效;所得样品产率高。
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公开(公告)号:CN104258810A
公开(公告)日:2015-01-07
申请号:CN201410512998.3
申请日:2014-09-29
Applicant: 扬州大学
CPC classification number: B01J20/20 , B01J20/28009 , C02F1/288
Abstract: 本发明公开了一种基于四氧化三铁和石墨烯的复合磁吸附剂及其制备方法,所述基于四氧化三铁和石墨烯的吸附剂由氧化石墨烯和四氧化三铁两种组分组成,其中,氧化石墨烯与四氧化三铁质量比为1:1—8:1。本发明工艺简易、原料价格低廉,产品绿色无毒、可批量生产、具有高吸附性能又具有超顺磁性,能够高效地吸附重金属离子等污染物,并通过外磁场操控进行快速分离。
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