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发明公开
一种晶圆温度检测装置及其薄膜沉积设备审中-实审

公开(公告)号：CN119725134A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411918882.X

申请日：2024-12-24

Applicant: 拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司

Inventor： 周磊 , 王帅 , 沙俊汀 , 于成辉 , 刘震

IPC: H01L21/66 , C23C16/56 , C23C16/52 , H01L21/67

Abstract: 本发明公开了一种晶圆温度检测装置及其薄膜沉积设备，晶圆温度检测装置包括：晶圆降温缓冲站和温度检测组件，所述晶圆降温缓冲站内设有用于缓存晶圆的降温腔，所述温度检测组件包括若干温度传感器，所述温度传感器用于检测存储于所述降温腔内的晶圆。本发明的晶圆温度检测装置及其薄膜沉积设备，其通过在晶圆降温缓冲站内增加多个温度传感器，用于分别独立对每一片晶圆进行温度检测，从而可以实时、准确获取各晶圆降温数据。采用该检测装置的薄膜沉积设备，能够快速获取准确的降温数据，并根据实时降温数据控制机械臂将对应的晶圆传片，不仅可以防止温度过高烫伤传送盒，而且能够快速将降温完成的晶圆传出，提高工艺效率。

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