公开(公告)号：CN118653129A

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202311725595.2

申请日：2023-12-14

Applicant: 拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司

Inventor： 于成辉

IPC: C23C14/56 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01L21/683 ,  C23C14/54 ,  C23C16/54 ,  C23C16/52 ,  C23C16/46

Abstract: 本发明提供了一种真空镀膜设备、一种真空镀膜方法及一种计算机可读存储介质。所述真空镀膜设备包括反应腔室及机械手。所述反应腔室包括至少两个加热盘。第一加热盘配置有较长的第一顶针组。第二加热盘配置有较短的第二顶针组。所述机械手被配置为：从前端模块获取第一晶圆和/或第二晶圆；在高于所述第一顶针组顶端的第一高度，进行对准所述第一加热盘的第一位置纠偏；下降到介于所述第一顶针组顶端与所述第二顶针组顶端之间的第二高度，以将所述第一晶圆放置到所述第一顶针组的顶端，再进行对准所述第二加热盘的第二位置纠偏；以及下降到低于所述第二顶针组顶端的第三高度，以将所述第二晶圆放置到所述第二顶针组的顶端。

公开(公告)号：CN118639208A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202311722742.0

申请日：2023-12-14

Applicant: 拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司

Inventor： 于成辉

IPC: C23C14/56 ,  H01L21/687 ,  H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  C23C14/54 ,  C23C16/54 ,  C23C16/52 ,  C23C16/46

Abstract: 本发明提供了一种晶圆传输方法、一种晶圆传输系统、一种真空镀膜设备及一种计算机可读存储介质。所述晶圆传输方法包括以下步骤：获取反应腔室中的两个加热盘之间的第一间距及机械手承载晶圆的两个指部之间的第二间距；根据预设的标准位置，控制所述机械手从第一高度进入所述反应腔室，并根据所述偏差调节量进行对准所述第一加热盘的第一位置纠偏；控制所述机械手下降到介于所述第一顶针组顶端与所述第二顶针组顶端之间的第二高度，以将第一晶圆放置到所述第一顶针组的顶端，并根据所述偏差调节量进行对准所述第二加热盘的第二位置纠偏；以及控制所述机械手下降到低于所述第二顶针组顶端的第三高度，以将第二晶圆放置到所述第二顶针组的顶端。

公开(公告)号：CN118983254A

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202411070974.7

申请日：2024-08-05

Applicant: 拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司

Inventor： 王磊 ,  沙俊汀 ,  于成辉

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677

Abstract: 本发明公开了一种晶圆传片位置校准方法、装置及应用其的薄膜沉积设备，该方法包括：获取用于支撑晶圆的至少三个支撑位在腔体中的空间位置，根据空间位置确定晶圆与腔体之间的水平度偏差，并基于水平度偏差对支撑位的水平度进行调平；将晶圆传入到腔体中并放置在支撑位上；获取晶圆在腔体中的第一中心位置和加热器在腔体中的第二中心位置，根据第一中心位置和第二中心位置确定晶圆与加热器之间的中心位置偏差，并根据中心位置偏差来对晶圆的传片位置进行校准。本申请可以精准地识别出晶圆与腔体之间的水平度偏差，晶圆与加热器之间的中心位置偏差，基于此能够一次性完成晶圆的传片位置校准，无需多次调试，提高了校准的精确性和校准效率。

公开(公告)号：CN119725134A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411918882.X

申请日：2024-12-24

Applicant: 拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司

Inventor： 周磊 ,  王帅 ,  沙俊汀 ,  于成辉 ,  刘震

IPC: H01L21/66 ,  C23C16/56 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明公开了一种晶圆温度检测装置及其薄膜沉积设备，晶圆温度检测装置包括：晶圆降温缓冲站和温度检测组件，所述晶圆降温缓冲站内设有用于缓存晶圆的降温腔，所述温度检测组件包括若干温度传感器，所述温度传感器用于检测存储于所述降温腔内的晶圆。本发明的晶圆温度检测装置及其薄膜沉积设备，其通过在晶圆降温缓冲站内增加多个温度传感器，用于分别独立对每一片晶圆进行温度检测，从而可以实时、准确获取各晶圆降温数据。采用该检测装置的薄膜沉积设备，能够快速获取准确的降温数据，并根据实时降温数据控制机械臂将对应的晶圆传片，不仅可以防止温度过高烫伤传送盒，而且能够快速将降温完成的晶圆传出，提高工艺效率。

公开(公告)号：CN221947083U

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202322996692.7

申请日：2023-11-06

Applicant: 拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司

Inventor： 潘禄 ,  沙俊汀 ,  于成辉 ,  李宇 ,  周磊

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/687

Abstract: 本实用新型提供了一种晶圆测试平台。所述晶圆测试平台包括设备前端模块、负载锁存腔及测试腔，所述设备前端模块用于从前端系统获取待测试的晶圆，并将完成测试的晶圆返回所述前端系统。所述负载锁存腔位于所述设备前端模块及后端的测试腔之间，用于将所述待测试的晶圆从所述设备前端模块传输到所述测试腔，并将所述完成测试的晶圆从所述测试腔返回到所述前端系统。所述负载锁存腔中包括用于承载所述晶圆的支架。所述支架具有直径为8英寸的边缘限位部及多个支撑点。所述多个支撑点所在的圆的直径小于6英寸。所述测试腔用于进行6英寸及8英寸的晶圆测试。