-
公开(公告)号：CN115094390A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210567743.1
申请日：2015-09-28
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Abstract: 本发明涉及溅射靶用母合金和溅射靶的制造方法。本发明提供一种溅射靶用母合金，其为用于溅射靶的母合金，其特征在于，将构成母合金的元素设为以下的X1、X2、Y1、Y2、Y3时，X1：Ta或W中的一种或两种，X2：Ru、Mo、Nb或Hf中的一种以上，Y1：Cr或Mn中的一种或两种，Y2：Co或Ni中的一种或两种，Y3：Ti或V中的一种或两种，所述母合金包含上述构成元素的X1‑Y1、X1‑Y2、X1‑Y3、X2‑Y1、X2‑Y2中的任一种组合。由此具有下述优良效果：能够得到缺陷少、高密度且均匀的合金组成的靶，并且通过使用该靶，可以提供能够以高速进行均质且粉粒少的合金阻挡膜的成膜的烧结体溅射靶。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106133185B
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201580016385.3
申请日：2015-03-12
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Abstract: 一种Ni‑P合金溅射靶的制造方法，其特征在于，将P含量为15重量％～21重量％、剩余部分包含Ni和不可避免的杂质的Ni‑P合金熔化，并进行雾化加工，从而制造平均粒径100μm以下的Ni‑P合金雾化加工粉，然后将纯Ni雾化粉与该Ni‑P合金雾化加工粉混合，并对其进行热压。本发明的课题在于提供一种与目标组成的偏离小的Ni‑P合金溅射靶的制造方法。
-
公开(公告)号：CN108291295B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201780003924.9
申请日：2017-03-23
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Abstract: 一种Ti‑Ta合金溅射靶，其含有0.1原子％～30原子％的Ta，剩余部分包含Ti和不可避免的杂质，其特征在于，所述溅射靶的氧含量为400重量ppm以下。本发明具有如下优良的效果：由于氧含量低且硬度低，因此容易进行加工并且具有良好的表面性状，因此，在溅射时能够抑制粉粒的产生。
-
公开(公告)号：CN107075666A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580052685.7
申请日：2015-09-28
Applicant: 捷客斯金属株式会社
IPC: C23C14/34 , C22C5/04 , C22C14/00 , C22C19/03 , C22C19/07 , C22C22/00 , C22C27/00 , C22C27/02 , C22C27/04 , C22C27/06
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C1/045 , C22C5/04 , C22C14/00 , C22C19/03 , C22C19/07 , C22C22/00 , C22C27/00 , C22C27/02 , C22C27/04 , C22C27/06 , C23C14/165 , H01J37/3426
Abstract: 本发明提供一种溅射靶用母合金，其为用于溅射靶的母合金，其特征在于，将构成母合金的元素设为以下的X1、X2、Y1、Y2、Y3时，X1：Ta或W中的一种或两种，X2：Ru、Mo、Nb或Hf中的一种以上，Y1：Cr或Mn中的一种或两种，Y2：Co或Ni中的一种或两种，Y3：Ti或V中的一种或两种，所述母合金包含上述构成元素的X1‑Y1、X1‑Y2、X1‑Y3、X2‑Y1、X2‑Y2中的任一种组合。由此具有下述优良效果：能够得到缺陷少、高密度且均匀的合金组成的靶，并且通过使用该靶，可以提供能够以高速进行均质且粉粒少的合金阻挡膜的成膜的烧结体溅射靶。
-
公开(公告)号：CN106133185A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201580016385.3
申请日：2015-03-12
Applicant: 捷客斯金属株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F1/0003 , B22F3/15 , B22F5/003 , B22F9/082 , B22F2301/15 , B22F2998/10 , C22C1/0433 , C22C19/03 , C23C14/14 , G11B5/647 , G11B5/851 , H01J37/3426 , H01J37/3429 , H01J37/3491 , B22F3/14
Abstract: 一种Ni‑P合金溅射靶的制造方法，其特征在于，将P含量为15重量％～21重量％、剩余部分包含Ni和不可避免的杂质的Ni‑P合金熔化，并进行雾化加工，从而制造平均粒径100μm以下的Ni‑P合金雾化加工粉，然后将纯Ni雾化粉与该Ni‑P合金雾化加工粉混合，并对其进行热压。本发明的课题在于提供一种与目标组成的偏离小的Ni‑P合金溅射靶的制造方法。
-
公开(公告)号：CN108291295A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201780003924.9
申请日：2017-03-23
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Abstract: 一种Ti-Ta合金溅射靶，其含有0.1原子％～30原子％的Ta，剩余部分包含Ti和不可避免的杂质，其特征在于，所述溅射靶的氧含量为400重量ppm以下。本发明具有如下优良的效果：由于氧含量低且硬度低，因此容易进行加工并且具有良好的表面性状，因此，在溅射时能够抑制粉粒的产生。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.031 seconds)
