公开(公告)号：CN107109636B

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201680004806.5

申请日：2016-11-02

Applicant: 迪睿合株式会社

Inventor： 菅原淳一 ,  加守雄一

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/453

CPC classification number: H01J37/3426 ,  C04B35/453 ,  C04B35/62635 ,  C04B35/64 ,  C04B35/645 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3263 ,  C04B2235/3268 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/404 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/08 ,  C23C14/083 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  G11B7/241 ,  G11B7/243 ,  G11B7/266 ,  G11B2007/24304 ,  G11B2007/24306 ,  G11B2007/2432

Abstract: 提供可供DC溅射的Mn‑Zn‑O类溅射靶材及其制造方法。本发明的Mn‑Zn‑O类溅射靶材的特征在于，在成分组成中含有Mn、Zn、O和元素X(其中，元素X是选自W和Mo的单独1种或2种的元素)，相对密度为90%以上，并且，比电阻为1×10‑3Ω・cm以下。

公开(公告)号：CN106574362B

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：CN201580042283.9

申请日：2015-06-18

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 中村真也 ,  池田佳广 ,  藤井佳词 ,  宫口有典

IPC: C23C14/34

CPC classification number: H01J37/3435 ,  C23C14/081 ,  C23C14/3407 ,  H01J37/3423 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3497

Abstract: 本发明提供一种靶组件，其可抑制背板的延伸部分和靶侧面之间发生异常放电，同时可靠地防止结合靶和背板的粘接材料向外部渗出。背板(22)具有比靶(21)的外周边更向外延伸的延伸部分(22a)。环状的屏蔽板(4)与延伸部分相对配置，以便在将靶组件(2)安装在溅射装置(SM)上时围住靶。以背板上结合有靶的部分作为接合部分(22b)，该接合部分相对于延伸部分凸出设置。使从延伸部分到接合部分的侧面的外表面都粗糙化。从延伸部分到靶的侧面都形成绝缘材料膜(23)。

公开(公告)号：CN109790617A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201780060621.0

申请日：2017-09-08

Applicant: 普兰西股份有限公司

Inventor： 迈克尔·艾登贝格-肖伯 ,  乔格·温克勒 ,  迈克尔·欧苏利文

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/14 ,  B22F3/15 ,  C22C1/04

CPC classification number: H01J37/3426 ,  B22F3/15 ,  B22F3/24 ,  B22F2003/185 ,  B22F2003/248 ,  B22F2201/01 ,  B22F2301/20 ,  B22F2998/10 ,  C22C1/045 ,  C22C27/04 ,  C23C14/14 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3491 ,  B22F5/00

Abstract: 本发明涉及一种溅镀靶材，所述溅镀靶材含有钼和来自群组(钽、铌)的至少一种金属，其中来自所述群组(钽、铌)的金属的平均含量为5at％至15at％，以及钼含量大于或等于80at％。所述溅镀靶材包括至少一个基质，所述基质具有大于或等于92at％的平均钼含量；以及粒子，所述粒子由含有来自所述群组(钽、铌)的至少一种金属和钼的混晶构成并嵌入于所述基质中，所述粒子具有大于或等于15at％的平均钼含量。本发明进一步涉及一种用于制造溅镀靶材的方法。

公开(公告)号：CN106574359B

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201580034459.6

申请日：2015-06-25

Applicant: 住友金属矿山株式会社

Inventor： 小泽诚 ,  安东勋雄

IPC: C23C14/34 ,  C04B41/80 ,  C04B35/01 ,  C04B37/02

CPC classification number: C23C14/3407 ,  C04B35/457 ,  C04B37/021 ,  C04B37/023 ,  C04B41/80 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/403 ,  C04B2237/406 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/52 ,  C23C14/34 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3423 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3429 ,  H01J37/3491

Abstract: 本发明提供电弧、结节的产生极少的溅射靶及其制造方法。加工由氧化物烧结体构成的材料而得到平板状或圆筒形靶材(3、13)。此时，使用规定粒度的磨石，并根据该磨石的粒度对所述材料中成为溅射面(5、15)的面，实施一次以上的粗磨，然后，实施一次以上的清磨，从而将溅射面(5、15)的表面粗糙度控制在以算数平均粗糙度Ra计为0.9μm以上、以最大高度Rz计为10.0μm以下、并且以十点平均粗糙度RzJIS计为7.0μm以下。介由接合层(4、14)将所得到的靶材(3、13)与支撑本体(2、12)接合而制成溅射靶(1、11)。

公开(公告)号：CN105593406B

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201480054142.4

申请日：2014-07-31

Applicant: H.C.施塔克公司

Inventor： S·A·米勒

IPC: C23C24/00 ,  B05D5/00 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C23C24/04 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3426 ,  H01J2237/081 ,  H01J2237/332

Abstract: 在各种实施方案中，通过喷涂沉积靶材的颗粒以至少部分填充某些区域(例如，最深侵蚀的区域)而在其他侵蚀区域(例如，更少侵蚀的区域)内没有喷涂沉积来部分地翻新侵蚀溅射靶。在溅射性能(例如，溅射速率)和/或溅射膜的性能没有实质性改变的情况下，部分地翻新的溅射靶可以在部分翻新后溅射。

公开(公告)号：CN107466328A

公开(公告)日：2017-12-12

申请号：CN201680021087.8

申请日：2016-04-01

Applicant: 东曹SMD有限公司

Inventor： E.Y.伊万诺夫 ,  M.费希尔 ,  A.库恩

IPC: C23C14/34 ,  C22C27/02

CPC classification number: C23C14/3414 ,  B21B1/024 ,  B21B1/026 ,  B21B15/0007 ,  B21B2015/0014 ,  B21B2015/0021 ,  C22C27/02 ,  C22F1/18 ,  H01J37/3426

Abstract: Ta溅射靶的制造方法和由其制成的溅射靶。将Ta锭沿着x、y和z维度的至少两个进行压缩，且然后在这些维度的至少一个上进行横轧。然后，由经横轧的锭切割出一对靶坯。所得的靶主要具有混合的{100}和{111}织构，且具有减少的B{100}和B{111}成带系数。

公开(公告)号：CN107313021A

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：CN201710228703.3

申请日：2017-04-10

Applicant: SPTS科技有限公司

Inventor： 斯科特·海莫尔 ,  阿米特·拉斯托吉 ,  R·辛德曼 ,  史蒂夫·伯吉斯 ,  I·蒙克里夫 ,  克里斯·肯德尔

IPC: C23C14/50 ,  C23C14/35 ,  C23C14/06

CPC classification number: H01J37/3405 ,  C23C14/0617 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/345 ,  C23C14/35 ,  C23C14/505 ,  H01J37/32706 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3426

Abstract: 本发明涉及一种用于在基底上沉积膜的DC磁控溅射设备，所述DC磁控溅射设备包括：腔室；放置在所述腔室内的基底支撑件；DC磁控管；以及用于提供电偏压信号的电信号供应装置，在使用期间所述电偏压信号致使离子轰击放置在所述基底支撑件上的基底；其中，所述基底支撑件包括被边缘区域环绕的中心区域，所述中心区域相对于所述边缘区域是凸起的。本发明还涉及一种用于在基底上沉积膜的方法。

公开(公告)号：CN107109636A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201680004806.5

申请日：2016-11-02

Applicant: 迪睿合株式会社

Inventor： 菅原淳一 ,  加守雄一

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/453

CPC classification number: H01J37/3426 ,  C04B35/453 ,  C04B35/62635 ,  C04B35/64 ,  C04B35/645 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3263 ,  C04B2235/3268 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/404 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/08 ,  C23C14/083 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  G11B7/241 ,  G11B7/243 ,  G11B7/266 ,  G11B2007/24304 ,  G11B2007/24306 ,  G11B2007/2432

Abstract: 提供可供DC溅射的Mn‑Zn‑O类溅射靶材及其制造方法。本发明的Mn‑Zn‑O类溅射靶材的特征在于，在成分组成中含有Mn、Zn、O和元素X(其中，元素X是选自W和Mo的单独1种或2种的元素)，相对密度为90%以上，并且，比电阻为1×10‑3Ω・cm以下。

公开(公告)号：CN104395497B

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201380010823.6

申请日：2013-01-15

Applicant: 吉坤日矿日石金属株式会社

Inventor： 高见英生 ,  荒川笃俊

IPC: C23C14/34 ,  G11B5/64 ,  G11B5/65 ,  G11B5/851

CPC classification number: H01J37/3426 ,  C23C14/0688 ,  C23C14/14 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/564 ,  G11B5/851 ,  H01J37/3429 ,  H01J2237/332

Abstract: 一种强磁性材料溅射靶，其含有包含钴；或者钴、铬；或者钴、铂；或者钴、铬、铂的基体相和至少包含铬氧化物的氧化物相，其特征在于，含有合计为100重量ppm以上且15000重量ppm以下的Zr、W中的任意一种以上元素，相对密度为97％以上。本发明的课题在于提供在保持高密度的同时使氧化物相的颗粒均匀地微细化且粉粒产生少的含有铬氧化物的强磁性材料溅射靶。

公开(公告)号：CN106795625A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201680002499.7

申请日：2016-03-15

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 藤井佳词 ,  中村真也

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/40 ,  C23C14/50 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32697 ,  C23C14/081 ,  C23C14/345 ,  C23C14/35 ,  C23C14/50 ,  C23C14/52 ,  C23C14/542 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/347 ,  H01J37/3476

Abstract: 本发明提供一种可尽量抑制处理基板上的反溅射量并高效成膜的高频溅射装置。在真空中向靶(21)施加高频电力并对处理基板(W)的一面(Wa)进行成膜处理的本发明的高频溅射装置(SM)，其具有在处理基板的一面开放且电绝缘的状态下保持处理基板的台架(4)。台架具有位于该处理基板的保持面的凹部(42)，在以处理基板保持为处理基板的外周边部与台架的保持面(41)抵接时处理基板的另一面和凹部的轮廓所限定的空间(43)内，设置可在接近处理基板的方向或远离处理基板的方向上自由移动的与地线连接的可移动体(44)。