公开(公告)号：CN1647214B

公开(公告)日：2010-04-28

申请号：CN03807744.2

申请日：2003-02-14

Applicant: 斯班逊有限公司

Inventor： 李宾宽 ,  钟成智 ,  陈伯苓

IPC: G11C16/04 ,  G11C16/28

CPC classification number: G11C16/3431 ,  G11C16/0475 ,  G11C16/3418

Abstract: 一种闪存阵列，其具有被分成连接到字线(12、202、208)的区段的多个双位存储单元(10、210、212、214、216、220、222)以及一对参考单元(218)，此参考单元与各区段逻辑地相关。一种将需要改变的区段或者多个区段字再编程的方法，包括将允许的改变输入到闪存阵列；在各区段中读取受到改变的字或者多个字；对各区段中将受到改变的字或者多个字中的位进行编程；将在受到改变的字或者多个字中的先前受到编程的位更新；将在各区段中改变的字或者多个字中先前受到编程的位更新；将在各区段中剩余字或者多个字中先前受到编程的位更新；以及将在已经被改变的区段中的各对参考单元中先前受到编程的位(10、210、212、214、216、220、222)予以更新。

公开(公告)号：CN100538897C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN03807742.6

申请日：2003-02-14

Applicant: 斯班逊有限公司

Inventor： 李宾宽 ,  陈伯苓

IPC: G11C16/04 ,  G11C16/34

CPC classification number: G11C16/107 ,  G11C16/0475 ,  G11C16/3409 ,  G11C2216/18

Abstract: 一种循环双位闪存阵列的方法，该阵列具有复数个排列在复数个扇区(302)中的双位闪存单元(10)，各扇区具有相关参考阵列，该相关参考阵列具有双位闪存单元(10)，这些双位闪存单元(10)连同扇区中的复数个双位闪存单元(10)一起循环。随后则对该相关参考阵列中的双位闪存单元(10)进行编程。

公开(公告)号：CN100561598C

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200480006883.1

申请日：2004-03-01

Applicant: 斯班逊有限公司

Inventor： 李宾宽 ,  陈伯苓 ,  R·塔索

IPC: G11C16/26

CPC classification number: G11C16/26 ,  G09G3/2932 ,  G09G2310/06 ,  G09G2310/066 ,  G09G2320/041 ,  G11C16/0475 ,  G11C16/0491 ,  G11C16/24

Abstract: 公开了一种用于在读取操作期间读出目标单元内电流的存储器电路。依据一个示意性实施例，此存储器电路包含目标单元(305)、第一邻近单元(355)、和运算放大器(381)。第一目标单元的第一位线(316)连接至接地端；目标单元的第二位线(321)则连接至漏极电压。读出电路(360)在第一节点(320)连接至第一位线(316)或第二位线(321)的至少其中之一。第一邻近单元(355)的第三位线(341)连接至第二节点(350)。运算放大器(381)的输出端在读取操作期间在第二节点(350)连接至第三位线(341)。运算放大器(381)的非反相输入端连接至第一节点(320)，且其反相输入端连接至第二节点(350)。

公开(公告)号：CN100470679C

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN03811863.7

申请日：2003-04-22

Applicant: 斯班逊有限公司

Inventor： 李宾宽 ,  D·汉密尔顿 ,  K·坦派尔若杰 ,  刘智征 ,  何毅 ,  郑伟 ,  陈伯苓 ,  M·范博斯科克

IPC: G11C16/16 ,  G11C16/04 ,  G11C11/56

CPC classification number: G11C16/107 ,  G11C11/5635 ,  G11C11/5671 ,  G11C16/0475 ,  G11C16/16

Abstract: 一种擦除闪存单元扇区的方法，其中对该闪存单元扇区施加第一组预设的预先擦除电压(步骤402)。在施加第一组预设的预先擦除电压之后，判定是否应该在闪存单元扇区上施加另一组的预设预先擦除电压(步骤410)。假使无须施加另一组预设预先擦除电压，则对扇区进行标准擦除过程(步骤411)。