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公开(公告)号：CN101366092A
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200680033128.1
申请日：2006-09-07
Applicant: 斯班逊有限公司
CPC classification number: G11C16/0491 , G11C16/0475 , G11C16/10
Abstract: 本发明提供一种用于编程包含存储单元(201)之数组之非易失性存储数组(102)之方法，其中各存储单元(201)包含基板(315)、控制栅极(328)、具有至少二个电荷储存区(432、433)以用于储存至少二个独立的电荷之电荷储存组件(322)、源极区域(203)和漏极区域(202)。该方法包含指定至少一个存储单元作为高速存储单元(802)以及藉由设置该至少二个电荷储存区(432、433)之其中第一者成为编程状态(804)而预先调整(pre－condition)高速存储单元(201)之状况，并接着用原较高的速率致能第二区上的编程。
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公开(公告)号：CN101263563B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN200680033325.3
申请日：2006-09-08
Applicant: 斯班逊有限公司
Abstract: 本发明提供一种方法用于编程包含存储器单元(201)之阵列(102)之非易失性存储器阵列，其中各存储器单元(201)包括基板(310)、控制栅极(328)、电荷储存组件(322)、源极区域(203)及漏极区域(202)。该方法包括接收含有将在该阵列中被编程之预定数量之位的编程窗(programming window)(700)，及判定该预定数量之位中哪几个位将于该存储器阵列中被编程(703)。该预定数量之位系同时被编程至该阵列中之对应的存储器单元(705)。该阵列中之该预定数量之位的编程状态系同时被验证(708)。
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公开(公告)号：CN101366092B
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200680033128.1
申请日：2006-09-07
Applicant: 斯班逊有限公司
CPC classification number: G11C16/0491 , G11C16/0475 , G11C16/10
Abstract: 本发明提供一种用于编程包含存储单元(201)之数组之非易失性存储数组(102)之方法，其中各存储单元(201)包含基板(315)、控制栅极(328)、具有至少二个电荷储存区(432、433)以用于储存至少二个独立的电荷之电荷储存组件(322)、源极区域(203)和漏极区域(202)。该方法包含指定至少一个存储单元作为高速存储单元(802)以及藉由设置该至少二个电荷储存区(432、433)之其中第一者成为编程状态(804)而预先调整(pre-condition)高速存储单元(201)之状况，并接着用远较高的速率致能第二区上的编程。
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公开(公告)号：CN101263563A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200680033325.3
申请日：2006-09-08
Applicant: 斯班逊有限公司
Abstract: 本发明提供一种方法用于编程包含存储器单元(201)之阵列(102)之非易失性存储器阵列，其中各存储器单元(201)包括基板(310)、控制栅极(328)、电荷储存组件(322)、源极区域(203)及漏极区域(202)。该方法包括接收含有将在该阵列中被编程之预定数量之位的编程窗(programming window)(700)，及判定该预定数量之位中哪几个位将于该存储器阵列中被编程(703)。该预定数量之位系同时被编程至该阵列中之对应的存储器单元(705)。该阵列中之该预定数量之位的编程状态系同时被验证(708)。
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