公开(公告)号：CN1864231B

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN200480028952.9

申请日：2004-09-16

Applicant: 斯班逊有限公司

Inventor： D·汉密尔顿 ,  Z·刘 ,  M·W·伦道夫 ,  Y·何 ,  E·夏 ,  K·坦派罗 ,  M·李 ,  A·马达哈尼

IPC: G11C16/34 ,  G11C16/04

CPC classification number: G11C16/3404 ,  G11C16/0475 ,  G11C16/107 ,  G11C16/3409 ,  G11C16/344 ,  G11C16/3445 ,  G11C16/345

Abstract: 一种擦除由多个存储单元(10)所组成的快闪电可擦除只读存储器(EEPROM)装置的方法，包括预编程(100)多个存储单元(10)、施加擦除脉冲(110)至所述的多个存储单元(10)、接着进行擦除检验(120)。擦除检验(120)后接着软编程(135)任何具有阈值电压低于预定最小电位(VTMIN)的存储单元，并施加正栅极应力(130)至所述的多个存储单元(10)。本擦除方法可防止过度擦除并提供严格的阈值电压分布。