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公开(公告)号：CN101199024A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200680009994.7
申请日：2006-03-29
Applicant: 桑迪士克股份有限公司
Inventor： 东谷正昭
CPC classification number: G11C16/3445 , G11C8/08 , G11C11/5628 , G11C11/5635 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/12 , G11C16/16 , G11C16/3404 , G11C16/3409 , G11C16/345 , G11C16/3454 , G11C16/3468 , G11C16/3472 , G11C16/3477 , G11C2211/5621 , G11C2216/18
Abstract: 在擦除操作期间改变施加至非易失性存储器系统的存储器单元的电压条件，以使选择存储器单元与所述系统中当前正被擦除的其它存储器单元的擦除行为均衡化。所改变的条件可补偿NAND串内的电容性耦合电压。在偏置NAND串以进行擦除操作并开始施加擦除电压脉冲后，可使一个或一个以上内部存储器单元的字线浮动。通过使所选内部字线浮动，在耦合至其的单元的隧道电介质区域上所形成的峰值擦除电位从其正常电平降低。因此，这些单元的擦除速率被减慢以大致匹配所述串中较慢擦除的末端存储器单元。可在不同的时间使不同的字线浮动以使不同存储器单元的擦除行为改变不同的量。
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公开(公告)号：CN103943147B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201410018415.1
申请日：2014-01-16
Applicant: 恩智浦美国有限公司
Inventor： J·S·朝伊
IPC: G11C16/10
CPC classification number: G11C16/345 , G11C7/04 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C29/021 , G11C29/028 , G11C2029/5002
Abstract: 本发明涉及使用温度传感器自适应软编程非易失存储器的系统及方法。擦除具有位单元的阵列的非易失性存储器（NVM）包括在所述位单元的初始擦除之后进行软编程。过擦除的位单元被确定。温度被检测。基于所述温度的第一软编程栅电压被提供。使用所述第一软编程栅电压对所述过擦除的位单元进行软编程被执行。任何剩余的过擦除的位单元被确定。如果有任何剩余的过擦除的位单元，使用从所述第一软编程栅电压递增的第二软编程栅电压对所述剩余的过擦除的位单元执行软编程。
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公开(公告)号：CN101218651B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN200680010518.7
申请日：2006-03-29
Applicant: 桑迪士克科技公司
IPC: G11C16/34
CPC classification number: G11C16/3409 , G11C11/5628 , G11C11/5635 , G11C16/0483 , G11C16/12 , G11C16/16 , G11C16/3404 , G11C16/345 , G11C16/3454 , G11C16/3468 , G11C16/3472 , G11C16/3477 , G11C2211/5621 , G11C2216/18
Abstract: 将一组非易失性存储元件划分为子组进行软编程，以便更完全地软编程较慢的软编程元件。所述整个组的元件经软编程，直到被验证为经软编程为止(或直到第一子组元件被验证为经软编程，同时从验证中排除第二子组为止)。在所述组被验证为经软编程之后，第一子组元件被抑制进一步软编程，同时对第二子组元件实施额外的软编程。第二子组可包含较慢的软编程元件。第二子组可接着经历软编程验证，同时从验证中排除所述第一子组。针对所述第二子组的软编程和验证可持续，直到其被验证为经软编程为止。取决于哪一子组正经软编程和验证，可使用不同的步长大小以增加软编程信号的大小。
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公开(公告)号：CN102855937A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210214479.X
申请日：2012-06-27
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Inventor： 李炯珉
CPC classification number: G11C16/06 , G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/345
Abstract: 本发明提供了半导体存储器件及其操作方法。所述操作方法包括：执行第一LSB编程循环，以将第一LSB数据存储在字线的第一存储单元中；执行第二LSB编程循环，以将第二LSB数据存储在所选字线的第二存储单元中，并检测具有低于呈负电位的过擦除参考电压的阈值电压的过擦除存储单元以将所述阈值电压提高至高于所述过擦除参考电压；执行第一MSB编程循环，以将第一MSB数据存储在所述第一存储单元中；以及，执行第二MSB编程循环，以将第二MSB数据存储在所述第二存储单元。
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公开(公告)号：CN101213614A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200680009937.9
申请日：2006-03-29
Applicant: 桑迪士克股份有限公司
IPC: G11C16/34
CPC classification number: G11C16/344 , G11C11/5628 , G11C11/5635 , G11C16/0483 , G11C16/12 , G11C16/16 , G11C16/3404 , G11C16/3409 , G11C16/3445 , G11C16/345 , G11C16/3454 , G11C16/3468 , G11C16/3472 , G11C16/3477 , G11C2211/5621 , G11C2216/18
Abstract: 将一组非易失性存储元件划分为子组进行擦除，以便避免过度擦除较快擦除存储元件。擦除整个所述组元件，直到所述组元件的第一子组被验证为经擦除为止。所述第一子组可包含较快擦除单元。验证所述第一子组包含从验证中排除第二子组。在所述第一子组被验证为经擦除之后，其被抑制擦除，同时进一步擦除所述第二子组。当所述第二子组被验证为经擦除时，所述组元件被验证为经擦除。验证所述组元件经擦除可包含从验证中排除所述第一子组或一起验证所述第一和第二子组两者。取决于正擦除和验证哪个子组而使用不同的步长大小，以便更有效且准确地擦除所述组元件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109147854A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810299568.6
申请日：2018-04-04
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Inventor： 洪志满
CPC classification number: G11C16/3404 , G11C11/5621 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/24 , G11C16/26 , G11C16/3459 , G11C16/345 , G11C16/12 , G11C16/3472
Abstract: 本发明涉及一种数据存储装置，其包括：控制器，适于传输搜索命令；以及非易失性存储器装置，适于基于命令执行在多个页面中搜索被擦除的页面的擦除页面搜索操作，并且将与搜索到的页面有关的信息传输到控制器。
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公开(公告)号：CN103943147A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410018415.1
申请日：2014-01-16
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
Inventor： J·S·朝伊
IPC: G11C16/10
CPC classification number: G11C16/345 , G11C7/04 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C29/021 , G11C29/028 , G11C2029/5002
Abstract: 本发明涉及使用温度传感器自适应软编程非易失存储器的系统及方法。擦除具有位单元的阵列的非易失性存储器（NVM）包括在所述位单元的初始擦除之后进行软编程。过擦除的位单元被确定。温度被检测。基于所述温度的第一软编程栅电压被提供。使用所述第一软编程栅电压对所述过擦除的位单元进行软编程被执行。任何剩余的过擦除的位单元被确定。如果有任何剩余的过擦除的位单元，使用从所述第一软编程栅电压递增的第二软编程栅电压对所述剩余的过擦除的位单元执行软编程。
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公开(公告)号：CN1864231B
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200480028952.9
申请日：2004-09-16
Applicant: 斯班逊有限公司
CPC classification number: G11C16/3404 , G11C16/0475 , G11C16/107 , G11C16/3409 , G11C16/344 , G11C16/3445 , G11C16/345
Abstract: 一种擦除由多个存储单元(10)所组成的快闪电可擦除只读存储器(EEPROM)装置的方法，包括预编程(100)多个存储单元(10)、施加擦除脉冲(110)至所述的多个存储单元(10)、接着进行擦除检验(120)。擦除检验(120)后接着软编程(135)任何具有阈值电压低于预定最小电位(VTMIN)的存储单元，并施加正栅极应力(130)至所述的多个存储单元(10)。本擦除方法可防止过度擦除并提供严格的阈值电压分布。
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公开(公告)号：CN1864231A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200480028952.9
申请日：2004-09-16
Applicant: 先进微装置公司
CPC classification number: G11C16/3404 , G11C16/0475 , G11C16/107 , G11C16/3409 , G11C16/344 , G11C16/3445 , G11C16/345
Abstract: 一种擦除由多个存储单元(10)所组成的快闪电可擦除只读存储器(EEPROM)装置的方法，包括预编程(100)多个存储单元(10)、施加擦除脉冲(110)至所述的多个存储单元(10)、接着进行擦除检验(120)。擦除检验(120)后接着软编程(135)任何具有阈值电压低于预定最小电位(VTMIN)的存储单元，并施加正栅极应力(130)至所述的多个存储单元(10)。本擦除方法可防止过度擦除并提供严格的阈值电压分布。
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公开(公告)号：CN102855937B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201210214479.X
申请日：2012-06-27
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Inventor： 李炯珉
CPC classification number: G11C16/06 , G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/345
Abstract: 提供了半导体存储器件及其操作方法。所述操作方法包括：执行第一LSB编程循环，以将第一LSB数据存储在字线的第一存储单元中；执行第二LSB编程循环，以将第二LSB数据存储在所选字线的第二存储单元中，并检测具有低于呈负电位的过擦除参考电压的阈值电压的过擦除存储单元以将所述阈值电压提高至高于所述过擦除参考电压；执行第一MSB编程循环，以将第一MSB数据存储在所述第一存储单元中；以及，执行第二MSB编程循环，以将第二MSB数据存储在所述第二存储单元。
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