一种硅异质结太阳能电池的制作方法

    公开(公告)号:CN104112795B

    公开(公告)日:2018-10-23

    申请号:CN201410368289.2

    申请日:2014-07-30

    Abstract: 本发明公开了一种硅异质结太阳能电池的制作方法,采用第一温度在单晶硅片的一面沉积第一非晶硅本征层;采用第一温度在单晶硅片的另一面沉积第二非晶硅本征层;采用第二温度对沉积有第一非晶硅本征层和第二非晶硅本征层的单晶硅片进行退火处理;其中,第二温度大于第一温度。由于采用较低的第一温度沉积第一非晶硅本征层和第二非晶硅本征层并采用较高的第二温度对异质结进行退火处理相结合的方式,通过测试数据可知,可以使硅异质结太阳能电池中的a‑Si:H/c‑Si界面获得较好的钝化效果,有利于获得较长的少子寿命,进而提升硅异质结太阳能电池的开路电压,增强硅异质结太阳能电池的性能。

    一种硅异质结太阳能电池、其退火方法及其制备方法

    公开(公告)号:CN105405926B

    公开(公告)日:2018-06-01

    申请号:CN201510888613.8

    申请日:2015-12-07

    Abstract: 本发明公开了一种硅异质结太阳能电池、其退火方法及其制备方法。该退火方法包括:采用第一温度对硅片进行第一时长的加热处理;其中,第一温度为120℃至150℃;第一时长为5min至30min;采用第二温度对所述硅片进行第二时长的加热处理;其中,第二温度为260℃至350℃;第二时长为5s至30s。采用高温快速退火的方法可以延长低温固化的时间,以充分挥发银浆中的有机溶剂,较高加热温度可以有效降低晶体硅/非晶硅薄膜的界面的缺陷态密度,和TCO/非晶硅薄膜、TCO/Ag电极的界面电阻,且较高加热温度的时长仅5s至30s,不会导致非晶硅薄膜内的缺陷态密度的增加,最大限度提高了硅异质结太阳能电池的转换效率。

    一种太阳能电池组件
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104505414B

    公开(公告)日:2017-03-22

    申请号:CN201410781516.4

    申请日:2014-12-16

    CPC classification number: Y02E10/50

    Abstract: 本发明公开了一种太阳电池组件,包括N行M列的太阳电池,每一行中的太阳电池串联连接;N行太阳电池中至少有K行太阳电池具有以下结构:一行太阳电池中两两相邻的太阳电池构成一组,每组太阳电池包括第一太阳电池和第二太阳电池,其中,至少一组中的第一太阳电池和第二太阳电池的正面的极性相反,且该组中的第一太阳电池和第二太阳电池的正面或背面上设置汇流带,汇流带将该组中的第一太阳电池和第二太阳电池串联,使得汇流带只需设置在相邻的第一太阳电池和第二太阳电池的正面或背面,避免了汇流带的弯折,减小汇流带的损耗的同时,还可以减小太阳电池组件的碎片率。

    一种磁控溅射阴极装置及磁控溅射装置

    公开(公告)号:CN106350777A

    公开(公告)日:2017-01-25

    申请号:CN201611032173.7

    申请日:2016-11-22

    CPC classification number: C23C14/35

    Abstract: 本发明公开了一种磁控溅射阴极装置及磁控溅射装置,包括:阴极背板,设置在阴极背板底面的底环结构,以及气体管路;其中,底环结构环内限定的区域为靶材放置区域;底环结构包括:固定于阴极背板底面的上环,以及固定于上环背离阴极背板一侧的底环;上环和底环之间形成有环状中空结构,环状中空结构面向靶材放置区域的一侧设置有气体通道;气体管路贯穿阴极背板和上环后与环状中空结构导通。由于气体管路贯穿阴极背板和上环后与环状中空结构导通,并且环状中空结构面向靶材放置区域的一侧设置有气体通道,从而促使气体能够通入环状中空结构内,并沿着气体通道通向靶材,因此,有效缩短了气体与靶材之间的距离,从而使得气体更容易被电离。

    一种清洗装置及采用该装置的清洗方法

    公开(公告)号:CN105935674A

    公开(公告)日:2016-09-14

    申请号:CN201610427020.6

    申请日:2016-06-16

    CPC classification number: B08B3/04 B08B3/08 H01L21/02041 H01L21/67023

    Abstract: 本发明公开了一种清洗装置及采用该装置的清洗方法,清洗装置包括:第一清洗槽体处于保护腔体中的第一空间,第二清洗槽体处于保护腔体中的第二空间;第一清洗槽体与第二清洗槽体由隔离装置隔离;隔离装置包括隔离物与隔离容器,其中:隔离物一端置于隔离容器中,隔离物另一端固定于保护腔体顶部,在隔离容器中有隔离液体时,隔离物将第一空间与第二空间隔离。清洗时:在第一清洗槽体清洗完毕后取出并放置于隔离容器中,并将欲清洗物品从隔离容器处于第一空间的一侧传送到处于第二空间的一侧;将欲清洗物品从隔离容器中取出并放置于第二清洗槽体。本发明解决了在清洗过程中清洗液之间的相互交叉污染问题和安全问题;能够连续清洗,提高清洗效率。

    一种硅基薄膜太阳能电池组件及其制备方法

    公开(公告)号:CN103441167B

    公开(公告)日:2016-08-24

    申请号:CN201310303301.7

    申请日:2013-07-18

    CPC classification number: Y02E10/50

    Abstract: 本发明涉及太阳能光伏技术领域,公开了一种硅基薄膜太阳能电池组件及其制备方法。该制备方法通过在层压后的半成品组件上直接涂覆减反射膜、预固化和高压釜中热固化成功地将减反射膜应用到硅基薄膜太阳能电池组件上,镀膜工艺简单、容易实施且成本低,可实现大量生产。制备的具有减反射膜的硅基薄膜太阳能电池组件包括依次排列的减反射膜、前板玻璃、透明导电膜、硅基薄膜吸收层、背电极、封装胶片和背板玻璃,所述减反射膜可低温固化成膜,其膜厚为90?110nm,折射率为1.35?1.42。通过减反射膜的作用明显提高了硅基薄膜太阳能组件的透光率,进而提高了硅基薄膜太阳能组件的光电转换效率。

    一种太阳能电池的边缘漏电处理装置及处理方法

    公开(公告)号:CN105304767A

    公开(公告)日:2016-02-03

    申请号:CN201510810463.9

    申请日:2015-11-19

    CPC classification number: Y02P70/521 H01L31/18

    Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池的边缘漏电处理装置及处理方法,用以解决现有技术对太阳能电池边缘漏电处理时存在的不足,提高电池的转换效率。太阳能电池的边缘漏电处理装置包括:刻蚀液槽、偏压电源、至少一条导线和电流检测装置;刻蚀液槽用于盛放刻蚀溶液;偏压电源设置于刻蚀液槽外部,通过导线分别与待处理的太阳能电池的正背电极相连,用于为放置于刻蚀液槽中的太阳能电池施加反向偏压,使得太阳能电池的边缘漏电区域的刻蚀速率大于边缘非漏电区域的刻蚀速率;电流检测装置设置于刻蚀液槽外部,与偏压电源相连,用于检测太阳能电池的正背电极之间的电流值,当该电流值小于预设电流值时,发送控制信号给偏压电源,控制偏压电源停止工作。

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