中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

26 records (took 0.031 seconds)

    一种太阳能电池硅片的清洗方法、太阳能电池的制备方法
    1.
    发明授权
    一种太阳能电池硅片的清洗方法、太阳能电池的制备方法 有权

    公开(公告)号：CN106409977B

    公开(公告)日：2018-02-16

    申请号：CN201611025279.4

    申请日：2016-11-21

    Applicant: 新奥光伏能源有限公司

    Inventor： 田小让 ,  张林 ,  侯洪涛 ,  赵冠超 ,  谷士斌 ,  杨荣 ,  李立伟 ,  孟原 ,  郭铁

    IPC: H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  B08B3/08 ,  C30B33/10

    Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池硅片的清洗方法、太阳能电池的制备方法，该清洗方法包括：对太阳能电池硅片进行预清洗使得太阳能电池硅片表面产生氧化；采用氢氟酸、双氧水和盐酸的混合溶液对经过预清洗后的太阳能电池硅片进行刻蚀清洗。本发明实施例提供的上述清洗方法中在利用氢氟酸和双氧水对太阳能电池硅片的微刻蚀作用的基础上，又加入了盐酸对金属离子的络合作用，可以溶解残留的金属离子，进一步加强对太阳能电池硅片表面金属污染物的清洗效果，进而降低太阳能电池硅片表面的金属离子与太阳能电池硅片中的少子的复合，提高太阳能电池硅片中少子的寿命，从而提高太阳能电池的效率。

    一种硅异质结太阳能电池的制作方法
    2.
    发明公开
    一种硅异质结太阳能电池的制作方法 有权

    公开(公告)号：CN104112795A

    公开(公告)日：2014-10-22

    申请号：CN201410368289.2

    申请日：2014-07-30

    Applicant: 新奥光伏能源有限公司

    Inventor： 田小让 ,  王进 ,  谷士斌 ,  张林 ,  杨荣 ,  李立伟 ,  孟原 ,  郭铁

    IPC: H01L31/20

    CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/202

    Abstract: 本发明公开了一种硅异质结太阳能电池的制作方法，采用第一温度在单晶硅片的一面沉积第一非晶硅本征层；采用第一温度在单晶硅片的另一面沉积第二非晶硅本征层；采用第二温度对沉积有第一非晶硅本征层和第二非晶硅本征层的单晶硅片进行退火处理；其中，第二温度大于第一温度。由于采用较低的第一温度沉积第一非晶硅本征层和第二非晶硅本征层并采用较高的第二温度对异质结进行退火处理相结合的方式，通过测试数据可知，可以使硅异质结太阳能电池中的a-Si:H/c-Si界面获得较好的钝化效果，有利于获得较长的少子寿命，进而提升硅异质结太阳能电池的开路电压，增强硅异质结太阳能电池的性能。

    太阳能电池的绒面处理方法及太阳能电池
    3.
    发明公开
    太阳能电池的绒面处理方法及太阳能电池 有权

    公开(公告)号：CN103441182A

    公开(公告)日：2013-12-11

    申请号：CN201310310929.X

    申请日：2013-07-23

    Applicant: 新奥光伏能源有限公司

    Inventor： 田小让 ,  毛卫平 ,  谷士斌 ,  陈宇 ,  杨荣 ,  孟原 ,  郭铁 ,  李立伟

    IPC: H01L31/18 ,  H01L31/20

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明公开了太阳能电池的绒面处理方法和太阳能电池。所述绒面处理方法，包括：采用HCl和HF的混合水溶液对制绒后太阳能电池的绒面进行初步清洗，HCl和HF的混合水溶液中，HCl的质量分数为3%～7%，HF的质量分数为1%～2%；采用HNO3和HF的混合水溶液对初步清洗后的绒面进行刻蚀，HNO3和HF的混合水溶液中，HNO3的质量分数为20%～50%，HF的质量分数为0.5%～5%；采用H2SO4和H2O2的混合水溶液对刻蚀后的绒面进行氧化，形成氧化层，H2SO4和H2O2的混合水溶液中，H2SO4的质量分数为60%～80%，H2O2的质量分数为5%～12%。本发明绒面处理方法，提高了电池的性能。

    太阳能电池的绒面处理方法及太阳能电池
    4.
    发明授权
    太阳能电池的绒面处理方法及太阳能电池 有权

    公开(公告)号：CN103441182B

    公开(公告)日：2016-03-02

    申请号：CN201310310929.X

    申请日：2013-07-23

    Applicant: 新奥光伏能源有限公司

    Inventor： 田小让 ,  毛卫平 ,  谷士斌 ,  陈宇 ,  杨荣 ,  孟原 ,  郭铁 ,  李立伟

    IPC: H01L31/18 ,  H01L31/20

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明公开了太阳能电池的绒面处理方法和太阳能电池。所述绒面处理方法，包括：采用HCl和HF的混合水溶液对制绒后太阳能电池的绒面进行初步清洗，HCl和HF的混合水溶液中，HCl的质量分数为3%～7%，HF的质量分数为1%～2%；采用HNO3和HF的混合水溶液对初步清洗后的绒面进行刻蚀，HNO3和HF的混合水溶液中，HNO3的质量分数为20%～50%，HF的质量分数为0.5%～5%；采用H2SO4和H2O2的混合水溶液对刻蚀后的绒面进行氧化，形成氧化层，H2SO4和H2O2的混合水溶液中，H2SO4的质量分数为60%～80%，H2O2的质量分数为5%～12%。本发明绒面处理方法，提高了电池的性能。

    一种太阳能硅片的清洗方法
    6.
    发明公开
    一种太阳能硅片的清洗方法 无效

    公开(公告)号：CN104752551A

    公开(公告)日：2015-07-01

    申请号：CN201310726922.6

    申请日：2013-12-25

    Applicant: 新奥光伏能源有限公司

    Inventor： 张林 ,  田小让 ,  毛卫平 ,  谷士斌 ,  赵冠超 ,  杨荣 ,  郭铁 ,  孟原

    IPC: H01L31/18 ,  H01L31/20

    CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1876 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02096 ,  H01L31/20

    Abstract: 本发明公开了一种太阳能硅片的清洗方法，包括对太阳能硅片进行RCA清洗，RCA清洗包括：对太阳能硅片进行预清洗使得硅片表面产生氧化后，进行刻蚀处理；其中，采用双氧水、氢氟酸和水混合后的刻蚀溶液对太阳能硅片进行刻蚀处理。该清洗方法，在对太阳能硅片进行RCA清洗时，采用双氧水、氢氟酸和水混合后的刻蚀溶液对经过预清洗后的太阳能硅片进行刻蚀处理，利用硅片与双氧水、氢氟酸和水的混合溶液的界面化学变化，促进对硅片表面进行微刻蚀，从而降低硅片表面的金属污染，进而降低硅片表面的金属原子与硅片中的少子的复合，提高太阳能硅片中少子的寿命，从而提高太阳能电池的效率。

    一种产品制作过程中硅片表面的检测方法及系统
    10.
    发明公开
    一种产品制作过程中硅片表面的检测方法及系统 无效

    公开(公告)号：CN104319246A

    公开(公告)日：2015-01-28

    申请号：CN201410544833.4

    申请日：2014-10-15

    Applicant: 新奥光伏能源有限公司

    Inventor： 谷士斌 ,  张林 ,  田小让 ,  何延如 ,  赵冠超 ,  杨荣 ,  孟原 ,  郭铁

    IPC: H01L21/66

    CPC classification number: H01L22/30 ,  H01L22/20

    Abstract: 本发明实施例公开了一种产品制作过程中硅片表面的检测方法及系统。该方法包括：获取用于制作产品的硅片的表面图像；根据所述表面图像确定所述硅片的表面类型；如果所述表面类型为无缺陷型，将所述硅片进行所述产品制作过程的下一步工序处理；如果所述表面类型为不可修复缺陷型，将所述硅片进行废弃处理；如果所述表面类型为可修复缺陷型，将所述硅片进行修复。本发明实施例中，不是将不合格的硅片进行废弃处理，而是对不合格的硅片中不可修复的硅片进行废弃处理，对可修复的硅片进行回收修复处理，修复后的硅片还可以继续进行产品制作过程的下一步工序处理，从而使得产品的废弃率降低了。

Patent Agency Ranking