公开(公告)号：CN117295233A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202310734315.8

申请日：2023-06-20

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 池田敬裕 ,  石川岳人 ,  武田雄希 ,  桑山裕纪 ,  山田恭太郎

IPC: H05K1/11 ,  H05K1/05 ,  H05K3/00 ,  H05K3/14 ,  H05K3/18

Abstract: 布线电路基板具备金属支撑基板、第1金属薄膜、绝缘层、第2金属薄膜以及导体层。第1金属薄膜配置在厚度方向上的金属支撑基板的一侧的面。绝缘层配置在厚度方向上的第1金属薄膜的一侧的面。绝缘层具有贯通孔，其沿厚度方向贯通绝缘层。第2金属薄膜配置在厚度方向上的绝缘层的一侧的面。导体层配置在第2金属薄膜的一侧的面。在贯通孔内，第1金属薄膜和第2金属薄膜配置在金属支撑基板与导体层之间，第1金属薄膜的另一侧的面接触金属支撑基板的一侧的面。第2金属薄膜的另一侧的面接触第1金属薄膜的一侧的面。导体层的另一侧的面接触第2金属薄膜的一侧的面。至少第1金属薄膜的材料为包含铬的合金。

公开(公告)号：CN110771274B

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN201880039478.1

申请日：2018-03-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 山形一斗 ,  待永广宣 ,  武田雄希 ,  请井博一 ,  宇井丈裕

IPC: H05K9/00 ,  B32B7/025 ,  B32B9/00 ,  B32B9/04 ,  B32B15/08 ,  B32B33/00

Abstract: 电磁波吸收体(1)具备电介质层(10)、电阻层(20)和导电层(30)。电阻层(20)设置在电介质层(10)的一个主表面上。导电层(30)设置在电介质层(10)的另一个主表面上，具有比电阻层(20)的薄层电阻更低的薄层电阻。电阻层(20)是含有氧化锡或氧化钛作为主要成分的层，或者，电阻层(20)是由含有40重量％以上的氧化锡的氧化铟锡形成的层。

公开(公告)号：CN110564343A

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201910485749.2

申请日：2019-06-05

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 平野敬祐 ,  川竹郁佳 ,  武田雄希

IPC: C09J133/08 ,  C09J7/38 ,  C09J7/10 ,  C09J7/20 ,  C09J7/25 ,  C08F220/18 ,  C08F220/06 ,  C08F220/20

Abstract: 本发明提供粘合剂组合物及粘合片。提供可形成即使较薄、粘合力也高的粘合剂层的粘合剂组合物。提供包含单体成分的聚合物的粘合剂组合物。上述聚合物在基于GPC测定的分子量分布的峰分离解析中，满足以下的条件：(a)分子量的峰顶处于100万以上且2000万以下的范围的峰H的面积比为上述分子量分布的峰面积整体的3～30％；及(b)分子量的峰顶处于1000以上且不足100万的范围的峰L的面积比为上述分子量分布的峰面积整体的70～97％。

公开(公告)号：CN110383964A

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201780087923.7

申请日：2017-12-11

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 待永广宣 ,  请井博一 ,  宇井丈裕 ,  山形一斗 ,  武田雄希

IPC: H05K9/00 ,  B32B7/025

Abstract: 电磁波吸收体(1a)具备：作为电介质层或磁性体层的第一层(10a)、和设置于第一层(10a)的至少单侧的导电层(20a)。将电磁波吸收体(1a)在温度85℃及相对湿度85％的环境中暴露1000小时后，导电层(20a)具有100Ω/□以下的薄层电阻。电磁波吸收体(1a)具有7000MPa·mm4以下的弯曲刚度。

公开(公告)号：CN117241459A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202310661767.8

申请日：2023-06-06

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 池田敬裕 ,  山田恭太郎 ,  石川岳人 ,  桑山裕纪 ,  武田雄希

IPC: H05K1/02 ,  H05K1/11 ,  H05K3/02

Abstract: 布线电路基板(1)具备金属支承层(11)、第1金属薄膜(12)、具有贯通孔(131)的绝缘层(13)、在贯通孔(131)内配置于第1金属薄膜(12)之上的第2金属薄膜(14)、在贯通孔(131)内经由第1金属薄膜(12)以及第2金属薄膜(14)与金属支承层(11)导通的导体图案(15)。第1金属薄膜(12)至少在与绝缘层(13)相接触的接触面(S1)具有氧化覆膜(121)。在贯通孔(131)的中央部处，将氧化覆膜(121)的厚度(T1)设为0，或者设为比接触面(S1)的氧化覆膜(121)的厚度(T2)薄。

公开(公告)号：CN110809914B

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：CN201880039218.4

申请日：2018-01-23

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 请井博一 ,  宇井丈裕 ,  待永广宣 ,  山形一斗 ,  武田雄希

IPC: H05K9/00 ,  B32B7/025

Abstract: 电磁波吸收体(1a)具备第1层(10)和导电层(20)。第1层(10)为电介质层或磁性体层。导电层(20)设置在第1层的至少一侧。第1层(10)的杨氏模量与第1层(10)的厚度的乘积为0.1～1000MPa·mm。第1层(10)的相对介电常数为1～10。

公开(公告)号：CN110753818A

公开(公告)日：2020-02-04

申请号：CN201880039510.6

申请日：2018-06-12

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 请井博一 ,  宇井丈裕 ,  青木亮佑 ,  待永广宣 ,  山形一斗 ,  武田雄希

IPC: F21V7/00 ,  F21V7/24 ,  H01Q17/00 ,  F21W102/00 ,  F21W111/02 ,  F21Y101/00 ,  F21Y115/10

Abstract: 灯具用反射镜(10a)具备镜面(11)和层叠体(12a)。镜面(11)为用于反射来自光源(30)的光并引导至规定的方向的面。层叠体(12a)覆盖镜面(11)的至少一部分，用于吸收具有20GHz～90GHz中的特定的频率的电磁波。层叠体(12a)使来自光源(30)的光向镜面(11)透射。

公开(公告)号：CN113165336B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN201980080119.5

申请日：2019-12-11

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 待永广宣 ,  拜师基希 ,  中西阳介 ,  武田雄希

IPC: B32B9/00 ,  H01Q17/00 ,  H05K9/00

Abstract: 阻抗匹配膜10包含氧化铟与氧化锡的混合物作为主要成分且所述混合物具有非晶态结构。阻抗匹配用阻抗匹配膜10具有5cm2/(V·s)以上的霍尔迁移率。阻抗匹配膜10具有大于等于16nm且小于100nm的厚度。

公开(公告)号：CN113165336A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980080119.5

申请日：2019-12-11

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 待永广宣 ,  拜师基希 ,  中西阳介 ,  武田雄希

IPC: B32B9/00 ,  H01Q17/00 ,  H05K9/00

Abstract: 阻抗匹配膜10包含氧化铟与氧化锡的混合物作为主要成分且所述混合物具有非晶态结构。阻抗匹配用阻抗匹配膜10具有5cm2/(V·s)以上的霍尔迁移率。阻抗匹配膜10具有大于等于16nm且小于100nm的厚度。

公开(公告)号：CN110753818B

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN201880039510.6

申请日：2018-06-12

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 请井博一 ,  宇井丈裕 ,  青木亮佑 ,  待永广宣 ,  山形一斗 ,  武田雄希

IPC: F21V7/00 ,  F21V7/24 ,  H01Q17/00 ,  F21W102/00 ,  F21W111/02 ,  F21Y101/00 ,  F21Y115/10

Abstract: 灯具用反射镜(10a)具备镜面(11)和层叠体(12a)。镜面(11)为用于反射来自光源(30)的光并引导至规定的方向的面。层叠体(12a)覆盖镜面(11)的至少一部分，用于吸收具有20GHz～90GHz中的特定的频率的电磁波。层叠体(12a)使来自光源(30)的光向镜面(11)透射。