公开(公告)号：CN119541928A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411879277.6

申请日：2021-03-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤野望 ,  鸦田泰介

IPC: H01B5/14 ,  H10F77/20 ,  H01B5/16 ,  H01Q1/38 ,  H05K9/00 ,  B32B7/023 ,  B32B7/025 ,  G06F3/041

Abstract: 本发明涉及透光性导电层和透光性导电薄膜。透光性导电层(1)具有第一主面(2)、以及在第一主面(2)的厚度方向的一面侧隔着间隔相对配置的第二主面(3)。透光性导电层(1)具有在面方向上延伸的单一层。透光性导电层(1)包含导电性氧化物。导电性氧化物含有氩和原子序数比氩大的稀有气体。

公开(公告)号：CN116348293B

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202280006988.5

申请日：2022-08-04

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤野望 ,  鸦田泰介

IPC: B32B3/30 ,  B32B7/025 ,  B32B27/00

Abstract: 层叠体(1)具备基底层(3)、以及与基底层(3)的厚度方向的一个面(31)邻接的结晶质的透明导电层(4)。透明导电层(4)的厚度方向的一个面(41)具备高度为3nm以上的第一隆起(42)。基底层(3)的一个面(31)任选具备高度为3nm以上的第二隆起(32)。第二隆起(32)在厚度方向上投影时不与第一隆起(42)重合。透明导电层(4)含有原子序数比氩大的稀有气体。

公开(公告)号：CN117043888A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202280022825.6

申请日：2022-09-14

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤野望 ,  鸦田泰介

IPC: H01B1/20

Abstract: 透明导电层(1)包含：含有原子序数比氩大的稀有气体的无机氧化物。对透明导电层(1)进行X射线衍射时，(440)面的峰的积分强度I440相对于(222)面的峰的积分强度I222的比(I440/I222)不足0.130。

公开(公告)号：CN116848595A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202280014562.4

申请日：2022-09-14

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤野望 ,  鸦田泰介

IPC: H01B5/14

Abstract: 本发明的透明导电性薄膜(X)在厚度方向(D)依次具备透明树脂基材(10)和结晶质的透明导电层(20)。透明导电层(20)含有原子序数比氩大的稀有气体原子。透明导电层(20)具有第1电阻值R1(Ω/□)，且在160℃且30分钟的加热条件下的加热处理后具有第2电阻值R2(Ω/□)。第2电阻值R2相对于第1电阻值R1的比率为0.650以上且0.990以下。

公开(公告)号：CN115298763A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202180022368.6

申请日：2021-03-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 鸦田泰介 ,  藤野望 ,  鹰尾宽行

IPC: H01B5/14 ,  B32B9/00 ,  B32B9/04 ,  H01L31/0224 ,  H01B1/08 ,  H01B1/20 ,  H01B5/16 ,  H01B13/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/20 ,  C23C14/34 ,  H01Q1/38 ,  H01Q1/52 ,  H05K9/00 ,  B32B7/00 ,  B32B7/022 ,  B32B7/023 ,  B32B7/025 ,  B32B7/028 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1343 ,  G06F3/041

Abstract: 本发明的透明导电性薄膜(X)沿着厚度方向(T)依次具备透明树脂基材(10)和透明导电层(20)。透明导电性薄膜(X)在与厚度方向(T)正交的面内方向具有由165℃和60分钟的加热条件下的加热处理带来的热收缩率最大的第一方向、以及与该第一方向正交的第二方向。透明导电性薄膜(X)的由前述加热条件下的加热处理带来的第二方向的第一热收缩率T1以及透明树脂基材(10)的由前述加热条件下的加热处理带来的第二方向的第二热收缩率T2满足0％≤T1‑T2

公开(公告)号：CN115280429A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202180021972.7

申请日：2021-03-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤野望 ,  鸦田泰介

IPC: H01B5/14 ,  B32B9/04 ,  H01B5/16 ,  H01B13/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/20 ,  C23C14/34 ,  H01Q1/38 ,  H01Q1/52 ,  H01L31/0224 ,  H01B1/08 ,  H01B1/20 ,  H05K9/00 ,  B32B7/00 ,  B32B7/022 ,  B32B7/023 ,  B32B7/025 ,  B32B7/028 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1343 ,  G06F3/041 ,  B32B9/00

Abstract: 透明导电层1包含氪原子。(440)面的X射线衍射的峰的积分强度相对于(222)面的X射线衍射的峰的积分强度之比为0.130以上。

公开(公告)号：CN115443511B

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202180029837.7

申请日：2021-03-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤野望 ,  鸦田泰介

IPC: H01B5/14 ,  H01L31/0224 ,  H01B5/16 ,  H01Q1/38 ,  H05K9/00 ,  B32B7/023 ,  B32B7/025 ,  G06F3/041

Abstract: 透光性导电层(1)具有第一主面(2)、以及在第一主面(2)的厚度方向的一面侧隔着间隔相对配置的第二主面(3)。透光性导电层(1)具有在面方向上延伸的单一层。透光性导电层(1)包含导电性氧化物。导电性氧化物含有氩和原子序数比氩大的稀有气体。

公开(公告)号：CN115280430B

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202180022001.4

申请日：2021-03-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤野望 ,  鸦田泰介

IPC: H01B5/14 ,  B32B9/00 ,  B32B9/04 ,  H01L31/0224 ,  H01B1/08 ,  H01B1/20 ,  H01B5/16 ,  H01B13/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/20 ,  C23C14/34 ,  H01Q1/38 ,  H01Q1/52 ,  H05K9/00 ,  B32B7/00 ,  B32B7/022 ,  B32B7/023 ,  B32B7/025 ,  B32B7/028 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1343 ,  G06F3/041

Abstract: 透明导电层(3)具备在厚度方向上彼此相对的第一主面(5)和第二主面(6)。透明导电层(3)具有：多个晶粒(4)；多个第一晶界(7)，其隔开多个晶粒(4)，且厚度方向的一端边缘(9)和另一端边缘(10)彼此分别在第一主面(5)和第二主面(6)中敞开；以及第二晶界(8)，其从一个第一晶界(7A)的第一中间部(11)分枝出来，并到达另一第一晶界(7B)的第二中间部(12)。透明导电层(3)含有原子序数比氩原子大的稀有气体原子。

公开(公告)号：CN117999170A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202280063819.5

申请日：2022-09-14

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤野望 ,  鸦田泰介 ,  鹰尾宽行

IPC: B32B37/15 ,  C23C14/08 ,  C23C14/56

Abstract: 透明导电性薄膜(3)的制造方法中，在长条的基材(1)的厚度方向一个面形成透明导电层(2)。透明导电性薄膜(3)的制造方法具备：第1工序，准备基材(1)；第2工序，在真空气氛下在基材(1)的厚度方向一个面形成透明导电层(2)的一部分；和第3工序，在真空气氛下，边对透明导电层(2)的一部分进行加热，边在透明导电层(2)的一部分的厚度方向一个面形成透明导电层(2)的剩余部分。

公开(公告)号：CN117063246A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202280024211.1

申请日：2022-09-14

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤野望 ,  鸦田泰介

IPC: H01B1/20

Abstract: 透明导电层(1)含有原子序数比氩大的稀有气体。对透明导电层(1)进行X射线衍射时的(440)面的峰的半值宽度为0.27度以下。透明导电性薄膜(5)朝着厚度方向的一侧依次具备基材(6)和透明导电层(1)。