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公开(公告)号：CN101855798A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200880115311.5
申请日：2008-10-31
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01S5/22
CPC classification number: H01S5/168 , B82Y20/00 , H01S5/0021 , H01S5/028 , H01S5/0283 , H01S5/0425 , H01S5/166 , H01S5/2086 , H01S5/2214 , H01S5/222 , H01S5/3214 , H01S5/34333 , H01S2301/176 , H01S2301/18 , H01S2304/04
Abstract: 本发明的目的在于提供在高输出的半导体激光器元件中，也能够将共振器端面处的放热限于最小限度，能够提高COD电平，并且能够得到良好的FFP形状，且可靠性高、长寿命的半导体激光器元件。该半导体激光器元件具有：层叠体，其由第一导电型半导体层、活性层及第二导电型半导体层构成；由绝缘体构成的第二埋入层，其具有与所述第二导电型半导体层接触且与共振器方向平行的带状的槽部，在所述槽部的共振器端面侧埋入有由电介质构成的第一埋入层，在所述槽部的内侧埋入有导电层。
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公开(公告)号：CN101855798B
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN200880115311.5
申请日：2008-10-31
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01S5/22
CPC classification number: H01S5/168 , B82Y20/00 , H01S5/0021 , H01S5/028 , H01S5/0283 , H01S5/0425 , H01S5/166 , H01S5/2086 , H01S5/2214 , H01S5/222 , H01S5/3214 , H01S5/34333 , H01S2301/176 , H01S2301/18 , H01S2304/04
Abstract: 本发明的目的在于提供在高输出的半导体激光器元件中，也能够将共振器端面处的放热限于最小限度，能够提高COD电平，并且能够得到良好的FFP形状，且可靠性高、长寿命的半导体激光器元件。该半导体激光器元件具有：层叠体，其由第一导电型半导体层、活性层及第二导电型半导体层构成；由绝缘体构成的第二埋入层，其具有与所述第二导电型半导体层接触且与共振器方向平行的带状的槽部，在所述槽部的共振器端面侧埋入有由电介质构成的第一埋入层，在所述槽部的内侧埋入有导电层。
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公开(公告)号：CN1217425C
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN02803274.8
申请日：2002-07-12
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/40 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/387
Abstract: 一种半导体元件，包括：基板；在基板上设置的n型导电性的GaN系半导体；在n型导电性的GaN系半导体上设置的p型导电性的GaN系半导体。并在具有n型导电性的GaN系半导体层表面以及具有p型导电性的GaN系半导体层表面上形成电极，其中，在具有p型导电性的GaN系半导体层表面，形成至少含有银的第1电极，和包围第1电极周围且不含银的第2电极。并且，第1电极在比第1电极外围内侧之处，具有使具有p型导电性的GaN系半导体层露出的开口部。从而可以实现光利用效率，并具有高可靠性的半导体元件。
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公开(公告)号：CN1479948A
公开(公告)日：2004-03-03
申请号：CN02803274.8
申请日：2002-07-12
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/40 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/387
Abstract: 一种半导体元件，在基板上至少层叠具有n型导电性的GaN系半导体与具有p型导电性的GaN系半导体，并在具有n型导电性的GaN系半导体层表面以及具有p型导电性的GaN系半导体层表面上形成电极，其中，在具有p型导电性的GaN系半导体层表面，形成至少含有银的第1电极，和包围第1电极周围且不含银的第2电极。并且，第1电极在比第1电极外围内侧之处，具有使具有p型导电性的GaN系半导体层露出的开口部。从而可以实现光利用效率，并具有高可靠性的半导体元件。
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