公开(公告)号：CN100502060C

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200410005806.6

申请日：2004-02-19

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 杉本康宜 ,  米田章法

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/452 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/387 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/22

Abstract: 一种低电阻、具有可靠性优良的电极结构的氮化物半导体元件，在半导体层上，具有欧姆接触的第1电极及连接在其上面的、由不同于第1电极的形状构成的第2电极，其特征在于：第1电极和上述第2电极具有由形成第1电极表面的第1电极的上层和沉积在热处理后的第1电极上的第2电极的下层构成的接合层区，接合层区由铂族元素构成。

公开(公告)号：CN1513222A

公开(公告)日：2004-07-14

申请号：CN02810758.6

申请日：2002-05-31

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 杉本康宜 ,  落合真尚 ,  米田章法

IPC: H01S5/22

CPC classification number: H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0282 ,  H01S5/0286 ,  H01S5/1082 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/18

Abstract: 本发明提供一种半导体激光元件。包含依次叠层第一导电型半导体层、活性层及与第一导电型不同的第二导电型半导体层的结构体，该叠层结构体具有使光向一方向传播的波导路区域和位于两端的激光振荡用谐振器面，所述叠层结构体在一端侧具有区别于所述谐振器面的且包含活性层截面而形成的非谐振器面，该非谐振器面的活性层截面由遮光层所覆盖。由此，可实现在高输出动作时，可获得不存在波纹、并接近高斯分布的良好的FFP的半导体激光元件。

公开(公告)号：CN1233077C

公开(公告)日：2005-12-21

申请号：CN02810758.6

申请日：2002-05-31

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 杉本康宜 ,  落合真尚 ,  米田章法

IPC: H01S5/22

CPC classification number: H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0282 ,  H01S5/0286 ,  H01S5/1082 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/18

Abstract: 本发明提供一种半导体激光元件。包含依次叠层第一导电型半导体层、活性层及与第一导电型不同的第二导电型半导体层的结构体，该叠层结构体具有使光向一方向传播的波导路区域和位于两端的激光振荡用谐振器面，所述叠层结构体在一端侧具有区别于所述谐振器面的且包含活性层截面而形成的非谐振器面，该非谐振器面的活性层截面由遮光层所覆盖。由此，可实现在高输出动作时，可获得不存在波纹、并接近高斯分布的良好的FFP的半导体激光元件。

公开(公告)号：CN1523684A

公开(公告)日：2004-08-25

申请号：CN200410005806.6

申请日：2004-02-19

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 杉本康宜 ,  米田章法

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/452 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/387 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/22

Abstract: 一种低电阻、具有可靠性优良的电极结构的氮化物半导体元件，在半导体层上，具有欧姆接触的第1电极及连接在其上面的、由不同于第1电极的形状构成的第2电极，其特征在于：第1电极和上述第2电极具有由形成第1电极表面的第1电极的上层和沉积在热处理后的第1电极上的第2电极的下层构成的接合层区，接合层区由铂族元素构成。

公开(公告)号：CN2717023Y

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN200420003849.6

申请日：2004-02-19

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 杉本康宜 ,  米田章法

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/452 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/387 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/22

Abstract: 一种低电阻、具有可靠性优良的电极结构的氮化物半导体元件，在半导体层上，具有欧姆接触的第1电极及连接在其上面的、由不同于第1电极的形状构成的第2电极，其特征在于：第1电极和上述第2电极具有由形成第1电极表面的第1电极的上层和沉积在热处理后的第1电极上的第2电极的下层构成的接合层区，接合层区由铂族元素构成。