-
公开(公告)号：CN112789556B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN201980064842.4
申请日：2019-10-01
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G59/22 , C08G59/40 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供用于形成能够形成所希望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜的组合物、以及使用该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案形成方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含聚合物和有机溶剂，上述聚合物在聚合物链的末端具有下述式(1)或式(2)所示的结构。(在上述式(1)和式(2)中，X为2价有机基，A为碳原子数6～40的芳基，R1为卤原子、碳原子数1～40的烷基或碳原子数1～40的烷氧基，R2和R3各自独立地为氢原子、可以被取代的碳原子数1～10的烷基、碳原子数6～40的芳基或卤原子，n1和n3各自独立地为整数1～12，n2为整数0～11。)#imgabs0#
-
公开(公告)号：CN109075060B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN201780016010.6
申请日：2017-03-07
Applicant: 日产化学株式会社 , 国立大学法人名古屋大学
IPC: H01L21/3065 , C08G12/08 , C08G65/40 , G03F7/11 , G03F7/26 , G03F7/40 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供，即使在使用了300℃至700℃这样的高温下的蚀刻法的情况下，所形成的图案也不因为回流、分解而崩坏的具有被图案化了的III族氮化物系化合物层的半导体基板的制造方法。作为解决手段是一种制造方法，其特征在于，是具有被图案化了的III族氮化物系化合物层的半导体基板的制造方法，其包含下述工序：在基板的III族氮化物系化合物层上形成被图案化了的掩模层的工序；和通过300℃～700℃的干蚀刻，依照该掩模图案对上述III族氮化物系化合物层进行蚀刻，由此形成被图案化了的III族氮化物系化合物层的工序，上述被图案化了的掩模层含有包含下述式(1)所示的单元结构的聚合物，或者上述被图案化了的掩模层含有：包含下述式(2)所示的单元结构的聚合物、包含下述式(3)所示的结构单元的聚合物、或包含式(2)所示的单元结构和式(3)所示的单元结构的组合的聚合物、或这些聚合物的交联结构体。#imgabs0#
-
公开(公告)号：CN110191930B
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN201880007435.5
申请日：2018-01-16
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C09D125/08 , C08F212/12 , C08F220/18 , C08L25/16 , C08L33/10 , C09D5/00 , C09D133/06 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供耐溶剂性优异，能够使在基板上形成的包含嵌段共聚物的层的微相分离结构相对于基板垂直诱导的下层膜形成用组合物。一种下层膜形成用组合物，其包含共聚物，上述共聚物包含(A)来源于含有叔丁基的苯乙烯化合物的单元结构，(B)来源于不含有羟基的含有芳香族结构的乙烯基化合物、并且除上述(A)以外的单元结构，(C)来源于含有(甲基)丙烯酰基且不含有羟基的化合物的单元结构，(D)来源于含有交联形成基的化合物的单元结构，相对于共聚物整体的共聚比为，(A)25～90摩尔％，(B)0～65摩尔％，(C)0～65摩尔％，(D)10～20摩尔％，并且(A)+(B)+(C)之中，包含芳香族结构的单元结构为81～90摩尔％。
-
公开(公告)号：CN111670410A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201980010876.5
申请日：2019-02-01
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 本发明提供尤其是干蚀刻速度高的抗蚀剂下层膜、该抗蚀剂下层膜形成用组合物、抗蚀剂图案的形成方法、和半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有具有至少1个二硫醚键的2官能以上化合物、3官能以上化合物和/或反应生成物、以及溶剂。所述2官能以上化合物优选是含有二硫醚键的二元羧酸。所述3官能以上化合物优选是含有3个以上环氧基的化合物。
-
公开(公告)号：CN110191930A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201880007435.5
申请日：2018-01-16
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C09D125/08 , C08F212/12 , C08F220/18 , C08L25/16 , C08L33/10 , C09D5/00 , C09D133/06 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供耐溶剂性优异，能够使在基板上形成的包含嵌段共聚物的层的微相分离结构相对于基板垂直诱导的下层膜形成用组合物。一种下层膜形成用组合物，其包含共聚物，上述共聚物包含(A)来源于含有叔丁基的苯乙烯化合物的单元结构，(B)来源于不含有羟基的含有芳香族结构的乙烯基化合物、并且除上述(A)以外的单元结构，(C)来源于含有(甲基)丙烯酰基且不含有羟基的化合物的单元结构，(D)来源于含有交联形成基的化合物的单元结构，相对于共聚物整体的共聚比为，(A)25～90摩尔％，(B)0～65摩尔％，(C)0～65摩尔％，(D)10～20摩尔％，并且(A)+(B)+(C)之中，包含芳香族结构的单元结构为81～90摩尔％。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109689779A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201780055819.X
申请日：2017-09-08
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08L35/06 , B05D1/38 , B05D7/24 , B32B27/30 , C08K5/06 , C08L53/00 , C09D125/04 , C09D153/00 , C09D179/08 , H01L21/027 , H01L21/3065 , H01L21/312
Abstract: 本发明涉及用于使在基板上形成的包含嵌段共聚物的层相分离的上层膜形成用组合物，包含：(A)包含(a)来自马来酰亚胺结构的单元结构和来自苯乙烯结构的单元结构的共聚物、和(B)作为溶剂的碳原子数8～16的醚化合物。本发明的上层膜形成用组合物对疏水性溶剂显示良好的溶解性，能够不使在基板上形成的包含嵌段共聚物的层溶解、膨润等地引起嵌段共聚物的垂直排列。
-
公开(公告)号：CN114746468B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202080084090.0
申请日：2020-11-26
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08G59/18 , C08G73/06 , G03F7/11 , C08G63/685 , C08G63/688
Abstract: 本发明提供聚合物的制造方法，其包括：第一工序，其中，使包含嘧啶三酮结构、咪唑烷二酮结构或三嗪三酮结构的单体在有机溶剂中、季鏻盐或季铵盐的存在下反应而合成粗聚合物；和第二工序，其中，将上述第一工序中得到的含有粗聚合物的溶液与不良溶剂混合，使精制聚合物沉淀，滤离。
-
公开(公告)号：CN113795532A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202080033637.4
申请日：2020-05-01
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08G59/40 , G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 提供用于形成能够形成所希望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜的组合物、和使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案制造方法、半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含在末端含有脂肪族环的聚合物，且进一步包含有机溶剂，所述脂肪族环的碳‑碳键可以被杂原子中断并且所述脂肪族环可以经取代基取代。上述脂肪族环为碳原子数3～10的单环式或多环式脂肪族环。上述多环式脂肪族环为二环或三环。
-
公开(公告)号：CN110198995B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201880007439.3
申请日：2018-01-16
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C09D125/08 , B05D7/24 , C08F287/00 , C08L53/00 , H01L21/027
Abstract: 提供一种自组装化膜形成用组合物，其用于使得即使在会发生嵌段共聚物的微相分离的排列不良那样的高的加热温度下，也在涂布膜整面使包含嵌段共聚物的层的微相分离结构相对于基板垂直诱导。一种自组装化膜形成用组合物，是包含嵌段共聚物、和作为溶剂的沸点不同的至少2种溶剂的自组装化膜形成用组合物，上述嵌段共聚物为使以来源于苯乙烯或其衍生物或丙交酯的结构作为结构单元的不含硅聚合物、与以被含硅基团取代了的苯乙烯作为结构单元的含硅聚合物结合了的嵌段共聚物，上述溶剂包含沸点为160℃以下的低沸点溶剂(A)、和沸点为170℃以上的高沸点溶剂(B)。
-
公开(公告)号：CN112789556A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201980064842.4
申请日：2019-10-01
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G59/22 , C08G59/40 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供用于形成能够形成所希望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜的组合物、以及使用该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案形成方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含聚合物和有机溶剂，上述聚合物在聚合物链的末端具有下述式(1)或式(2)所示的结构。(在上述式(1)和式(2)中，X为2价有机基，A为碳原子数6～40的芳基，R1为卤原子、碳原子数1～40的烷基或碳原子数1～40的烷氧基，R2和R3各自独立地为氢原子、可以被取代的碳原子数1～10的烷基、碳原子数6～40的芳基或卤原子，n1和n3各自独立地为整数1～12，n2为整数0～11。)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
24
records
(took 0.036 seconds)
