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公开(公告)号：CN119013627A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202380033692.7
申请日：2023-04-21
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其特征在于，含有聚合物和溶剂、所述聚合物具有下述式(1)所示的重复单元(1)和所述重复单元(1)以外的重复单元(2)，包含所述聚合物的聚合物溶液中的所述聚合物的平均粒径为50nm以下。#imgabs0#(式(1)中，R1表示氢原子、甲基、或卤素原子，R2表示碳原子数3～6的3价的烃基。其中，包含R2的内酯结构为5元环或6元环。)
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公开(公告)号：CN117908332A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410140541.8
申请日：2020-02-13
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 提供在半导体制造中的光刻工艺中使用的、保存稳定性优异的抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含主链中包含二硫键的聚合物、自由基捕获剂、以及溶剂。上述自由基捕获剂优选为具有环结构或硫醚结构的化合物。上述环结构优选为碳原子数6～40的芳香环结构或2,2,6,6‑四甲基哌啶结构。
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公开(公告)号：CN109563234B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN201780047436.8
申请日：2017-07-31
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08G59/14 , C08G59/68 , G03F7/11 , G03F7/40 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供用于在基板上形成具有平坦化性的被膜的光固化性组合物，其对图案的填充性高，能够形成不发生热收缩的涂膜。解决手段是一种光固化性组合物，其包含：包含光分解性含氮结构和/或光分解性含硫结构、和烃结构的至少1个化合物；以及溶剂。上述化合物为分子内具有1个以上光分解性含氮结构和/或光分解性含硫结构的化合物。上述化合物为光分解性含氮结构和/或光分解性含硫结构、和烃结构存在于同一分子内的化合物，或者上述化合物为光分解性含氮结构和/或光分解性含硫结构、和烃结构分别存在于不同分子间的化合物的组合。烃结构为碳原子数1～40的饱和或不饱和，且为直链、支链或环状的烃基。光分解性含氮结构包含通过紫外线照射而产生的反应性含氮官能团或反应性含碳官能团，光分解性含硫结构为包含通过紫外线照射而产生的有机硫自由基、或碳自由基的结构。
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公开(公告)号：CN113994263A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202080044359.2
申请日：2020-06-17
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/42 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供对抗蚀剂溶剂、作为碱水溶液的抗蚀剂显影液显示良好的耐性，同时仅对湿蚀刻药液显示除去性、且优选显示溶解性的抗蚀剂下层膜。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含具有二氰基苯乙烯基的聚合物(P)或具有二氰基苯乙烯基的化合物(C)，且包含溶剂，不包含由三聚氰胺、脲、苯胍胺、或甘脲衍生的烷基化氨基塑料交联剂，且不包含质子酸固化催化剂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113383036A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202080012493.4
申请日：2020-02-13
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08K5/3435 , C08K5/372 , C08L101/02 , G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027 , C08G63/58
Abstract: 提供在半导体制造中的光刻工艺中使用的、保存稳定性优异的抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含主链中包含二硫键的聚合物、自由基捕获剂、以及溶剂。上述自由基捕获剂优选为具有环结构或硫醚结构的化合物。上述环结构优选为碳原子数6～40的芳香环结构或2,2,6,6‑四甲基哌啶结构。
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公开(公告)号：CN111492312A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201880082023.8
申请日：2018-12-20
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/40 , H01L21/308
Abstract: 本发明提供一种耐半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，其包含分子内含有至少1组彼此相邻的2个羟基的化合物、或其聚合物、以及溶剂，其是在半导体制造中的光刻工艺中，用于形成对半导体用湿蚀刻液的耐性优异、并可以通过干蚀刻迅速除去的保护膜的组合物，并提供应用了该保护膜的带有抗蚀剂图案的基板的制造方法、和半导体装置的制造方法。
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公开(公告)号：CN113316595B
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202080009988.1
申请日：2020-01-20
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08F212/14 , C08F220/10 , G03F7/11
Abstract: 提供在半导体制造中的光刻工艺中用于形成对半导体用湿蚀刻液的耐性优异的保护膜的组合物、应用了该保护膜的抗蚀剂图案的形成方法、和半导体装置的制造方法。一种针对半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，其包含：包含至少1个缩醛结构和至少1个酰胺结构的化合物或聚合物、和溶剂。上述聚合物优选为分子内包含至少1个缩醛结构的化合物(a)、与分子内包含至少1个酰胺结构的化合物(b)的共聚物。
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公开(公告)号：CN110462520B
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN201880022769.X
申请日：2018-03-30
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , C08F290/14 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供对图案的填充性高，在基板上形成具有能够通过光固化而形成涂膜的平坦化性的被膜、且在光照射后耐热性高的被膜的高低差基板被覆组合物。解决手段是一种光固化性高低差基板被覆组合物，其包含聚合物，上述聚合物包含式(1)所示的单元结构。〔在式(1)中，A1、A2和A3各自独立地表示可以包含杂原子的碳原子数6～100的芳香族环或表示含有可以包含杂原子的碳原子数6～100的芳香族环的烃基，B1、B2和B3各自独立地表示式(2)。(在式(2)中，R1表示碳原子数1～10的亚烷基、碳原子数1～10的亚烯基、碳原子数1～10的亚炔基、碳原子数6～40的亚芳基、氧原子、羰基、硫原子、‑C(O)‑O‑、‑C(O)‑NRa‑、‑NRb‑或由它们的组合构成的基团，R2表示氢原子、或碳原子数1～10的烷基。〕
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公开(公告)号：CN114402009A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202080064632.8
申请日：2020-10-27
Applicant: 日产化学株式会社
Inventor： 远藤贵文
IPC: C08G59/42 , C08K5/092 , C08L101/06 , G03F7/20 , G03F7/11 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供在半导体基板加工时具有耐湿蚀刻液的良好的掩模(保护)功能、高干蚀刻速度，进一步对高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，能够形成平坦的膜的保护膜形成用组合物和使用该组合物而制造的保护膜、带有抗蚀剂图案的基板和半导体装置的制造方法。一种耐半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，其包含：(A)包含至少3个羧基的化合物、(B)树脂或单体、和溶剂。优选上述(A)包含至少3个羧基的化合物具有环结构。优选上述环结构选自碳原子数6～40的芳香族环、碳原子数3～10的脂肪族环和杂环。
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