公开(公告)号：CN117043679A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202280022136.5

申请日：2022-03-18

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 若山浩之 ,  清水祥 ,  井形航维 ,  田村护

IPC: G03F7/11

Abstract: 提供用于形成能够形成所希望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜的组合物、和使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案制造方法、半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其在包含杂环的聚合物的重复单元结构中或末端具有被保护基取代了的碱性的有机基，并进一步包含溶剂。上述聚合物可以含有包含碳原子数2～10的烯基的杂环。上述聚合物可以在主链具有下述式(3)所示的至少1种结构单元。(在式(3)中，A1、A2、A3、A4、A5和A6各自独立地表示氢原子、甲基或乙基，Q1表示包含杂环的2价有机基，m1和m2各自独立地表示0或1。)#imgabs0#

公开(公告)号：CN112771091B

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN201980047679.0

申请日：2019-07-16

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 水落龙太 ,  染谷安信 ,  若山浩之 ,  小泽征巳 ,  田所真介

IPC: C08F297/02 ,  C08F212/14 ,  C08F220/18 ,  C08F222/40 ,  C08F230/08 ,  H01L21/3065

Abstract: 提供用于使包含嵌段共聚物的层的、更微细的微相分离结构相对于基板垂直诱导的自组装化膜形成用组合物。此外，提供利用了那样的组合物的嵌段共聚物的相分离图案制造方法以及半导体装置的制造方法。一种自组装化膜形成用组合物，其包含嵌段共聚物和溶剂，其用于在基板上形成嵌段共聚物层的相分离结构，上述嵌段共聚物为使不含硅聚合物与下述含硅聚合物结合而成的嵌段共聚物，所述含硅聚合物以被含硅基团取代了的苯乙烯作为结构单元，上述不含硅聚合物包含来源于下述式(1‑1)或式(1‑2)的结构，上述含硅基团包含1个硅原子。(在式(1‑1)或式(1‑2)中，R1和R2各自独立地表示氢原子、卤原子、碳原子数1～10烷基，R3～R5各自独立地表示氢原子、羟基、卤原子、碳原子数1～10烷基、碳原子数1～10烷氧基、氰基、氨基、酰胺基或羰基。)#imgabs0#

公开(公告)号：CN115066654A

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN202180011243.3

申请日：2021-01-29

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 清水祥 ,  若山浩之 ,  水落龙太 ,  田村护

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027 ,  C08F20/28

Abstract: 提供用于形成能够形成所希望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜的组合物、和使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案制造方法、半导体装置的制造方法。一种EUV抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含在末端含有下述式(1)(在式(1)中，X1表示‑O‑、‑S‑、酯键或酰胺键，R1表示可以被卤原子取代的碳原子数1～20的烷基。*表示与聚合物末端的结合部分。)所示的结构的聚合物、和有机溶剂。＊‑X1‑R1(1)。

公开(公告)号：CN112771091A

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN201980047679.0

申请日：2019-07-16

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 水落龙太 ,  染谷安信 ,  若山浩之 ,  小泽征巳 ,  田所真介

IPC: C08F297/02 ,  C08F212/14 ,  C08F220/18 ,  C08F222/40 ,  C08F230/08 ,  H01L21/3065

Abstract: 提供用于使包含嵌段共聚物的层的、更微细的微相分离结构相对于基板垂直诱导的自组装化膜形成用组合物。此外，提供利用了那样的组合物的嵌段共聚物的相分离图案制造方法以及半导体装置的制造方法。一种自组装化膜形成用组合物，其包含嵌段共聚物和溶剂，其用于在基板上形成嵌段共聚物层的相分离结构，上述嵌段共聚物为使不含硅聚合物与下述含硅聚合物结合而成的嵌段共聚物，所述含硅聚合物以被含硅基团取代了的苯乙烯作为结构单元，上述不含硅聚合物包含来源于下述式(1‑1)或式(1‑2)的结构，上述含硅基团包含1个硅原子。(在式(1‑1)或式(1‑2)中，R1和R2各自独立地表示氢原子、卤原子、碳原子数1～10烷基，R3～R5各自独立地表示氢原子、羟基、卤原子、碳原子数1～10烷基、碳原子数1～10烷氧基、氰基、氨基、酰胺基或羰基。)

公开(公告)号：CN109689779B

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：CN201780055819.X

申请日：2017-09-08

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 水落龙太 ,  染谷安信 ,  若山浩之 ,  坂本力丸

IPC: C08L35/06 ,  B05D1/38 ,  B05D7/24 ,  B32B27/30 ,  C08K5/06 ,  C08L53/00 ,  C09D125/04 ,  C09D153/00 ,  C09D179/08 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/312

Abstract: 本发明涉及用于使在基板上形成的包含嵌段共聚物的层相分离的上层膜形成用组合物，包含：(A)包含(a)来自马来酰亚胺结构的单元结构和来自苯乙烯结构的单元结构的共聚物、和(B)作为溶剂的碳原子数8～16的醚化合物。本发明的上层膜形成用组合物对疏水性溶剂显示良好的溶解性，能够不使在基板上形成的包含嵌段共聚物的层溶解、膨润等地引起嵌段共聚物的垂直排列。

公开(公告)号：CN112789556B

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN201980064842.4

申请日：2019-10-01

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 清水祥 ,  水落龙太 ,  若山浩之 ,  染谷安信

IPC: G03F7/11 ,  C08G59/22 ,  C08G59/40 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供用于形成能够形成所希望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜的组合物、以及使用该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案形成方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含聚合物和有机溶剂，上述聚合物在聚合物链的末端具有下述式(1)或式(2)所示的结构。(在上述式(1)和式(2)中，X为2价有机基，A为碳原子数6～40的芳基，R1为卤原子、碳原子数1～40的烷基或碳原子数1～40的烷氧基，R2和R3各自独立地为氢原子、可以被取代的碳原子数1～10的烷基、碳原子数6～40的芳基或卤原子，n1和n3各自独立地为整数1～12，n2为整数0～11。)#imgabs0#

公开(公告)号：CN117015746A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202280021419.8

申请日：2022-03-14

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 清水祥 ,  若山浩之 ,  田村护

IPC: G03F7/11

Abstract: 本发明提供可以形成所期望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜形成用组合物、以及使用该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案制造方法、半导体装置的制造方法。所述抗蚀剂下层膜形成用组合物包含末端负载有酸化合物的聚合物、和溶剂。所述酸化合物可以与存在于聚合物末端的碱进行了离子键合。所述末端可以由下述式(I)(式中，A1表示酸化合物，B表示碱性结构，*是与聚合物残基的键合部位)表示。#imgabs0#

公开(公告)号：CN113795532A

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN202080033637.4

申请日：2020-05-01

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 若山浩之 ,  水落龙太 ,  清水祥 ,  染谷安信

IPC: C08G59/40 ,  G03F7/11 ,  H01L21/027

Abstract: 提供用于形成能够形成所希望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜的组合物、和使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案制造方法、半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含在末端含有脂肪族环的聚合物，且进一步包含有机溶剂，所述脂肪族环的碳‑碳键可以被杂原子中断并且所述脂肪族环可以经取代基取代。上述脂肪族环为碳原子数3～10的单环式或多环式脂肪族环。上述多环式脂肪族环为二环或三环。

公开(公告)号：CN110198995B

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN201880007439.3

申请日：2018-01-16

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 水落龙太 ,  染谷安信 ,  若山浩之 ,  坂本力丸

IPC: C09D125/08 ,  B05D7/24 ,  C08F287/00 ,  C08L53/00 ,  H01L21/027

Abstract: 提供一种自组装化膜形成用组合物，其用于使得即使在会发生嵌段共聚物的微相分离的排列不良那样的高的加热温度下，也在涂布膜整面使包含嵌段共聚物的层的微相分离结构相对于基板垂直诱导。一种自组装化膜形成用组合物，是包含嵌段共聚物、和作为溶剂的沸点不同的至少2种溶剂的自组装化膜形成用组合物，上述嵌段共聚物为使以来源于苯乙烯或其衍生物或丙交酯的结构作为结构单元的不含硅聚合物、与以被含硅基团取代了的苯乙烯作为结构单元的含硅聚合物结合了的嵌段共聚物，上述溶剂包含沸点为160℃以下的低沸点溶剂(A)、和沸点为170℃以上的高沸点溶剂(B)。

公开(公告)号：CN112789556A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN201980064842.4

申请日：2019-10-01

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 清水祥 ,  水落龙太 ,  若山浩之 ,  染谷安信

IPC: G03F7/11 ,  C08G59/22 ,  C08G59/40 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供用于形成能够形成所希望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜的组合物、以及使用该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案形成方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含聚合物和有机溶剂，上述聚合物在聚合物链的末端具有下述式(1)或式(2)所示的结构。(在上述式(1)和式(2)中，X为2价有机基，A为碳原子数6～40的芳基，R1为卤原子、碳原子数1～40的烷基或碳原子数1～40的烷氧基，R2和R3各自独立地为氢原子、可以被取代的碳原子数1～10的烷基、碳原子数6～40的芳基或卤原子，n1和n3各自独立地为整数1～12，n2为整数0～11。)