公开(公告)号：CN109585161A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201810325379.1

申请日：2018-04-12

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 吕文隆 ,  李旗章

IPC: H01G4/002 ,  H01G4/005 ,  H01G4/06 ,  H01G4/232 ,  H01G4/30 ,  H01G4/38

Abstract: 本发明之一电容器结构包括：一基板；一第一电极，其设置于该基板上，该第一电极包括一导电层、与该导电层电连接之一第一导电柱及与该导电层电连接之一第二导电柱。该电容器结构进一步包括一平坦化层，其设置于该第一电极上并覆盖该第一电极，该平坦化层设置于该第一导电柱与该第二导电柱间之一空间中；一第一介电层，其设置于该平坦化层上及该第一导电柱与该第二导电柱间之该空间中；及一第二电极，其设置于该第一介电层上。

公开(公告)号：CN109755387B

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN201810288103.0

申请日：2018-04-03

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 李旗章 ,  吕文隆

IPC: H10N97/00

Abstract: 一种电容器结构包含第一导电层、第一绝缘层、第一电介质层和第二导电层。所述第一导电层包含第一导电材料。所述第一绝缘层邻近于所述第一导电层与所述第一导电层设置在相同平面中。所述第一电介质层位于所述第一导电层和所述第一绝缘层上。所述第二导电层位于所述第一电介质层上，并且包含第二导电材料。所述第一导电材料不同于所述第二导电材料。

公开(公告)号：CN109755387A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201810288103.0

申请日：2018-04-03

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 李旗章 ,  吕文隆

IPC: H01L49/02

CPC classification number: H01G4/30 ,  H01G4/008 ,  H01G4/0085 ,  H01G4/012 ,  H01G4/10 ,  H01G4/1209 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/224 ,  H01G4/228 ,  H01G4/232

Abstract: 一种电容器结构包含第一导电层、第一绝缘层、第一电介质层和第二导电层。所述第一导电层包含第一导电材料。所述第一绝缘层邻近于所述第一导电层与所述第一导电层设置在相同平面中。所述第一电介质层位于所述第一导电层和所述第一绝缘层上。所述第二导电层位于所述第一电介质层上，并且包含第二导电材料。所述第一导电材料不同于所述第二导电材料。