半导体装置封装和其制造方法

    公开(公告)号:CN107170717B

    公开(公告)日:2019-11-15

    申请号:CN201710123452.2

    申请日:2017-03-03

    Abstract: 本揭露提供半导体装置封装,包含一封装衬底、一第一电子装置、一第二电子装置及一第一模封层。所述封装衬底包含一第一表面、相对于所述第一表面的一第二表面以及一边缘。所述第一电子装置位于所述封装衬底上方且通过所述第一表面电连接至所述封装衬底。所述第二电子装置位于所述第一电子装置上方且电连接至所述第一电子装置。所述第一模封层位于所述封装衬底上方,且所述第一模封层包覆所述第一表面之一部分及所述封装衬底之边缘。

    半导体封装
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107946280B

    公开(公告)日:2021-07-09

    申请号:CN201710477486.1

    申请日:2017-06-16

    Abstract: 本发明提供一种一半导体封装,其包括:一第一基板,其包括自该第一基板之一表面延伸之一第一互连结构,该第一互连结构包括一第一尺寸之颗粒;一第二基板,其包括一第二互连结构,该第二互连结构包括一第二尺寸之颗粒;及一第三互连结构,其系设置于该第一互连结构与该第二互连结构之间,该第三互连结构包括一第三尺寸之颗粒;一第一侧壁,其相对于一参考平面倾斜一第一角度;及一第二侧壁,其相对于该参考平面倾斜一第二角度,其中该第一角度相异于该第二角度,该第一侧壁系设置于该第一基板与该第二侧壁之间,且该第三尺寸小于该第一尺寸与该第二尺寸两者。

    封装结构及其形成方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113035846A

    公开(公告)日:2021-06-25

    申请号:CN202110147418.5

    申请日:2021-02-03

    Abstract: 本发明提供了一种封装结构及其形成方法。该封装结构包括:再分布层;第一管芯和第二管芯,位于再分布层上方;底部填充物,位于第一管芯和第二管芯与再分布层之间以及第一管芯与第二管芯之间;以及应力缓冲层,嵌入在再分布层内并且位于底部填充物下方,应力缓冲层的热膨胀系数小于再分布层的热膨胀系数。止述技术方案至少能够避免封装结构中的裂纹产生。

    封装组件
    6.
    发明公开
    封装组件 审中-实审

    公开(公告)号:CN112951776A

    公开(公告)日:2021-06-11

    申请号:CN202110063478.9

    申请日:2021-01-18

    Abstract: 本发明公开了一种封装组件,该封装组件包括:第一电连接件,连接在基板的上表面与管芯的下表面之间;模封物,至少位于所述基板与所述管芯之间并且填充在所述第一电连接件之间。其中,所述管芯具有垂直于所述基板的所述上表面的第一侧和与所述第一侧相对设置的第二侧,所述第一电连接件布置为在分配模封物流体期间将所述第一侧和所述第二侧处的所述模封物流体朝向所述第一侧和所述第二侧之间引导。本发明的上述方案,至少能够解决了传统形成模封物期间产生的回包问题,提高了整体封装组件的成品率与可靠度。

    衬底和半导体装置封装
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109494211A

    公开(公告)日:2019-03-19

    申请号:CN201810132889.7

    申请日:2018-02-09

    Inventor: 陈道隆 洪志斌

    Abstract: 提供一种衬底,所述衬底包含电介质层和邻近所述电介质层的图案化导电层。所述图案化导电层包括第一导电衬垫,所述第一导电衬垫包括具有第一凹面侧壁的第一部分。所述衬底进一步包含安置在所述图案化导电层上的保护层,且所述保护层覆盖所述第一导电衬垫的所述第一部分。

    衬底和半导体装置封装
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109494211B

    公开(公告)日:2022-06-17

    申请号:CN201810132889.7

    申请日:2018-02-09

    Inventor: 陈道隆 洪志斌

    Abstract: 提供一种衬底,所述衬底包含电介质层和邻近所述电介质层的图案化导电层。所述图案化导电层包括第一导电衬垫,所述第一导电衬垫包括具有第一凹面侧壁的第一部分。所述衬底进一步包含安置在所述图案化导电层上的保护层,且所述保护层覆盖所述第一导电衬垫的所述第一部分。

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