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公开(公告)号:CN111146158A
公开(公告)日:2020-05-12
申请号:CN201910833370.6
申请日:2019-09-04
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L21/56
Abstract: 本发明涉及一种半导体封装结构,所述半导体封装结构包括半导体裸片、至少一个布线结构、封装体和多个导电元件。所述半导体裸片具有主动表面。所述至少一个布线结构电性连接到所述半导体裸片的所述主动表面。所述封装体包围所述半导体裸片。所述封装体由封装材料形成,且所述封装体的杨氏模量介于0.001GPa与1Gpa之间。所述导电元件嵌入于所述封装体中,且电性连接到所述至少一个布线结构。
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公开(公告)号:CN107170717B
公开(公告)日:2019-11-15
申请号:CN201710123452.2
申请日:2017-03-03
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
Abstract: 本揭露提供半导体装置封装,包含一封装衬底、一第一电子装置、一第二电子装置及一第一模封层。所述封装衬底包含一第一表面、相对于所述第一表面的一第二表面以及一边缘。所述第一电子装置位于所述封装衬底上方且通过所述第一表面电连接至所述封装衬底。所述第二电子装置位于所述第一电子装置上方且电连接至所述第一电子装置。所述第一模封层位于所述封装衬底上方,且所述第一模封层包覆所述第一表面之一部分及所述封装衬底之边缘。
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公开(公告)号:CN109037163A
公开(公告)日:2018-12-18
申请号:CN201711234942.6
申请日:2017-11-30
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/14 , H01L23/31 , H01L23/498
Abstract: 本发明涉及包括衬底、半导体装置和底部填充的半导体装置封装。衬底包含限定安装区域的顶部表面以及在顶部表面上并且邻近于安装区域的屏障区段。半导体装置安装在衬底的安装区域上。底部填充安置在半导体装置与衬底的安装区域和屏障区段之间。在底部填充的表面与屏障区段之间的接触角大于或等于约90度。
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公开(公告)号:CN107946280B
公开(公告)日:2021-07-09
申请号:CN201710477486.1
申请日:2017-06-16
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/528
Abstract: 本发明提供一种一半导体封装,其包括:一第一基板,其包括自该第一基板之一表面延伸之一第一互连结构,该第一互连结构包括一第一尺寸之颗粒;一第二基板,其包括一第二互连结构,该第二互连结构包括一第二尺寸之颗粒;及一第三互连结构,其系设置于该第一互连结构与该第二互连结构之间,该第三互连结构包括一第三尺寸之颗粒;一第一侧壁,其相对于一参考平面倾斜一第一角度;及一第二侧壁,其相对于该参考平面倾斜一第二角度,其中该第一角度相异于该第二角度,该第一侧壁系设置于该第一基板与该第二侧壁之间,且该第三尺寸小于该第一尺寸与该第二尺寸两者。
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公开(公告)号:CN113035846A
公开(公告)日:2021-06-25
申请号:CN202110147418.5
申请日:2021-02-03
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L23/498 , H01L21/50
Abstract: 本发明提供了一种封装结构及其形成方法。该封装结构包括:再分布层;第一管芯和第二管芯,位于再分布层上方;底部填充物,位于第一管芯和第二管芯与再分布层之间以及第一管芯与第二管芯之间;以及应力缓冲层,嵌入在再分布层内并且位于底部填充物下方,应力缓冲层的热膨胀系数小于再分布层的热膨胀系数。止述技术方案至少能够避免封装结构中的裂纹产生。
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公开(公告)号:CN112951776A
公开(公告)日:2021-06-11
申请号:CN202110063478.9
申请日:2021-01-18
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种封装组件,该封装组件包括:第一电连接件,连接在基板的上表面与管芯的下表面之间;模封物,至少位于所述基板与所述管芯之间并且填充在所述第一电连接件之间。其中,所述管芯具有垂直于所述基板的所述上表面的第一侧和与所述第一侧相对设置的第二侧,所述第一电连接件布置为在分配模封物流体期间将所述第一侧和所述第二侧处的所述模封物流体朝向所述第一侧和所述第二侧之间引导。本发明的上述方案,至少能够解决了传统形成模封物期间产生的回包问题,提高了整体封装组件的成品率与可靠度。
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公开(公告)号:CN109494211A
公开(公告)日:2019-03-19
申请号:CN201810132889.7
申请日:2018-02-09
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/498
Abstract: 提供一种衬底,所述衬底包含电介质层和邻近所述电介质层的图案化导电层。所述图案化导电层包括第一导电衬垫,所述第一导电衬垫包括具有第一凹面侧壁的第一部分。所述衬底进一步包含安置在所述图案化导电层上的保护层,且所述保护层覆盖所述第一导电衬垫的所述第一部分。
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公开(公告)号:CN106057765A
公开(公告)日:2016-10-26
申请号:CN201610223154.6
申请日:2016-04-12
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L21/48 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及一种半导体封装结构和其制造方法。所述半导体封装结构包含引线框和半导体裸片。所述引线框包含主要部分和突出部分。所述半导体裸片被接合到所述主要部分的第一表面。所述突出部分从所述主要部分的第二表面突出。所述突出部分的位置对应于所述半导体裸片的位置。
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公开(公告)号:CN114678336A
公开(公告)日:2022-06-28
申请号:CN202210137752.7
申请日:2022-02-15
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/38 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/50 , H01L35/34
Abstract: 本发明提供了一种半导体封装件,包括:管芯;邻近管芯的侧部设置并且与侧部接触的热电冷却器,以及环绕热电冷却器的环形形状的金属件。热电冷却器的远离管芯的侧部邻近金属件设置。本发明实施例另一方面还提供了一种形成半导体封装件的方法。本申请的实施例至少提高了半导体封装件的散热率。
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公开(公告)号:CN109494211B
公开(公告)日:2022-06-17
申请号:CN201810132889.7
申请日:2018-02-09
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/498
Abstract: 提供一种衬底,所述衬底包含电介质层和邻近所述电介质层的图案化导电层。所述图案化导电层包括第一导电衬垫,所述第一导电衬垫包括具有第一凹面侧壁的第一部分。所述衬底进一步包含安置在所述图案化导电层上的保护层,且所述保护层覆盖所述第一导电衬垫的所述第一部分。
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