公开(公告)号：CN108884559A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201680073063.7

申请日：2016-11-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 刘振东 ,  侯文婷 ,  雷建新 ,  翁建业 ,  吕明谕

IPC: C23C14/56 ,  C23C14/34 ,  C23C14/50

CPC classification number: C23C4/134 ,  C23C14/34 ,  C23C14/564 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/50 ,  C23C18/1646 ,  C23C18/1689 ,  C23C18/31 ,  C23C18/48 ,  C25D3/02 ,  C25D5/48 ,  C25D7/00 ,  C25D17/00 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32504 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3441 ,  H01J37/3476

Abstract: 本公开内容的实施方式涉及用于在处理腔室中使用的改良的屏蔽物。在一个实施方式中，所述屏蔽物包括具有圆柱形状的中空主体和形成在主体的内表面上的涂覆层，所述圆柱形状大致上关于所述主体的中心轴对称。涂覆层由与在所述处理腔室中使用的溅射靶相同的材料形成。屏蔽物通过减少屏蔽物与溅射靶之间的发弧而有利地减少使用RF‑PVD沉积的膜中的颗粒污染物。发弧因屏蔽物的内表面上存在涂覆层而减少。

公开(公告)号：CN108368603A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201680074362.2

申请日：2016-11-28

Applicant: 沙特基础工业全球技术公司

Inventor： A·塔科尔 ,  H·姚 ,  H·赖 ,  C·刘 ,  Y·牛 ,  S·姜

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/56 ,  C23C14/02 ,  C23C14/46 ,  G02B1/00 ,  H01J37/317 ,  H01J37/34

CPC classification number: C23C14/56 ,  C23C14/02 ,  C23C14/022 ,  C23C14/34 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/46 ,  G02B1/118 ,  G02B1/14 ,  H01J37/32403 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3429

Abstract: 用于在真空中施加多个等离子体涂覆层的装置和方法，以及由该方法产生的产品。该方法包括在真空室中安置基底和给基底施加多个等离子体涂覆层，而不中断真空。

公开(公告)号：CN107851548A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201580081633.2

申请日：2015-07-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 赫尔穆特·格林 ,  托马斯·沃纳·兹巴于尔

IPC: H01J37/34 ,  C23C14/34 ,  C23C14/35

CPC classification number: C23C14/3407 ,  C23C14/165 ,  C23C14/35 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3435 ,  H01J37/3497

Abstract: 描述了一种溅射源(100)。所述溅射源包括：背衬支撑件(102)，所述背衬支撑件具有靶接收表面(112)和与所述靶接收表面相对的另一表面(110)；和至少一个磁体组件(115)，所述磁体组件邻近所述另一表面设置，其中所述背衬支撑件的所述靶接收表面具有至少一个凹槽(120)，其中所述凹槽与所述磁体组件相对地设置。

公开(公告)号：CN104205295B

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201380017145.6

申请日：2013-03-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 阿希什·戈埃尔 ,  阿纳塔·苏比玛尼

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/324

CPC classification number: C23C16/4585 ,  C23C14/50 ,  C23C14/541 ,  C23C14/564 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3441 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68735

Abstract: 披露了在单一腔室中用于基板的材料处理和热处理的设备和方法。在一个实施方式中，设置有边缘环。边缘环包括环形主体，环形主体具有内周边边缘、第一表面和与第一表面相对的第二表面；第一凸起构件，第一凸起构件从第二表面实质上正交地延伸出；第二凸起构件，第二凸起构件从邻近于第一凸起构件的第二表面延伸出，并通过第一凹陷与第一凸起构件分离；和第三凸起构件，第三凸起构件从邻近于第二凸起构件的第二表面延伸出，并通过第二凹陷分离，第二凹陷包括倾斜表面，倾斜表面具有与第一表面的反射率值不同的反射率值。

公开(公告)号：CN106133181A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201580017459.5

申请日：2015-02-19

Applicant: 因特瓦克公司

Inventor： D·W·布朗 ,  T·布鲁克

IPC: C23C14/00 ,  C23C14/34 ,  C23C14/35

CPC classification number: H01J37/3455 ,  C23C14/35 ,  C23C14/56 ,  G11B5/851 ,  H01F41/183 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3435 ,  H01J37/3452 ,  H01J37/347

Abstract: 一种用于将材料从靶材沉积到衬底上的系统，包括：处理室；溅射靶材，其具有长度L并且具有设置在该溅射靶材的前表面上的高磁性溅射材料；磁体组件，其是可操作的以接近该靶材的背面越过该长度L往复地扫描；并且该磁体组件包括：由磁性材料制成的背板；第一组磁体，其被呈单行设置在背板的中央并且具有被设置成面对该靶材的背面的第一磁极；和第二组磁体，其被围绕该背板的外围设置，以便环绕住该第一组磁体，第二组磁体具有与第一磁极相反的第二磁极并且被设置成面对该靶材的背面。

公开(公告)号：CN102859639B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201180009239.X

申请日：2011-02-07

Applicant: 欧瑞康先进科技股份公司

Inventor： J·魏夏特

IPC: H01J37/34

CPC classification number: H01J37/3408 ,  H01J37/3455

Abstract: 一种磁控管源包括一具有溅镀面及背面的靶材(39)。以驱动方式沿着该靶材(39)的背面移动一磁铁配置(30、32、19a、19b)。在该磁铁配置的一外环路(30)与一内环路(32)之间产生一隧道状磁控管磁场。在该整体配置的外及内环路(30、32)之间的中间空间中提供该磁铁配置的狭长可枢转或可旋转永久磁铁配置(19a、19b)。

公开(公告)号：CN103168338B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180050880.8

申请日：2011-09-17

Applicant: 于利奇研究中心有限公司

Inventor： M.法利 ,  U.波佩

IPC: H01J37/34 ,  C23C14/35

CPC classification number: C23C14/35 ,  C23C14/562 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3452

Abstract: 在本发明的范围内，开发一种溅射头，其具有用于溅射靶的容纳面（靶容纳部）。该溅射头具有一个或多个磁场源以用于生成漏磁场。根据本发明，至少一个磁场源的北磁极和南磁极彼此相距10mm或更低、优选5mm更低、并且特别优选大致1mm，其中在所述磁场源之间形成漏磁场。已经认识到，恰好在0.5毫巴或更高的高溅射气体压力下进行溅射时，可以通过这样的局部有效的磁场来局部地匹配溅射等离子体的电离度以及因此溅射靶上的侵蚀速率。由此，所获得的层在衬底表面上的厚度变得更均匀。溅射头有利地附加地具有固体绝缘体，所述固体绝缘体包围具有靶容纳面的基体以及溅射靶（全部处于电势上）并且同在空间上将材料侵蚀限制到溅射靶上（限制到物料）的屏蔽体电绝缘。

公开(公告)号：CN102144044B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN200980133584.7

申请日：2009-08-25

Applicant: EMD株式会社

Inventor： 节原裕一 ,  江部明宪 ,  韩铨建

IPC: C23C14/40 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/3408 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/358 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/3411 ,  H01J37/3417

Abstract: 本发明的目的是提供一种能够以较快的速度进行溅镀处理的溅镀薄膜形成装置。溅镀薄膜形成装置(10)具备下述构成：真空容器(11)、设于真空容器(11)内的靶保持器(13)、设成与靶保持器(13)相对向的基板保持器(14)、用以在靶保持器(13)与基板保持器(14)之间施加电压的电源(15)、设置于靶保持器(13)背面的用以生成具有与靶(T)平行的分量的磁场的磁控管溅镀用磁铁(12)、用以在磁控管溅镀用磁铁(12)所生成的规定强度以上的磁场所存在的靶T附近的区域生成高频感应耦合等离子的高频天线(16)。藉由以高频天线(16)所生成的高频感应耦合等离子，可促进电子供给至上述磁场内，故可以较快的速度进行溅镀处理。

公开(公告)号：CN102439697B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201080022533.X

申请日：2010-04-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 阿道夫·米勒·艾伦 ,  拉拉·哈夫雷查克 ,  谢志刚 ,  穆罕默德·M·拉希德 ,  汪荣军 ,  唐先民 ,  刘振东 ,  龚则敬 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  张梅 ,  迈克尔·S·考克斯 ,  唐尼·扬 ,  基兰库马·文德亚 ,  葛振宾

IPC: H01L21/203 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/564 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/35 ,  C23C14/548 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3441 ,  H01J37/3455

Abstract: 本发明的实施例大体上提出用来进行物理气相沉积(PVD)工艺的处理腔室和沉积多组分薄膜的方法。处理腔室可包括：改良式RF进料构造，以减少任何驻波效应；改良式磁控管设计，用以加强RF等离子体均匀性、沉积膜组分和厚度均匀性；改良式基板偏压构造，用以改善工艺控制；以及改良式工艺套件设计，以改善基板临界表面附近的RF场均匀性。所述方法包括利用耦接多组分靶材的RF供应器，在腔室的处理区中形成等离子体、相对多组分靶材平移电磁管磁控管，其中当磁控管平移且形成等离子体时，磁控管相对多组分靶材的中心点位于第一位置，以及在腔室中的基板上沉积多组分薄膜。

公开(公告)号：CN104810228A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201410032274.9

申请日：2014-01-23

Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

Inventor： 杨玉杰 ,  李强 ,  邱国庆 ,  白志民 ,  王厚工 ,  丁培军 ,  吕峰

IPC: H01J23/09 ,  H01J25/50 ,  H01J37/34

CPC classification number: H01J37/3405 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/14 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/35 ,  H01J25/58 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3452 ,  H01J23/09 ,  H01J25/50 ,  H01J37/34

Abstract: 本发明涉及一种螺旋形磁控管及磁控溅射设备，螺旋形磁控管包括极性相反的分别由多条螺旋线组成的内磁极和外磁极；内磁极螺旋线的螺旋中心围绕在内磁极内部；外磁极的螺旋中心与内磁极的螺旋中心相同，外磁极螺旋线与内磁极螺旋线从螺旋中心向外周螺旋离散；外磁极逐层包围内磁极；离螺旋中心最远的内磁极螺旋线与相邻的内磁极螺旋线在末端合并，合并末端沿离所述螺旋中心最远的内磁极螺旋线的轨迹延伸；离螺旋中心最远的外磁极螺旋线包围所述合并末端，离螺旋中心最远的外磁极螺旋线的末端与相邻外磁极螺旋线之间圆弧连接；相邻内磁极螺旋线圆滑封闭连接，相邻外磁极螺旋线圆滑封闭连接；内磁极、外磁极螺旋线依方程分布，实现溅射沉积均匀。