公开(公告)号：CN1238907C

公开(公告)日：2006-01-25

申请号：CN01123825.9

申请日：2001-08-01

Applicant: 日本板硝子株式会社

Inventor： 黑田靖尚 ,  田上高志 ,  仲间健一

IPC: H01L31/042 ,  G02B6/293

CPC classification number: G01J3/18 ,  G01J3/0256 ,  G01J3/2803 ,  G02B6/2931 ,  G02B6/29385 ,  G02B6/4215 ,  H01L27/1443 ,  H01L27/14625 ,  H04J14/02

Abstract: 当使用对于在第i′和第(i+1)′信道之间具有波长间隔Δλi的入射光其光栅周期为d和衍射序数为m的衍射光栅时，用L表示衍射光栅和光探测器之间的光程长度，用θo表示平均出射角度，光探测器阵列中第i′和第(i+1)′光探测器间的间距pi满足等式pi＝mΔλiL/dcosθo。

公开(公告)号：CN1386305A

公开(公告)日：2002-12-18

申请号：CN01802040.2

申请日：2001-07-16

Applicant: 日本板硝子株式会社

Inventor： 駒场信幸 ,  田上高志 ,  有马靖智 ,  楠田幸久

IPC: H01L31/105

CPC classification number: H01L27/14643 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14636 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00014

Abstract: 提供一种受光元件阵列,可以防止串扰引起的受光元件的特性劣化。在n－InP基板上叠层n－InP层、i－InGaAs层、n－InP层,在n－InP层内扩散Zn而形成p型扩散区,作成pin光电二极管。在该结构上,保护绝缘膜成膜到成为无反射条件那样的膜厚。在该保护绝缘膜上,以覆盖受光部之间的方式设置遮光膜。

公开(公告)号：CN1306678A

公开(公告)日：2001-08-01

申请号：CN00800921.X

申请日：2000-06-06

Applicant: 日本板硝子株式会社

Inventor： 田上高志 ,  楠田幸久 ,  大野诚治 ,  驹场信幸

IPC: H01L33/00 ,  H01L27/15 ,  B41J2/45

CPC classification number: H01L27/153 ,  B41J2/45 ,  B41J2002/453 ,  H01L33/0016 ,  H01L33/145 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38

Abstract: 提供一种可改善外部发光效率的端面发光半导体开关元件以及用它制作的自扫描型发光阵列。为了改善端面发光半导体开关元件的外部发光效率,采用了使从电极注入的电流集中在发光半导体开关元件的端面附近的结构。本发明所述的自扫描型发光元件阵列用这种端面发光半导体开关元件来实现。

公开(公告)号：CN1336740A

公开(公告)日：2002-02-20

申请号：CN01123825.9

申请日：2001-08-01

Applicant: 日本板硝子株式会社

Inventor： 黑田靖尚 ,  田上高志 ,  仲间健一

IPC: H04J14/02 ,  H04B10/08

CPC classification number: G01J3/18 ,  G01J3/0256 ,  G01J3/2803 ,  G02B6/2931 ,  G02B6/29385 ,  G02B6/4215 ,  H01L27/1443 ,  H01L27/14625 ,  H04J14/02

Abstract: 当使用对于在第i′和第(i+1)′信道之间具有波长间隔Δλi的入射光其光栅周期为d和衍射序数为m的衍射光栅时,用L表示衍射光栅和光探测器之间的光程长度,用θ。表示平均出射角度,光探测器阵列中第i′和第(i+1)′光探测器间的间距pi满足等式pi=mΔλiL/dcosθ。

公开(公告)号：CN1327532A

公开(公告)日：2001-12-19

申请号：CN00802203.8

申请日：2000-10-05

Applicant: 日本板硝子株式会社

Inventor： 田上高志 ,  仲间健一 ,  驹场信幸 ,  有马靖智 ,  楠田幸久

IPC: G01J3/36

CPC classification number: G01J3/36 ,  G01J3/2803 ,  G02B6/29307 ,  G02B6/2931 ,  H01L27/1446 ,  H01L31/105 ,  H04B10/07953

Abstract: 提供可以明确地分离波分复用的光的各个信道的信号和噪声的光分波器。该光分波器,具备从波分复用的光中分离每一个波长,接受排列成直线状的分波光的受光器件阵列。受光器件阵列具有多个信号监视用的受光器件和多个噪声监视用的受光器件,信号监视用受光器件和噪声监视用受光器件,在与上述分波光的排列方向相同的方向上,以直线状交互地排列。

公开(公告)号：CN1383581A

公开(公告)日：2002-12-04

申请号：CN01801906.4

申请日：2001-07-10

Applicant: 日本板硝子株式会社

Inventor： 田上高志 ,  仲间健一

IPC: H01L31/16 ,  G01B11/00 ,  G01J3/28

CPC classification number: G01J9/00 ,  G01J1/42 ,  G01J3/2803 ,  G01J3/36 ,  H01L31/02024 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/105 ,  Y02E10/544

Abstract: 提供一种能够容易地检测光通信用的长波段的光强度的重心位置的受光元件。在n型InP基板上形成InGaAs层(i层),p型InP层,在n型基板的背面上形成电极,在p型层的表面的两端形成电极。入射到表面的点光被光电变换,作为光电流在p型层的表面上左右流动,所以从两端的电极输出与其距离相对应的电流。根据从两端的电极所输出的电流的值可以求出光强度的重心位置,根据从两端的电极所输出的电流之和可以求出光强度。

公开(公告)号：CN1327617A

公开(公告)日：2001-12-19

申请号：CN00802271.2

申请日：2000-10-11

Applicant: 日本板硝子株式会社

Inventor： 驹场信幸 ,  田上高志 ,  楠田幸久 ,  有马靖智

IPC: H01L27/14 ,  H01L31/105

CPC classification number: H01L27/14625 ,  H01L27/1446

Abstract: 提供可以减小受光器件阵列的尺寸和节距,并可以减小对相邻的受光器件的串扰的受光器件阵列。它是一种对半导体层层叠构成的受光器件进行隔离刻蚀的台面式构造的受光器件阵列,在n型InP衬底上,叠层n型InP层、i型InGaAs层(光吸收层)和p型InP层(窗口层),对InGaAs层和p型InP层进行刻蚀使器件间进行隔离,覆盖绝缘膜,在各个受光器件的p型InP层上形成p型欧姆电极,在n型InP衬底的背面上形成共通的n型欧姆电极。

公开(公告)号：CN1310864A

公开(公告)日：2001-08-29

申请号：CN00800863.9

申请日：2000-06-01

Applicant: 日本板硝子株式会社

Inventor： 田上高志 ,  仲间健一

IPC: H01L31/02 ,  G02B6/42 ,  G02B6/293

CPC classification number: H01L27/14643 ,  G02B6/29307 ,  G02B6/2931 ,  G02B6/4245 ,  G02B6/4249 ,  G02B6/4265 ,  G02B6/4274 ,  H01L27/14618 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明可适用于复回型配置的分光器,可使受光元件阵列芯片的受光部靠近输入光纤配置,且可抑制慧形象差,缩短光学系的长度,以使分光器小型化。该受光元件阵列器件把具有阵列状配置着许多光学元件的受光部的长方形芯片封入备有外引线的长方形外壳内,再把芯片焊盘和外壳焊接接头用焊线相连。在结构上要采用以下三种结构中的一种或它们之间的组合:(1)在芯片受光部周边一条长边的一侧没有设置焊盘,(2)在外壳一条长边的一侧没有设置外引线,(3)在外壳一条长边的一侧没有设置外引线;且使芯片靠近外壳单侧安装。