公开(公告)号：CN110637400A

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201880032645.X

申请日：2018-05-15

Applicant: 日本电信电话株式会社

Inventor： 中尾亮 ,  硴塚孝明 ,  松尾慎治

IPC: H01S5/042

Abstract: 本申请实现一种半导体光元件，该半导体光元件兼顾散热和光限制，高效地注入电流或施加电场。所述半导体光元件设有：芯层，包括活性区域(1)，该活性区域(1)包括化合物半导体；两个包层(5、6)，注入电流至所述芯层；以及第三包层(4)，构成为包含热传导率比所述芯层、所述两个包层中的任一个大，折射率比所述芯层、所述两个包层中的任一个小，带隙比所述芯层、所述两个包层中的任一个大的材料。

公开(公告)号：CN110637400B

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201880032645.X

申请日：2018-05-15

Applicant: 日本电信电话株式会社

Inventor： 中尾亮 ,  硴塚孝明 ,  松尾慎治

IPC: H01S5/042

Abstract: 本申请实现一种半导体光元件，该半导体光元件兼顾散热和光限制，高效地注入电流或施加电场。所述半导体光元件设有：芯层，包括活性区域(1)，该活性区域(1)包括化合物半导体；两个包层(5、6)，注入电流至所述芯层；以及第三包层(4)，构成为包含热传导率比所述芯层、所述两个包层中的任一个大，折射率比所述芯层、所述两个包层中的任一个小，带隙比所述芯层、所述两个包层中的任一个大的材料。