公开(公告)号：CN110637400B

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201880032645.X

申请日：2018-05-15

Applicant: 日本电信电话株式会社

Inventor： 中尾亮 ,  硴塚孝明 ,  松尾慎治

IPC: H01S5/042

Abstract: 本申请实现一种半导体光元件，该半导体光元件兼顾散热和光限制，高效地注入电流或施加电场。所述半导体光元件设有：芯层，包括活性区域(1)，该活性区域(1)包括化合物半导体；两个包层(5、6)，注入电流至所述芯层；以及第三包层(4)，构成为包含热传导率比所述芯层、所述两个包层中的任一个大，折射率比所述芯层、所述两个包层中的任一个小，带隙比所述芯层、所述两个包层中的任一个大的材料。

公开(公告)号：CN111758065B

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN201980014478.0

申请日：2019-02-08

Applicant: 日本电信电话株式会社

Inventor： 开达郎 ,  硴塚孝明 ,  松尾慎治

IPC: G02F1/025 ,  G02B6/12

Abstract: 本发明使得在使用由基于InP的半导体构成的芯的光调制器中能够更容易地提高调制效率。根据本发明的光调制器设置有：下包层(102)，形成在衬底(101)上；芯(103)，形成在下包层(102)上；以及上包层(104)，形成在芯(103)上。芯(103)由带隙与期望波长相对应的基于InP的半导体构成。下包层(102)和上包层(104)被配置为折射率等于或小于InP的折射率。

公开(公告)号：CN111758065A

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN201980014478.0

申请日：2019-02-08

Applicant: 日本电信电话株式会社

Inventor： 开达郎 ,  硴塚孝明 ,  松尾慎治

IPC: G02F1/025 ,  G02B6/12

Abstract: 本发明使得在使用由基于InP的半导体构成的芯的光调制器中能够更容易地提高调制效率。根据本发明的光调制器设置有：下包层(102)，形成在衬底(101)上；芯(103)，形成在下包层(102)上；以及上包层(104)，形成在芯(103)上。芯(103)由带隙与期望波长相对应的基于InP的半导体构成。下包层(102)和上包层(104)被配置为折射率等于或小于InP的折射率。

公开(公告)号：CN110637400A

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201880032645.X

申请日：2018-05-15

Applicant: 日本电信电话株式会社

Inventor： 中尾亮 ,  硴塚孝明 ,  松尾慎治

IPC: H01S5/042

Abstract: 本申请实现一种半导体光元件，该半导体光元件兼顾散热和光限制，高效地注入电流或施加电场。所述半导体光元件设有：芯层，包括活性区域(1)，该活性区域(1)包括化合物半导体；两个包层(5、6)，注入电流至所述芯层；以及第三包层(4)，构成为包含热传导率比所述芯层、所述两个包层中的任一个大，折射率比所述芯层、所述两个包层中的任一个小，带隙比所述芯层、所述两个包层中的任一个大的材料。