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公开(公告)号：CN1652339A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN200510006702.1
申请日：2005-02-02
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: H01L29/66825 , H01L21/28273 , H01L23/552 , H01L29/7881 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 公开了一种非易失性半导体存储器及其制造方法，其中，至少在被形成在绝缘衬底上的存储晶体管的上方或下方，提供屏蔽层，该屏蔽层的面积大于该存储晶体管的半导体层的面积，并且该屏蔽层具有电磁波屏蔽作用或光屏蔽作用，或者具有电磁波屏蔽和光屏蔽两种作用，并且借助该屏蔽层，防止了电磁波或光进入半导体层。或者，使存储晶体管的栅和电荷积聚层的至少之一的区域面积大于半导体层，以防止电磁波或光通过该栅或电荷积聚层进入半导体层。
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公开(公告)号：CN100555375C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200510104135.3
申请日：2005-09-19
Applicant: 日本电气株式会社 , NEC液晶技术株式会社
IPC: G09G3/20
CPC classification number: G09G3/3648 , G09G3/3688 , G09G2300/0408 , G09G2300/08 , G09G2310/027 , G09G2310/0289 , G09G2310/0297
Abstract: 通过抑制由于发生在利用具有浮置体的MOS晶体管的电路中的滞后效应所引起的操作故障，提供了一种电特性优异的器件。此外，改善了包括这些MOS晶体管作为组件的读出放大器电路和锁存电路的敏感度。在第一时间段(有效时间段)中，使用MOS晶体管的电特性，输出除第一电路以外的其他电路所需的信号，以及在除第一时间段以外的第二时间段(空闲时间段)中，在MOS晶体管的栅极和源极之间，施加不小于这些MOS晶体管的阈值电压的阶梯波形电压。
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公开(公告)号：CN100459169C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200610101939.2
申请日：2006-07-11
Applicant: 日本电气株式会社 , NEC液晶技术株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/311
CPC classification number: H01L29/78621 , H01L29/66757
Abstract: 在绝缘衬底上形成基层，并在其上局部地形成半导体层。接着形成栅绝缘膜以覆盖半导体层，并且在栅绝缘膜的一部分上形成栅极。接着经栅绝缘膜向半导体层注入杂质，并形成源区、漏区和LDD区。用稀释氢氟酸蚀刻栅绝缘膜。接着形成电极保护绝缘膜以覆盖栅极，并用稀释氢氟酸蚀刻掉电极保护绝缘膜表面层部分的整个表面。由此除去引入电极保护绝缘膜和栅绝缘膜的载流子阱。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1897307A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200610101939.2
申请日：2006-07-11
Applicant: 日本电气株式会社 , NEC液晶技术株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/311
CPC classification number: H01L29/78621 , H01L29/66757
Abstract: 在绝缘衬底上形成基层，并在其上局部地形成半导体层。接着形成栅绝缘膜以覆盖半导体层，并且在栅绝缘膜的一部分上形成栅极。接着经栅绝缘膜向半导体层注入杂质，并形成源区、漏区和LDD区。用稀释氢氟酸蚀刻栅绝缘膜。接着形成电极保护绝缘膜以覆盖栅极，并用稀释氢氟酸蚀刻掉电极保护绝缘膜表面层部分的整个表面。由此除去引入电极保护绝缘膜和栅绝缘膜的载流子阱。
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公开(公告)号：CN101320754A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200810136034.8
申请日：2005-09-19
Applicant: 日本电气株式会社 , NEC液晶技术株式会社
IPC: H01L29/786 , G09G3/36
CPC classification number: G09G3/3648 , G09G3/3688 , G09G2300/0408 , G09G2300/08 , G09G2310/027 , G09G2310/0289 , G09G2310/0297
Abstract: 通过抑制由于发生在利用具有浮置体的MOS晶体管的电路中的滞后效应所引起的操作故障，提供了一种电特性优异的器件。此外，改善了包括这些MOS晶体管作为组件的读出放大器电路和锁存电路的敏感度。在第一时间段(有效时间段)中，使用MOS晶体管的电特性，输出除第一电路以外的其他电路所需的信号，以及在除第一时间段以外的第二时间段(空闲时间段)中，在MOS晶体管的栅极和源极之间，施加不小于这些MOS晶体管的阈值电压的阶梯波形电压。
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公开(公告)号：CN101527133B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200910128536.0
申请日：2005-09-19
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: G09G3/36
CPC classification number: G09G3/3648 , G09G3/3688 , G09G2300/0408 , G09G2300/08 , G09G2310/027 , G09G2310/0289 , G09G2310/0297
Abstract: 一种读出放大器电路、一种显示设备以及一种半导体器件。通过抑制由于发生在利用具有浮置体的MOS晶体管的电路中的滞后效应所引起的操作故障，提供了一种电特性优异的器件。此外，改善了包括这些MOS晶体管作为组件的读出放大器电路和锁存电路的敏感度。在第一时间段(有效时间段)中，使用MOS晶体管的电特性，输出除第一电路以外的其他电路所需的信号，以及在除第一时间段以外的第二时间段(空闲时间段)中，在MOS晶体管的栅极和源极之间，施加不小于这些MOS晶体管的阈值电压的阶梯波形电压。
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公开(公告)号：CN101527133A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200910128536.0
申请日：2005-09-19
Applicant: 日本电气株式会社 , NEC液晶技术株式会社
IPC: G09G3/36
CPC classification number: G09G3/3648 , G09G3/3688 , G09G2300/0408 , G09G2300/08 , G09G2310/027 , G09G2310/0289 , G09G2310/0297
Abstract: 一种读出放大器电路、一种显示设备以及一种半导体器件。通过抑制由于发生在利用具有浮置体的MOS晶体管的电路中的滞后效应所引起的操作故障，提供了一种电特性优异的器件。此外，改善了包括这些MOS晶体管作为组件的读出放大器电路和锁存电路的敏感度。在第一时间段(有效时间段)中，使用MOS晶体管的电特性，输出除第一电路以外的其他电路所需的信号，以及在除第一时间段以外的第二时间段(空闲时间段)中，在MOS晶体管的栅极和源极之间，施加不小于这些MOS晶体管的阈值电压的阶梯波形电压。
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公开(公告)号：CN1750074A
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN200510104135.3
申请日：2005-09-19
Applicant: 日本电气株式会社 , NEC液晶技术株式会社
IPC: G09G3/20
CPC classification number: G09G3/3648 , G09G3/3688 , G09G2300/0408 , G09G2300/08 , G09G2310/027 , G09G2310/0289 , G09G2310/0297
Abstract: 通过抑制由于发生在利用具有浮置体的MOS晶体管的电路中的滞后效应所引起的操作故障，提供了一种电特性优异的器件。此外，改善了包括这些MOS晶体管作为组件的读出放大器电路和锁存电路的敏感度。在第一时间段(有效时间段)中，使用MOS晶体管的电特性，输出除第一电路以外的其他电路所需的信号，以及在除第一时间段以外的第二时间段(空闲时间段)中，在MOS晶体管的栅极和源极之间，施加不小于这些MOS晶体管的阈值电压的阶梯波形电压。
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