光波导装置和光波导装置的制造方法

    公开(公告)号:CN103270440A

    公开(公告)日:2013-08-28

    申请号:CN201180061849.4

    申请日:2011-12-21

    Inventor: 渡边真也

    Abstract: 本发明降低了向在构成相干混频器的光波导臂中传播的光波施加的相位差的波长依赖性,光波导装置包括:第一光分支装置,其分支第一输入光并输出到第一和第二光波导;第二光分支装置,其分支第二输入光并输出到第三和第四光波导;第一光耦合器,其混合通过第一和第三光波导行进的光波,然后分支并输出第一和第二输出光;第二光耦合器,其混合通过第二和第四光波导行进的光波,然后分支并输出第三和第四输出光。其中,在第一和第二光波导之间,以及在第三和第四光波导之间,光路长度彼此相等。第一光分支装置具有从与该装置的光传播中心重叠的位置执行光输入的结构。此外,第二光分支装置包括配备有从比该装置的光传播中心更靠端部侧的位置执行光输入的结构的3dB多模干涉仪分束器。

    光波导器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN101271175B

    公开(公告)日:2013-01-30

    申请号:CN200810087250.8

    申请日:2008-03-24

    CPC classification number: G02B6/4224 G02B6/42 G02B6/4227

    Abstract: 本发明涉及光波导器件及其制造方法。用于校正由于基板应变和扭曲的形变而引起的对准标记的未对准,获得能提高安装精确度和生产率的光波导器件。光波导器件包括:包含在基板上形成的波导芯的光波导部分,以及安装在基板上以对应光波导部分的光学器件(LD),其中两者都被耦合在光端面并通过混合式安装来安装。在光学器件中的活性线两侧设置LD侧对准标记。当在对应基板上安装该光学器件时,在其中心和光学器件侧标记的那些中心匹配的位置设置基板侧对准标记。设置基准标记,并且与基板上的波导芯的相对位置关系变得稳定。因此检测未对准量。

    光波导器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN101059586B

    公开(公告)日:2010-04-07

    申请号:CN200710090483.9

    申请日:2007-04-12

    CPC classification number: G02B6/4228

    Abstract: 本发明提供了一种包括光波导部分和光器件安装部分的光波导器件。在高温退火后对形成其上要安装发光器件的底座块的掩膜进行图案化。因此即使器件在制造过程中经历高温热处理,掩膜也不会受到影响。这使得可以非常精确地形成底座块。因此,可以在把发光器件安装在底座块上时实现非常精确的光耦合。

    光波导器件及调节其传输损耗的方法

    公开(公告)号:CN100478723C

    公开(公告)日:2009-04-15

    申请号:CN200610142428.5

    申请日:2006-10-24

    Inventor: 渡边真也

    CPC classification number: G02B6/12009 G02B6/125 G02B6/266

    Abstract: 一种光波导器件,包括:多个光波导,它们传播通过信号波束;以及多个光学子波导,分别与所述多个光波导相连,通过分出信号波束的部分波束,将过度损耗施加于信号波束。通过调节所述多个光学子波导相对于所述多个光波导的宽度,调节过度损耗量的动态范围和容限,以及通过调节所述多个光学子波导的每个相对于所述多个光波导的每个的连接角度,调节施加于信号波束的过度损耗量。

    热光学移相器
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101632034B

    公开(公告)日:2012-11-07

    申请号:CN200880007694.4

    申请日:2008-02-29

    Abstract: 本发明提供了一种包括复合体和加热器的热光学移相器,其中复合体具有由芯层和包覆层所形成的光波导并具有4%或以上的Δ,加热器附装到该光波导,其中Δ为芯层的折射率与包覆层的折射率之间的差值相对于芯层的折射率的比值。复合体具有桥结构部分以及固定部分,桥结构部分沿着衬底表面设置并通过间隙与衬底表面相分离,固定部分在衬底上支撑桥结构部分并且与桥结构部分的两端相连。桥结构在沿着所述衬底表面的平面中具有半圆弧形状。

    热光学移相器
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101632034A

    公开(公告)日:2010-01-20

    申请号:CN200880007694.4

    申请日:2008-02-29

    Abstract: 本发明提供了一种包括复合体和加热器的热光学移相器,其中复合体具有由芯层和包覆层所形成的光波导并具有4%或以上的Δ,加热器附装到该光波导,其中Δ为芯层的折射率与包覆层的折射率之间的差值相对于芯层的折射率的比值。复合体具有桥结构部分以及固定部分,桥结构部分沿着衬底表面设置并通过间隙与衬底表面相分离,固定部分在衬底上支撑桥结构部分并且与桥结构部分的两端相连。桥结构在沿着所述衬底表面的平面中具有半圆弧形状。

    平面光波线路及其制作方法和光波导装置

    公开(公告)号:CN101398512A

    公开(公告)日:2009-04-01

    申请号:CN200810165973.5

    申请日:2008-09-27

    Inventor: 渡边真也

    CPC classification number: G02B6/4224 G02B6/136 G02B6/4219 G02B6/423

    Abstract: 本发明提供了平面光波线路及其制作方法和光波导装置,所述平面光波线路能够通过将光学元件与光波导部件没有缝隙地耦合以改进光学耦合效率。该平面光波线路包括光波导部件和光学元件安装部件。光波导部件包括形成在作为衬底的硅衬底的一部分上的下部包层、芯层和上部包层。光学元件安装部件有安装到硅衬底上的LD,其在作为光波导端面的光波导端面光学地耦合。在光波导端面,下部包层的端面相对于芯层的端面和上部包层的端面向远离LD的方向凹陷。

    硅结构及其制造方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101344612A

    公开(公告)日:2009-01-14

    申请号:CN200810135811.7

    申请日:2008-07-14

    Inventor: 渡边真也

    CPC classification number: G02B6/136 G02B2006/12061 G02F1/025

    Abstract: 一种硅结构的制造方法,包括:在处理层上形成衬底上结构以在平行于所述处理层的平面上具有连续变化的宽度;和通过各向同性蚀刻,逐渐去除直接位于所述衬底上结构的下面的硅衬底上的所述处理层的目标部分。处理层可以是硅衬底的表面层,或形成于硅衬底上的牺牲层。

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