公开(公告)号：CN119895329A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202280007488.3

申请日：2022-09-15

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 強力尚纪 ,  谷村昴 ,  柏屋俊克 ,  茶园弘基

IPC: G03F1/62

Abstract: 本发明提供一种EUV透过膜，其能够抑制构成EUV透过率降低的主要原因的保护层对EUV的吸收，由此在曝光时能够体现出较高的EUV透过率。该EUV透过膜具备：主层(12)，其波长13.5nm处的EUV透过率为85％以上，且由单层或2层以上的复合层构成；以及保护层(14)，其将主层的至少单面覆盖，且包含选自由非晶质碳、Cu、Al及有机抗蚀剂构成的组中的至少1种作为主成分。

公开(公告)号：CN118140177A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202280007294.3

申请日：2022-09-15

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 柏屋俊克 ,  近藤厚男 ,  茶园弘基 ,  谷村昴 ,  強力尚纪

IPC: G03F1/62

Abstract: 本发明提供EUV透过率及IR放射率均较高的EUV透过膜。该EUV透过膜为波长13.5nm处的EUV透过率为80.0％以上的EUV透过膜，其具备：波长2μm处的IR放射率为2.0％以上的主层、以及将主层的至少单面覆盖的波长2μm处的IR透过率为70％以上的保护层。

公开(公告)号：CN118805142A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202280083827.6

申请日：2022-03-18

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 柏屋俊克 ,  強力尚纪

IPC: G03F1/62

Abstract: 本发明提供一种利用避免掩膜层以朝向空腔延伸的檐状残留下来而不易产生颗粒的高效方法制造高品质的EUV透过膜或防护件的方法。该方法包括如下工序：准备具有第一面和第二面的基板；将第一面的整个区域和第二面的除位于中央的空腔区域以外的周边区域以掩膜层覆盖；将在空腔区域露出的基板局部蚀刻除去而形成空腔；将覆盖第一面的掩膜层蚀刻除去；在基板的空腔侧的表面及覆盖第二面的掩膜层的表面形成EUV透过膜；以及自第一面将基板蚀刻除去至EUV透过膜在与空腔相反一侧露出而使空腔区域中的EUV透过膜自立膜化。